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    탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서
    8.
    发明公开
    탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서 无效
    制备碳纳米管传感器和碳纳米管传感器的方法

    公开(公告)号：KR1020160080674A

    公开(公告)日：2016-07-08

    申请号：KR1020140193372

    申请日：2014-12-30

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 변영태 ,  김선호 ,  김재성 ,  이제행 ,  김신근

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01L29/0669 ,  H01L21/0273 ,  H01L2924/13061

    Abstract: 본발명은, a) 기판상에절연막을형성하는단계; (b) 상기절연막상의탄소나노튜브흡착영역에격자또는스트라이프형태의포토레지스트패턴을형성하는단계; (c) 상기포토레지스트패턴을따라상기절연막을식각(etching)하는단계; (d) 상기절연막이식각된기판에탄소나노튜브입자를흡착하는단계; (e) 상기탄소나노튜브가흡착된기판표면의포토레지스트패턴을제거하는단계; 및 (f) 상기포토레지스트패턴이제거된상기절연막상에전극을형성하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법및 이에의하여제조된탄소나노튜브센서에관한것이다.

    Abstract translation: 碳纳米管传感器的制造方法技术领域本发明涉及一种碳纳米管传感器的制造方法以及由此制造的碳纳米管传感器。碳纳米管传感器的制造方法包括以下步骤：（a）在基板上形成绝缘膜; （b）在绝缘膜的碳纳米管吸附区域中形成格子状或条状的光致抗蚀剂图案; （c）根据光致抗蚀剂图案蚀刻绝缘膜; （d）在蚀刻绝缘膜的基板上吸附碳纳米管粒子; （e）除去吸附有碳纳米管的基板表面的光致抗蚀剂图案; 和（f）在除去光致抗蚀剂图案的绝缘膜上形成电极。 本发明的目的是提供一种制造碳纳米管传感器和碳纳米管传感器的方法，该碳纳米管传感器能够沿固定方向排列碳纳米管。

    가상 캘리브레이션을 이용하여 고도 측정이 가능한 휴대 단말 및 이를 이용한 고도 측정 방법
    9.
    发明授权
    가상 캘리브레이션을 이용하여 고도 측정이 가능한 휴대 단말 및 이를 이용한 고도 측정 방법 有权
    使用虚拟校准测量高度的移动设备和方法

    公开(公告)号：KR101467921B1

    公开(公告)日：2014-12-11

    申请号：KR1020130027196

    申请日：2013-03-14

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 이택진 ,  이석 ,  우덕하 ,  변영태 ,  김재헌 ,  이정호 ,  신범주 ,  김철기 ,  전영민 ,  김선호

    IPC: G01C5/06 ,  H04B1/40

    Abstract: 본발명은기존방식과같은네트워크의도움없이사용자단말에탑재되어있는기압센서만을이용하여고도측정이가능하여특히고층건물의실내에서휴대용단말기가위치한정확한층 수정보를취득할수 있는, 가상캘리브레이션을이용하여고도를측정하는방법및 이를수행하도록구성된휴대용단말에관한것이다. 본발명의상기목적은, (a) 위성항법신호를수신하는단계; (b) 상기위성항법에의한사용자의위치추적중 위성항법음영지역으로의진입여부를판단하는단계; (c) 상기위성항법음영지역의시작위치에서의초기고도값과초기기압값을저장하는단계; 및 (d) 상기초기고도값과초기기압값을기초로하여사용자단말의기압센서에의해측정된기압값의변화를통하여사용자의고도를추정하는단계를포함하여이루어지는, 가상캘리브레이션을이용한휴대용단말의고도측정방법을제공함에의하여달성될수 있다.

    기판과의 결합력이 향상된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자
    10.
    发明授权
    기판과의 결합력이 향상된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자 有权
    基于碳纳米管的场效应晶体管和基于碳纳米管的场效应晶体管的制备方法

    公开(公告)号：KR101402989B1

    公开(公告)日：2014-06-11

    申请号：KR1020130067285

    申请日：2013-06-12

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 변영태 ,  김선호 ,  전영민 ,  김은경 ,  김재성 ,  우덕하

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/742 ,  H01L29/0669 ,  H01L21/324

    Abstract: The present invention relates to a method of fabricating a carbon nanotube-based field effect transistor having improved adhesive strength with respect to a substrate, and the carbon nanotube-based field effect transistor fabricated thereby. The method of fabricating the carbon nanotube-based field effect transistor includes the steps of: forming an oxide layer on a substrate; forming a photoresist pattern on the oxide layer; forming a metal layer on an entire surface of a sample including a photoresist pattern; a lift-off step of removing the photoresist; absorbing a carbon nanotube on the substrate without the photoresist; performing heat treatment for the substrate in which the carbon nanotube is absorbed; and removing the metal layer. According to the present invention, since adhesive strength between the substrate and the carbon nanotube is improved, stability and reliability of a field effect transistor may be improved. When the field effect transistor is applied to a liquid sensor, a life of the sensor may extend and the reliability with respect to a result measured using the sensor may be improved.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造相对于基板具有改善的粘合强度的碳纳米管系场效应晶体管的方法，以及由此制造的基于碳纳米管的场效应晶体管。 制造基于碳纳米管的场效应晶体管的方法包括以下步骤：在衬底上形成氧化物层; 在所述氧化物层上形成光致抗蚀剂图案; 在包括光致抗蚀剂图案的样品的整个表面上形成金属层; 去除光致抗蚀剂的剥离步骤; 在没有光刻胶的基板上吸收碳纳米管; 对其中吸收碳纳米管的基板进行热处理; 并去除金属层。 根据本发明，由于提高了基板和碳纳米管之间的粘合强度，因此可以提高场效应晶体管的稳定性和可靠性。 当场效应晶体管被施加到液体传感器时，传感器的寿命可以延长，并且可以提高使用传感器测量的结果的可靠性。

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