公开(公告)号：KR1020100083545A

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：KR1020090002986

申请日：2009-01-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 한승희 ,  변지영 ,  석현광 ,  한준현 ,  김유찬 ,  이성배 ,  최진영

IPC: H01L21/265 ,  C23C14/48

CPC classification number: H01J37/32412 ,  C23C14/205 ,  C23C14/48 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67213

Abstract: PURPOSE: A method and a device for implanting a solid element plasma ion are provided to implement a high function of a surface property by efficiently implanting a solid element ion to the surface of a sample at a room temperature. CONSTITUTION: An evaporator(24) is prepared for a thin film deposition. A vacuum state is maintained inside a vacuum chamber(10). A sample mount(13) is installed on the opposite position to the evaporator inside a vacuum chamber. A first power supply unit applies first power to the evaporator. The first power supply unit implants the plasma ions of the solid element sputtered from the evaporator to the surface of a sample(12).

Abstract translation: 目的：提供用于植入固体元素等离子体离子的方法和装置，以通过在室温下有效地将固体元素离子注入到样品表面来实现表面性能的高功能。 构成：制备用于薄膜沉积的蒸发器（24）。 在真空室（10）内保持真空状态。 样品座（13）安装在真空室内与蒸发器相对的位置上。 第一电源单元向蒸发器施加第一功率。 第一电源单元将从蒸发器溅射的固体元素的等离子体离子注入样品（12）的表面。

公开(公告)号：KR101055396B1

公开(公告)日：2011-08-08

申请号：KR1020090002986

申请日：2009-01-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 한승희 ,  변지영 ,  석현광 ,  한준현 ,  김유찬 ,  이성배 ,  최진영

IPC: H01L21/265 ,  C23C14/48

Abstract: 고체 이온의 플라즈마 이온주입을 가능하게 하는 고체 원소 플라즈마 이온주입 방법 및 장치가 개시된다. 이 장치 및 방법에 따르면, 진공조 내의 시료 장착대 위에 시료를 위치시키고, 진공조의 내부를 진공상태로 유지한다. 그리고, 진공조 내에 플라즈마화 할 가스를 공급하고, 박막증착을 위한 증착원에 제1 전력을 인가하여 고체 원소의 플라즈마 이온들을 발생한다. 증착원으로부터 스퍼터링되는 고체 원소의 플라즈마 이온들은 시료의 표면에 이온주입된다. 여기서 제1 전력은, 낮은 평균 전력을 유지하면서도 펄스가 인가되는 순간 높은 전력을 인가할 수 있는 펄스 직류 전력이다. 또한, 제1 전력을 인가함과 동시에, 시료 장착대에 제2 전력을 제공할 수 있는데, 제2 전력은 고체 원소의 플라즈마 이온들을 시료 측으로 가속시키며 펄스 직류 전력에 동기화된 고전압 펄스이다. 또한, 진공조 내에 유도결합 플라즈마를 발생하여, 고체 원소의 이온화율을 증가시키고 증착원의 작동 압력을 낮출 수 있다.
이온주입, 플라즈마 이온주입, 고체원소 이온주입, 펄스 직류 마그네트론, 고전압 펄스