탄소 나노 튜브 기반 전자 소자 및 이의 제조 방법
    1.
    发明公开
    탄소 나노 튜브 기반 전자 소자 및 이의 제조 방법 无效
    基于碳纳米管的电气设备及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110057986A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:KR1020090114634

    申请日:2009-11-25

    CPC classification number: B82B3/0009 C01B32/16 C01B2202/22 H01B1/04

    Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube based electric device and a producing method thereof are provided to prevent the damage of an electrode, and to synthesize high quality carbon nanotubes. CONSTITUTION: A carbon nanotube based electric device comprises the following: a conductive substrate(1); a carbon nanotube(4) fixed to the conductive substrate; a carbon-based bonding layer(2) forming the electric connection in between the carbon nanotube and the conductive substrate; and a catalyst layer(3) formed in between the carbon nanotube and the bonding layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种基于碳纳米管的电子装置及其制造方法,以防止电极的损坏,并且合成高质量的碳纳米管。 构成:基于碳纳米管的电气装置包括:导电基板(1); 固定在所述导电性基板上的碳纳米管(4) 在所述碳纳米管和所述导电性基板之间形成电连接的碳基结合层(2) 和形成在碳纳米管和接合层之间的催化剂层(3)。

    졸-겔 및 광경화 반응에 의해 광경화 투명고분자 내에금속산화물 나노입자를 포함하는 게이트 절연층을 이용한유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
    2.
    发明公开
    졸-겔 및 광경화 반응에 의해 광경화 투명고분자 내에금속산화물 나노입자를 포함하는 게이트 절연층을 이용한유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 有权
    在透明聚合物门绝缘体层中包含金属氧化物纳米颗粒的有机薄膜晶体管及其通过使用溶胶凝胶和光电反应来制备其的方法

    公开(公告)号:KR1020090082941A

    公开(公告)日:2009-08-03

    申请号:KR1020080008816

    申请日:2008-01-29

    CPC classification number: H01L51/0537 C01G1/02 C01G23/053 H01L51/0516

    Abstract: Organic thin film transistors comprising metal oxide nanoparticles within transparent polymer gate insulator layer and method for fabricating the same by using sol-gel and photocure reactions are provided to achieve a low voltage operation by using a transparency inorganic/polymer composite layer. The gate electrode(20) is formed on the glass substrates(10). The photocure transparency inorganic/polymer composite layer(30) including the substrate and the gate electrode metal oxide nano particle is formed. The organic active layer(40) is formed on the photocure transparency inorganic/polymer composite layer. Source and drain electrodes(50,60) are formed on the organic active layer. The photocure transparency inorganic/polymer composite layer mixes the metal oxide precursor, the reactivity controller, and catalyst and photocure polymer. The mixture is coated on the substrate.

    Abstract translation: 提供了包含透明聚合物栅绝缘体层内的金属氧化物纳米粒子的有机薄膜晶体管及其制造方法,通过使用透明无机/聚合物复合层来实现低电压工作。 栅电极(20)形成在玻璃基板(10)上。 形成包含基板和栅电极金属氧化物纳米粒子的光固化透明性无机/聚合物复合层(30)。 在光固性透明无机/聚合物复合层上形成有机活性层(40)。 源极和漏极(50,60)形成在有机有源层上。 光固化透明无机/聚合物复合层混合金属氧化物前体,反应性控制剂,催化剂和光固化聚合物。 将混合物涂覆在基材上。

    졸-겔 및 광경화 반응에 의해 광경화 투명고분자 내에금속산화물 나노입자를 포함하는 게이트 절연층을 이용한유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
    4.
    发明授权
    졸-겔 및 광경화 반응에 의해 광경화 투명고분자 내에금속산화물 나노입자를 포함하는 게이트 절연층을 이용한유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 有权
    在透明聚合物门绝缘体层中包含金属氧化物纳米颗粒的有机薄膜晶体管及其通过使用溶胶凝胶和光电反应来制备其的方法

    公开(公告)号:KR100965434B1

    公开(公告)日:2010-06-24

    申请号:KR1020080008816

    申请日:2008-01-29

    CPC classification number: H01L51/0537 C01G1/02 C01G23/053

    Abstract: 본 발명은 졸-겔(sol-gel) 및 광경화 반응에 의해 광경화 투명고분자 내에 금속산화물 나노입자를 형성 및 결합시켜 전기유전율의 변화가 용이한 조성물을 게이트 절연체로 사용하는 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명은 기판, 이 기판 위에 형성되는 전극층, 전극 위에 형성되는 금속산화물 나노입자를 포함하는 광경화 투명 무기/고분자 복합층, 유기활성층, 및 소스 및 드레인 전극층을 포함하고, 상기 금속산화물 나노입자를 포함하는 광경화 투명 무기/고분자 복합층이 금속산화물 전구체와 광경화 투명고분자를 혼합하여 스핀캐스팅(spin casting)을 통해 유기막을 형성시킨 후 졸-겔 및 광경화 반응을 통해 그의 일부가 나노무기입자로 전환되어 유전성을 가지게 되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터를 제공한다.
    본 발명에 따른 유기박막 트랜지스터는 게이트 절연체의 유전율이 종래 사용되는 게이트 절연체에 비해 월등히 높고 조절이 용이하며, 광경화 투명고분자의 특성을 그대로 유지하여 투명할 뿐만 아니라, 광경화로 미세패턴 형성이 가능하여 공정성이 매우 우수하다는 장점을 갖는다.
    졸-겔 반응, 광경화, 나노기술, 나노 복합소재, 투명유기 게이트 절연체, 유 기박막 트랜지스터

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