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    탄소 나노 튜브 기반 전자 소자 및 이의 제조 방법
    3.
    发明公开
    탄소 나노 튜브 기반 전자 소자 및 이의 제조 방법 无效
    基于碳纳米管的电气设备及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020110057986A

    公开(公告)日：2011-06-01

    申请号：KR1020090114634

    申请日：2009-11-25

    Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  한국과학기술연구원

    Inventor： 윤호규 ,  김웅 ,  김형석 ,  박민

    IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02

    CPC classification number: B82B3/0009 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/22 ,  H01B1/04

    Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube based electric device and a producing method thereof are provided to prevent the damage of an electrode, and to synthesize high quality carbon nanotubes. CONSTITUTION: A carbon nanotube based electric device comprises the following: a conductive substrate(1); a carbon nanotube(4) fixed to the conductive substrate; a carbon-based bonding layer(2) forming the electric connection in between the carbon nanotube and the conductive substrate; and a catalyst layer(3) formed in between the carbon nanotube and the bonding layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种基于碳纳米管的电子装置及其制造方法，以防止电极的损坏，并且合成高质量的碳纳米管。 构成：基于碳纳米管的电气装置包括：导电基板（1）; 固定在所述导电性基板上的碳纳米管（4） 在所述碳纳米管和所述导电性基板之间形成电连接的碳基结合层（2） 和形成在碳纳米管和接合层之间的催化剂层（3）。

    가요성 투명 박막 트랜지스터
    4.
    发明授权
    가요성 투명 박막 트랜지스터 失效
    柔性透明薄膜晶体管

    公开(公告)号：KR100982956B1

    公开(公告)日：2010-09-17

    申请号：KR1020080047693

    申请日：2008-05-22

    Applicant: 고려대학교 산학협력단

    Inventor： 이철진 ,  윤호규 ,  김우년 ,  김웅 ,  박종래 ,  박민 ,  장지영 ,  주진수 ,  이건웅 ,  김규태 ,  이준엽 ,  김현재 ,  박상민 ,  김선국

    IPC: H01L29/786

    Abstract: CNT(Carbon Nano Tube)를 이용한 가요성 투명 박막 트랜지스터(Flexable and transparent Thin film Transistor)에 관해 기술된다.
    가요성 투명 기판 위에 투명 유기물질에 반도체 CNT가 분산되어 있는 CNT 채널 층이 마련된다. 상기 채널의 양측에는 투명 유기물질에 도전성 CNT가 분산되어 있는 소스와 드레인 전극이 접촉된다. 상기 채널의 위 또는 아래에는 투명 유기물질에 도전성 CNT가 분산되어 있는 게이트가 위치하고, 상기 채널과 게이트 사이에는 투명 유기 물질에 의한 게이트 절연층이 개재된다.
    투명, 가요성, 박막, CNT, 트랜지스터

    Abstract translation: （柔性和透明薄膜晶体管）使用碳纳米管（CNT）。

    가요성 투명 박막 트랜지스터
    5.
    发明公开
    가요성 투명 박막 트랜지스터 失效
    碳纳米管薄膜晶体管

    公开(公告)号：KR1020090121677A

    公开(公告)日：2009-11-26

    申请号：KR1020080047693

    申请日：2008-05-22

    Applicant: 고려대학교 산학협력단

    Inventor： 이철진 ,  윤호규 ,  김우년 ,  김웅 ,  박종래 ,  박민 ,  장지영 ,  주진수 ,  이건웅 ,  김규태 ,  이준엽 ,  김현재 ,  박상민 ,  김선국

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L51/0048 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/052 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  H01L51/105

    Abstract: PURPOSE: A carbon nano tube thin film transistor is provided to increase an aperture ratio of a pixel by allowing all conductive materials and a semiconductor material to include CNT and having a flexible structure while being transparent. CONSTITUTION: A CNT thin film transistor comprises a channel layer, a source / drain electrode, a gate layer, a gate isolation layer, and a transparency flexible substrate. The channel layer by the semiconductor CNT forms an electrical path associated with the transparent organic material and the organic material. The source / drain electrodes(21, 22) is connected with both side of the channel electrically by the conductivity CNT. The source / drain electrode by the conductivity CNT forms an electrical path associated with the organic material and the transparency organic material. A gate layer by the conductivity CNT corresponds to the channel layer, and a gate layer by the conductivity CNT is connected with both sides of the channel electrically.

    Abstract translation: 目的：提供一种碳纳米管薄膜晶体管，通过允许所有导电材料和半导体材料包括CNT并且具有柔性结构同时透明化以增加像素的孔径比。 构成：CNT薄膜晶体管包括沟道层，源极/漏极，栅极层，栅极隔离层和透明柔性基板。 由半导体CNT形成的沟道层形成与透明有机材料和有机材料相关联的电路径。 源极/漏极（21,22）通过导电性CNT电连接于沟道的两侧。 源极/漏极通过导电CNT形成与有机材料和透明有机材料相关联的电路径。 通过导电性CNT的栅极层对应于沟道层，并且通过导电性CNT的栅极层与沟道的两侧电连接。

    태양 전지 및 이의 제조 방법
    6.
    发明公开
    태양 전지 및 이의 제조 방법 无效
    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020110119970A

    公开(公告)日：2011-11-03

    申请号：KR1020100039424

    申请日：2010-04-28

    Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  고려대학교 산학협력단 ,  삼성에스디아이 주식회사

    Inventor： 오민석 ,  송정호 ,  강윤묵 ,  송남규 ,  박민 ,  김정태 ,  이윤석 ,  이초영 ,  김동환 ,  이준성 ,  탁성주

    IPC: H01L31/04

    CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

    Abstract: PURPOSE: A solar battery and a manufacturing method thereof are provided to arrange a passivation layer including a plurality of opening parts in the rear surface of a semiconductor substrate, thereby reducing a leakage current by reducing charge loss. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer(20) is arranged in the front surface of a first conductive semiconductor substrate(10). A second conductive amorphous silicon thin film layer(30) is arranged on the amorphous silicon layer. A transparent conductive layer(40) is arranged on the second conductive amorphous silicon thin film layer. A front surface electrode(90) is arranged on the transparent conductive layer. A passivation layer(50) is arranged in the rear surface of the first conductive semiconductor substrate. A plurality of opening parts(70) is arranged in the passivation layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池及其制造方法，以在半导体衬底的后表面中布置包括多个开口部的钝化层，从而通过减少电荷损失来减少漏电流。 构成：在第一导电半导体衬底（10）的前表面中布置非晶硅层（20）。 第二导电非晶硅薄膜层（30）设置在非晶硅层上。 透明导电层（40）设置在第二导电非晶硅薄膜层上。 在透明导电层上配置有前表面电极（90）。 钝化层（50）布置在第一导电半导体衬底的后表面中。 多个开口部分（70）布置在钝化层中。

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