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公开(公告)号：KR1019970030411A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950039872
申请日：1995-11-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 레이저 유도(induced) 건식 에칭 방법에 사용되는 에칭 가스로, 종래의 CFC 대신 CHCIF
2 및 C
2 H
2 F
4 가스를 이용한 레어저 유도 건식 에칭 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에서는 CFC 대신 염소기가 상대적으로 적은 CHCIF
2 및 C
2 H
2 F
4 을 사용함으로써, 오존층 파괴와 같은 환경 오염을 방지할 수 있다.
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