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公开(公告)号：WO2019093558A1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：PCT/KR2017/012916
申请日：2017-11-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/0216
Abstract: 본 발명은 전기화학적 침착법(electrochemical deposition)과 선택적 전착법(selective electrodeposition)을 이용하여 전극 상에 광흡수층 박막을 선택적으로 형성함으로써 투광형의 화합물 박막을 제조하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 소정의 전구체와 용매를 혼합하여 제조된 전해질 용액과, 기 준비된 기판 상에 특정 패턴이 패터닝된 전극이 형성된 형태의 작업전극을 포함하는 전기 화학 전지를 전압 인가 장치 또는 전류 인가 장치에 연결하여 전착 회로를 구성하는 회로 구성 단계와, 상기 전압 인가 장치 또는 전류 인가 장치를 이용하여 상기 작업전극에 환원 전압 또는 전류를 인가하고, 상기 특정 패턴이 패터닝된 전극의 형상에 따라 상기 전극 상의 일부 영역에만 박막이 선택적으로 전착되는 박막 형성 단계를 포함하는 화합물 박막 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한 본 발명에 따르면, 투광형 박막 태양 전지 제조를 목적으로 패터닝된 전극의 측면 또는 절단면의 노출로 인해 발생하는 션트(shunt) 및 재결합 손실을 방지하기 위해, 패터닝된 전극의 측면 또는 절단면 위에 산화물 기반 재결합 방지막(또는 패시베이션 막)을 포함하는 투광형 화합물 박막을 제조하는 방법을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2021107221A1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：PCT/KR2019/016722
申请日：2019-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 CIS 계 박막에 있어서, CIS계 박막 내부에 황의 도핑 농도가 0.1 내지 4 at%가 되도록 함으로써, 미세구조, 결정성 및 밴드갭의 변화는 일으키지 않으면서도, 황 첨가에 의한 결함화학적 셀레늄 빈자리 결함 패시베이션이 가능한 고품위의 CIS 계 박막을 제공할 수 있다. 상기의 박막을 활용하여 광전압 및 충진율이 개선되어 광전 성능이 향상된 CIS 계 태양 전지를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102091566B1
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：KR1020180094927
申请日：2018-08-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/0216
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