화학기상증착법에 의한 탄소나노물질 유체 통과형 축전기전극의 제조방법
    1.
    发明公开
    화학기상증착법에 의한 탄소나노물질 유체 통과형 축전기전극의 제조방법 失效
    通过化学气相沉积制造电容器电极的碳纳米材料流动方法

    公开(公告)号:KR1020040055958A

    公开(公告)日:2004-06-30

    申请号:KR1020020082449

    申请日:2002-12-23

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/68

    Abstract: PURPOSE: A method is provided to effectively use the surface area of a carbon nano material and reduce the internal resistance of an electrode by permitting the carbon nano material to directly grow on the surface of a current collector. CONSTITUTION: A method is characterized in that a current collector contacts the mixture of a hydrogen and a carbon containing gas and a carbon nano material is deposited on the surface of the current collector. The deposition process is performed in the temperature of 400 to 1200 Deg.C for 1 to 60 minutes. The carbon nano material is selected from a carbon nanotube, a carbon nanofiber, and an amorphous carbon.

    Abstract translation: 目的:提供一种通过使碳纳米材料在集电体的表面上直接生长来有效地利用碳纳米材料的表面积并降低电极内阻的方法。 构成:一种方法的特征在于集流体与氢气和含碳气体的混合物接触,并且碳纳米材料沉积在集电器的表面上。 沉积工艺在400至1200℃的温度下进行1至60分钟。 碳纳米材料选自碳纳米管,碳纳米纤维和无定形碳。

    화학기상증착법에 의한 탄소나노물질 유체 통과형 축전기전극의 제조방법
    2.
    发明授权
    화학기상증착법에 의한 탄소나노물질 유체 통과형 축전기전극의 제조방법 失效
    制备碳纳米材料电极的方法,用于通过化学气相沉积生产流过电容器的流体

    公开(公告)号:KR100511163B1

    公开(公告)日:2005-08-31

    申请号:KR1020020082449

    申请日:2002-12-23

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 본 발명은 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD) 방법을 이용하여 집전체 표면에 탄소나노물질을 직접 성장시켜 유체 통과형 축전기(flow through capacitor; FTC) 전극을 제조하는 방법에 관한 것으로, 탄소함유기체와 수소와의 혼합물을 집전체에 접촉시키면서 400 내지 1200℃의 온도 범위에서 상기 집전체 표면에 탄소나노물질을 증착시키는 것을 포함하는 본 발명에 따른 탄소나노물질 FTC 전극의 제조법에 의하면, 바인더를 이용하여 탄소나노물질을 부착시켜 제조된 종래의 FTC 전극에 비해 탄소나노물질의 표면적을 효율적으로 사용할 수 있어 전기저항을 감소시킬 수 있고, 60 F/g 이상의 높은 캐패시턴스 값을 갖는 전극을 제조할 수 있다.

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