公开(公告)号：KR101860020B1

公开(公告)日：2018-05-23

申请号：KR1020160091353

申请日：2016-07-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  김상현 ,  윤예슬

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

Abstract: 양자우물(quantum well)의밴드갭(bandgap) 제어방법은, 갈륨비소(GaAs)층및 인듐갈륨비소(InGaAs)층을포함하는양자우물구조상에산화막을형성하는단계; 상기산화막상에유전체박막을형성하는단계; 및상기유전체박막을형성하는단계후에, 상기양자우물구조, 상기산화막및 상기유전체박막을열처리하는단계를포함한다. 상기양자우물의밴드갭제어방법에서는, 산화막위에서양자우물혼합(quantum well intermixing)을위한유전체의증착및 열처리가수행되므로, 실리콘(Si) 불순물이생성되거나양자우물에응력이가해지는기존의문제를해결할수 있으며, 산화막생성온도를변화시키는것에의하여밴드갭의변화정도를조절할수 있다.

公开(公告)号：KR1020180009545A

公开(公告)日：2018-01-29

申请号：KR1020160091353

申请日：2016-07-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  김상현 ,  윤예슬

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L29/122 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/324 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035209 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10337

Abstract: 양자우물(quantum well)의밴드갭(bandgap) 제어방법은, 갈륨비소(GaAs)층및 인듐갈륨비소(InGaAs)층을포함하는양자우물구조상에산화막을형성하는단계; 상기산화막상에유전체박막을형성하는단계; 및상기유전체박막을형성하는단계후에, 상기양자우물구조, 상기산화막및 상기유전체박막을열처리하는단계를포함한다. 상기양자우물의밴드갭제어방법에서는, 산화막위에서양자우물혼합(quantum well intermixing)을위한유전체의증착및 열처리가수행되므로, 실리콘(Si) 불순물이생성되거나양자우물에응력이가해지는기존의문제를해결할수 있으며, 산화막생성온도를변화시키는것에의하여밴드갭의변화정도를조절할수 있다.

Abstract translation: 一种控制量子阱的带隙的方法包括：在包括砷化镓（GaAs）层和砷化铟镓（InGaAs）层的量子阱结构上形成氧化物膜; 在氧化膜上形成电介质薄膜; 并且在形成电介质薄膜的步骤之后热处理量子阱结构，氧化物膜和电介质薄膜。 在控制量子阱的带隙的方法中，在氧化物膜上执行用于量子阱混合的电介质的沉积和热处理，从而在量子阱中产生硅（Si）杂质或应力的传统问题 并且可以通过改变氧化膜形成温度来调整带隙的变化程度。