公开(公告)号：KR100709395B1

公开(公告)日：2007-04-20

申请号：KR1020060057043

申请日：2006-06-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구현철 ,  한석희 ,  엄종화 ,  장준연 ,  김형준 ,  이현정

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/82

Abstract: 스핀 주입 효율이 높고 신호대 잡음비가 개선된 고품질 스핀 트랜지스터를 제공한다. 본 발명의 스핀 트랜지스터는, 하부 클래딩층, 채널층 및 상부 클래딩층을 갖는 반도체 기판부와; 상기 기판부 상에 형성된 강자성체 소스 및 드레인과; 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하는 게이트를 포함한다. 상기 하부 클래딩층은 제1 하부 클래딩층과 제2 하부 클래딩층의 2중 클래딩층 구조를 갖고, 상기 상부 클래딩층은 제1 상부 클래딩층과 제2 상부 클래딩층의 2중 클래딩 구조를 갖는다. 상기 소스 및 드레인은 상기 기판부 상면 아래로 매립되어 상기 제1 상부 클래딩층 또는 그 아래로 연장되어 있다.
스핀 트랜지스터, 강자성체, 스핀

Abstract translation: 高质量的自旋晶体管，具有高自旋注入效率和改善的信噪比。 本发明的自旋晶体管包括：具有下包层，沟道层和上包层的半导体衬底部分; 在衬底上形成的铁磁源和漏极; 还有一个控制穿过沟道层的电子自旋的门。 下包层具有第一下包层和第二下包层的双包层结构，上包层具有第一上包层和第二上包层的双包层结构。 源极和漏极埋在衬底部分的上表面之下并延伸到第一上覆层或第一上覆层下面。

公开(公告)号：KR100832583B1

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：KR1020070000888

申请日：2007-01-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구현철 ,  엄종화 ,  한석희 ,  장준연 ,  김형준

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G11C11/16 ,  H01L29/0843 ,  Y10S257/902 ,  Y10S977/933

Abstract: A spin transistor using a leakage magnetic field is provided to solve a low injection problem caused by junction part transmission of spin by generating electrons which are sufficiently spin-polarized by the leakage magnetic field and obtaining a resistance difference by selectively accepting the electrons using the filtering effect. A semiconductor substrate(11) comprises a channel layer(12). A first and second electrodes(18,19) are located at the substrate along the longitudinal direction of the channel layer, and separated as a predetermined gap. A source and a drain formed with a magnetized ferroelectric material are located between the first and second electrodes, and separated as the predetermined gap. A gate(15) is formed on the substrate between the source and drain, and controls the spin direction of the electron passing through the channel. The spin of the electron is arranged by the leakage magnetic field of the source at the lower part of the source, and is filtered by the leakage magnetic field of the drain at the lower part of the drain.

Abstract translation: 提供一种使用漏磁场的自旋晶体管，用于解决由于通过产生由泄漏磁场进行充分自旋极化的电子产生的自旋结部分引起的低注入问题，并且通过使用滤波选择性地接受电子而获得电阻差 影响。 半导体衬底（11）包括沟道层（12）。 第一和第二电极（18,19）沿着沟道层的纵向方向位于衬底处，并以预定的间隙分开。 形成有磁化铁电材料的源极和漏极位于第一和第二电极之间，并以预定间隙分离。 在源极和漏极之间的衬底上形成栅极（15），并且控制通过沟道的电子的旋转方向。 电子的旋转由源极的下部的源极的泄漏磁场排列，并且通过漏极下部的漏极的漏磁场进行滤波。

公开(公告)号：KR100619300B1

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：KR1020050085717

申请日：2005-09-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구현철 ,  한석희 ,  엄종화 ,  장준연 ,  이현정

IPC: H01L21/335

Abstract: 온 오프 동작 마진이 크고 잡음이 적은 스핀 트랜지스터를 제공한다. 본 발명에 따른 스핀 트랜지스터는, 채널이 형성된 기판부와; 상기 기판부 상에 서로 이격되어 배치되고 자화 방향이 서로 동일한 강자성체인 소스 및 드레인과; 상기 기판부 상에 형성되어, 상기 채널을 통과하는 전자의 스핀 방향을 조절하는 게이트를 포함하고, 상기 소스 및 드레인의 자화 방향은 상기 채널의 길이 방향과 수직이다.
스핀 트랜지스터, 스핀, 자화

Abstract translation: 由此提供具有大的ON / OFF操作余量和低噪声的自旋晶体管。 根据本发明的自旋晶体管包括：衬底部分，其上形成有沟道; 源极和漏极，其设置在衬底上并且彼此间隔开并且在磁化方向上为铁磁性的; 以及形成在衬底部分上的栅极，用于调整通过沟道的电子的自旋方向，源极和漏极的磁化方向垂直于沟道的纵向。