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公开(公告)号：KR100539465B1
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：KR1020040015790
申请日：2004-03-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 실리콘 박막분리를 위한 표면기포 형성방법에 관한 것으로서 특히 스마트 컷(Smart-cut) 방법에 의해 SOI 웨이퍼가 제조될 때, 박막층 분리의 필수 조건인 수소에 의해 유기된 미세균열(microcrack)이 형성된 결과로서 나타나는 표면 기포가 형성되는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 SOI 기판의 박막 분리를 위한 표면기포 형성방법에 있어서, 제 1기판의 일정 두께를 열산화하는 제 1단계와; 상기 제 1기판의 열산화막 두께 보다 깊은 일정 깊이로 이온 주입하는 제 2단계와; 상기 이온 주입된 제 1기판을 제 2기판과 접합하는 제 3단계와; 상기 접합된 제 1 및 제 2기판을 300 ~ 600℃ 범위에서 10 ~ 30분 동안 열처리함으로써 미세균열에 의해 표면 기포가 형성된 이온 주입 박막을 분리하는 제 4단계; 및 상기 분리된 박막 표면을 연마하는 제 5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법을 제시한다.
따라서 본 발명은 스마트 컷(Smart-cut) 기술로 SOI 웨이퍼가 제조될 때, 열처리 시간의 감소와 표면 기포의 형성 여부로 박막분리의 여부를 결정함으로써 이온 주입된 실리콘 웨이퍼의 박막분리 공정 에러를 줄일 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020050090625A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：KR1020040015790
申请日：2004-03-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 실리콘 박막분리를 위한 표면기포 형성방법에 관한 것으로서 특히 스마트 컷(Smart-cut) 방법에 의해 SOI 웨이퍼가 제조될 때, 박막층 분리의 필수 조건인 수소에 의해 유기된 미세균열(microcrack)이 형성된 결과로서 나타나는 표면 기포가 형성되는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 SOI 기판의 박막 분리를 위한 표면기포 형성방법에 있어서, 제 1기판의 일정 두께를 열산화하는 제 1단계와; 상기 제 1기판의 열산화막 두께 보다 깊은 일정 깊이로 이온 주입하는 제 2단계와; 상기 이온 주입된 제 1기판을 제 2기판과 접합하는 제 3단계와; 상기 접합된 제 1 및 제 2기판을 300 ~ 600℃ 범위에서 10 ~ 30분 동안 열처리함으로써 미세균열에 의해 표면 기포가 형성된 이온 주입 박막을 분리하는 제 4단계; 및 상기 분리된 박막 표면을 연마하는 제 5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법을 제시한다.
따라서 본 발명은 스마트 컷(Smart-cut) 기술로 SOI 웨이퍼가 제조될 때, 열처리 시간의 감소와 표면 기포의 형성 여부로 박막분리의 여부를 결정함으로써 이온 주입된 실리콘 웨이퍼의 박막분리 공정 에러를 줄일 수 있다.
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