公开(公告)号：KR100121333B1

公开(公告)日：1997-08-26

申请号：KR1019940009004

申请日：1994-04-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김성일 ,  김용

IPC: H05B3/20

公开(公告)号：KR1019970030411A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950039872

申请日：1995-11-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  이천

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 레이저 유도(induced) 건식 에칭 방법에 사용되는 에칭 가스로, 종래의 CFC 대신 CHCIF
2 및 C
2 H
2 F
4 가스를 이용한 레어저 유도 건식 에칭 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에서는 CFC 대신 염소기가 상대적으로 적은 CHCIF
2 및 C
2 H
2 F
4 을 사용함으로써, 오존층 파괴와 같은 환경 오염을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100085920B1

公开(公告)日：1995-06-19

申请号：KR1019910011523

申请日：1991-07-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김용 ,  김무성

IPC: H01L21/205

公开(公告)号：KR100178303B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019950037594

申请日：1995-10-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김성일

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  Y10S117/913

Abstract: A semiconductor device epitaxial layer lateral growth rate control method using CBr4 gas involves regulating an epitaxial layer lateral growth rate in accordance with the CBr4 amount doped into the epitaxial layer during the epitaxial layer growth occurring on a patterned GaAs substrate by means of a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process. The lateral growth rate may be regulated by varying the growth temperature and the V/III doping ratio.

公开(公告)号：KR1019950030735A

公开(公告)日：1995-11-24

申请号：KR1019940009004

申请日：1994-04-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김성일 ,  김용

IPC: H05B3/20

Abstract: 본 발명은 화학증착(Chemical Vapor Deposition)장치의 가판가열을 위한 히터구조에 관한 것이다. 본 발명의 화학증착 장치용 히터는 언판상의 히터 판위에 평면상으로 절곡 형성된 몰리브덴 재질의 히터선이 지지되고 히터판의 아래쪽과 측면부에는 히터선으로부터 발생된 열의 방출을 방지하기 위한 방열판이 설치된 구성으로 이루어져있다. 본 발명의 히터구조는 히터 선이 와이어 형태이므로 그 모양과 크기를 임의호 변화시킬 수 있고 대부분의 가스에 대해서도 안정적일 뿐 아니라 제작비용이 싸다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1019930003245A

公开(公告)日：1993-02-23

申请号：KR1019910011523

申请日：1991-07-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김용 ,  김무성

IPC: H01L21/205

公开(公告)号：KR1019970022176A

公开(公告)日：1997-05-28

申请号：KR1019950037594

申请日：1995-10-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김성일

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 CBr
4 개스를 이용한 반도체 패턴 각면의 에퍼섬장율 조절방법에 관한 것으로, 패터닝된 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착(MOCVD)법에 의해 에퍼층을 성장시킬 때 CBr
4 개스를 유입시키므로써 상기 CBr
4 유입량에 따라 에피층 패턴의 측면 성장율을 조절할 수 있을 뿐 아니라 이로 인해 소자의 평탄화를 기할수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019960035783A

公开(公告)日：1996-10-28

申请号：KR1019950004793

申请日：1995-03-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김용

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법에 관한 것으로, 패터닝(patterning)된 GaAs 기판 위에 유기금속화학중착(MOCVD)법에 의해 에피층을 성장할때 CCl
4 를 도핑(doping)하므로써, 1)상기 CCl
4 유입량에 따라 에피층의 측면 성장율을 조절할 수 있으며 2) 이를 이용하여 양자세선을 제조할 수 있을 뿐 아니라 상기 양자세선은 ① 평면의 양자우물 두께에 비하여 양자세선의 두께가 현격한 차이를 타나내므로 광여기발광파장(photoluminescence) 또한 큰 차이를 가지게 되어 양자세선의 광학적 성질을 양자우물과 독립적으로 연구할 수 있고, ② 양자세선과 양자우물의 광여기 발광 강도비(I
QWR /I
QWL )는 여기된 지역의 양자세선과 양자우물의 부피비(V
QWR /V
QWL )에 비례하는데 본 발명에 의해 제조된 양자세선의 경우는 부피비가 최소 5배이상 향상되므로 광여 발광 강도비 또한 크게 향상될 수 있으며(여기서 I
QWR 및 I
QWL 는 양자세선의 발광강도 및 양자우물의 발광강도를 나타내며, V
QWR 및 V
QWL 는 양자세선의 부피비 및 양자우물의 부피비를 나타낸다), ③양자우물의 두께를 아주 얇게 하여도 양자세선의 두께를 충분히 두껍게 할 수 있으므로 IILD(impurity induced layer disordering) 기법으로 상기 양자우물을 없애버릴 경우 완전히 고립된 가장 이상적인 형태의 양자세선을 제작할 수 있다는 강점을 지녀 고신뢰성의 반도에 소자를 구현할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100162865B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950004793

申请日：1995-03-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김용

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/42

Abstract: An improved epitaxial growth rate varying method for a side surface of a semiconductor pattern capable of controlling a growth rate of a side surface of a semiconductor pattern by controlling the amount of CCl4 gas supplied when forming an epitaxial layer on a patterned GaAs substrate in a metalorganic chemical deposition method, thus fabricating a desired quantum wire, and which is characterized by controlling a side-surface growth rate of an epitaxial layer in accordance with the CCl4 doping gas flow rate while an epitaxial layer is formed on a patterned GaAs substrate in a metalorganic chemical deposition method and in achieving a desired substantial flatness.

公开(公告)号：KR100130610B1

公开(公告)日：1998-04-06

申请号：KR1019940017508

申请日：1994-07-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김용 ,  이민석

IPC: H01L21/302

Abstract: The quantum fine line manufacturing method is comprised of the step of (a) growing AlGaAs layer(20) on a GaAs substrate(10), then forming a photoresist mask(30) for digging a V-groove in [011 direction on the AlGaAs layer(20) by means of the photolithography, the step of (b) etching with etching solution which has volume ratio of H2SO4:H2O2:H2O=1:2:40 to form the V-groove, the step of (c) growing a plurality of GaAs(50) and AlGaAa(40) layers by means of the epitaxial growth method on the substrate where the V-groove is formed to form the quantum fine line(QWRs) in the center of the V-groove. Here, a side quantum well(side-MQWL) is formed in both sides of the quantum fine line simultaneously and a top quantum well(top-MQWL) is formed in the outside of the V-groove simultaneously.

Abstract translation: 量子细线制造方法包括以下步骤：（a）在GaAs衬底（10）上生长AlGaAs层（20），然后在AlGaAs的[011方向上形成用于挖掘V形槽的光致抗蚀剂掩模（30） （20），步骤（b）用H 2 SO 4 :H 2 O 2 :H 2 O = 1:2:40的体积比的蚀刻溶液蚀刻以形成V形槽，（c）生长步骤 通过外延生长法在多个GaAs（50）和AlGaAa（40）层上形成量子微细线（QWR）的衬底上形成V形槽，其中V型槽的中心。 这里，同时在量子微细线的两侧形成侧面量子阱（侧面MQWL），同时在V形槽的外侧形成顶部量子阱（顶部MQWL）。