公开(公告)号：WO2019054555A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：PCT/KR2017/012212

申请日：2017-11-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이도권 ,  김인호 ,  김원목 ,  박종극 ,  이택성 ,  정두석 ,  이현승 ,  정증현

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02601 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31116 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법과, 이 방법에 의해 제조된 반도체 기판, 그리고, 이러한 반도체 기판을 포함하는 태양 전지를 개시하고 있다. 본 발명의 일실시예는, 반도체 기판 상에 금속 나노 입자를 형성하는 금속 나노 입자 형성 단계와, 상기 반도체 기판을 에칭하는 제1 식각 단계와, 상기 금속 나노 입자를 제거하는 금속 나노 입자 제거 단계, 그리고, 상기 제1 식각 단계에서 에칭된 반도체 기판을 에칭하여 나노 구조체를 형성하는 제2 식각 단계를 포함하는 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101919487B1

公开(公告)日：2018-11-19

申请号：KR1020170117578

申请日：2017-09-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이도권 ,  김인호 ,  김원목 ,  박종극 ,  이택성 ,  정두석 ,  이현승 ,  정증현

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은반도체기판을텍스쳐링하는방법과, 이방법에의해제조된반도체기판, 그리고, 이러한반도체기판을포함하는태양전지를개시하고있다. 본발명의일실시예는, 반도체기판상에금속나노입자를형성하는금속나노입자형성단계와, 상기반도체기판을에칭하는제1 식각단계와, 상기금속나노입자를제거하는금속나노입자제거단계, 그리고, 상기제1 식각단계에서에칭된반도체기판을에칭하여나노구조체를형성하는제2 식각단계를포함하는반도체기판을텍스쳐링하는방법을제공한다.

公开(公告)号：KR101934569B1

公开(公告)日：2019-01-02

申请号：KR1020170126389

申请日：2017-09-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인호 ,  김준곤 ,  송종한 ,  김원목 ,  이택성 ,  정두석 ,  박종극 ,  이도권 ,  이현승

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0376