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公开(公告)号：KR1020050048172A
公开(公告)日：2005-05-24
申请号：KR1020030082025
申请日：2003-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01G11/28 , H01G9/016 , H01G9/155 , H01G11/36 , H01G11/46 , H01G11/86 , Y02E60/13 , C01B32/05
Abstract: 본 발명은 탄소나노물질과 나노크기의 금속산화물이 조합된 전기화학 캐패시터용 전극의 제조방법에 관한 것으로서, 집전체 표면을 수소와 탄화수소의 혼합기체와 접촉시켜 집전체 위에 탄소나노물질을 화학증착시키고, 이 탄소나노물질에 나노크기의 금속산화물을 분산 담지시키는, 본 발명의 방법에 의하면, 낮은 저항 및 높은 캐패시턴스 값을 갖는 전기화학 캐패시터용 전극을 제조할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040055958A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：KR1020020082449
申请日：2002-12-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G11/36
Abstract: PURPOSE: A method is provided to effectively use the surface area of a carbon nano material and reduce the internal resistance of an electrode by permitting the carbon nano material to directly grow on the surface of a current collector. CONSTITUTION: A method is characterized in that a current collector contacts the mixture of a hydrogen and a carbon containing gas and a carbon nano material is deposited on the surface of the current collector. The deposition process is performed in the temperature of 400 to 1200 Deg.C for 1 to 60 minutes. The carbon nano material is selected from a carbon nanotube, a carbon nanofiber, and an amorphous carbon.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使碳纳米材料在集电体的表面上直接生长来有效地利用碳纳米材料的表面积并降低电极内阻的方法。 构成：一种方法的特征在于集流体与氢气和含碳气体的混合物接触，并且碳纳米材料沉积在集电器的表面上。 沉积工艺在400至1200℃的温度下进行1至60分钟。 碳纳米材料选自碳纳米管，碳纳米纤维和无定形碳。
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公开(公告)号：KR1020130042719A
公开(公告)日：2013-04-29
申请号：KR1020110106765
申请日：2011-10-19
Abstract: PURPOSE: A metalizing device including a linear evaporating source is provided to minimized residues by compensating temperature differences generated in moving processes of vaporized material at a final step. CONSTITUTION: A metalizing device including a linear evaporating source comprises a source storing unit, a source supplying unit, and a linear evaporation source. A source is stored in the source storing unit. The source supplying unit supplies the source. The linear evaporation source vaporizes the source and metalizes the source to a substrate after converting the source into an evaporation source.
Abstract translation: 目的：提供一种包括线性蒸发源的金属化装置，通过补偿在最终步骤中汽化材料的移动过程中产生的温度差异来最小化残留物。 构成：包括线性蒸发源的金属化装置包括源储存单元，源供应单元和线性蒸发源。 源存储在源存储单元中。 源供应单元提供源。 在将源转换成蒸发源之后，线性蒸发源蒸发源并将源金属化成衬底。
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公开(公告)号：KR101371596B1
公开(公告)日：2014-03-07
申请号：KR1020110106765
申请日：2011-10-19
Abstract: 본 발명은 선형 증발원이 구비된 증착 장치에 관한 것으로서, 소스가 저장된 소스 저장부, 소스 저장부에 저장된 소스를 공급하는 소스 공급부 및 소스 공급부에서 공급되는 소스를 증기화시켜, 증기화소스로 변환하여 기판에 증착시키는 선형 증발원을 포함하되, 선형 증발원은 원기둥 구조로 이루어져, 길이방향을 따라 골이 형성되고, 골의 양측 내주면 상단이 단차져서 형성된 슬라이딩 홈을 구비한 전도성 앰폴, 다수의 기공이 형성되어 있고, 길이방향 양측변이 슬라이딩 홈에 삽입되는 멤브레인, 원통형 구조로 이루어져, 내주면과 전도성 앰폴의 외주면이 이격되게 전도성 앰폴을 수용한 비전도성 쉴드, 비전도성 쉴드의 길이방향을 따라 내주면에서 외주면으로 돌출되어 형성된 핫립 및 비전도성 쉴드 외주면에 권취된 유도코일을 포함하여, 핫� �을 통해 분사되는 증기화물질이 기판에 선형적이고 균일하게 증착될 수 있도록 한다.
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公开(公告)号：KR100599874B1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020030082025
申请日：2003-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01G11/28 , H01G9/016 , H01G9/155 , H01G11/36 , H01G11/46 , H01G11/86 , Y02E60/13
Abstract: 본 발명은 탄소나노물질과 나노크기의 금속산화물이 조합된 전기화학 캐패시터용 전극의 제조방법에 관한 것으로서, 집전체 표면을 수소와 탄화수소의 혼합기체와 접촉시켜 집전체 위에 탄소나노물질을 화학증착시키고, 이 탄소나노물질에 나노크기의 금속산화물을 분산 담지시키는, 본 발명의 방법에 의하면, 낮은 저항 및 높은 캐패시턴스 값을 갖는 전기화학 캐패시터용 전극을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100511163B1
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：KR1020020082449
申请日：2002-12-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G11/36
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 본 발명은 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD) 방법을 이용하여 집전체 표면에 탄소나노물질을 직접 성장시켜 유체 통과형 축전기(flow through capacitor; FTC) 전극을 제조하는 방법에 관한 것으로, 탄소함유기체와 수소와의 혼합물을 집전체에 접촉시키면서 400 내지 1200℃의 온도 범위에서 상기 집전체 표면에 탄소나노물질을 증착시키는 것을 포함하는 본 발명에 따른 탄소나노물질 FTC 전극의 제조법에 의하면, 바인더를 이용하여 탄소나노물질을 부착시켜 제조된 종래의 FTC 전극에 비해 탄소나노물질의 표면적을 효율적으로 사용할 수 있어 전기저항을 감소시킬 수 있고, 60 F/g 이상의 높은 캐패시턴스 값을 갖는 전극을 제조할 수 있다.
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