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公开(公告)号：KR102236190B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020200071568A
申请日：2020-06-12
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/448 , H01L51/0001 , H01L51/0097
Abstract: 본 발명은 고분자기판의 양면 상에 SiN
x , SiO
x N
y , SiO
x 가 순차적으로 적층된 3중층 구조의 박막을 2회 반복 적층시키고, SiN
x 와 SiO
x 의 계면에 형성되는 SiO
x N
y 의 물리적 특성을 강화시킴으로써 2x10
-6 g/m
2 /day 이하의 매우 우수한 수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)를 갖는 유기광전자소자의 봉지필름 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기광전자소자의 봉지필름은 플렉서블 기판; 및 상기 플렉서블 기판의 양면 각각에 형성된 3중층 구조의 박막 적층체;를 포함하여 이루어지며, 상기 3중층 구조의 박막 적층체는 SiN
x 박막, SiO
x N
y 박막, SiO
x 박막이 순차적으로 적층된 형태이며, 상기 3중층 구조의 박막 적층체가 상기 플렉서블 기판의 양면 각각에 2번 반복하여 적층되며, 첫번째 박막 적층체의 SiO
x 박막과 두번째 박막 적층체의 SiN
x 박막 사이에 SiO
x N
y 박막이 더 구비되며, 봉지필름의 수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)가 2x10
-6 g/m
2 /day 이하인 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR102236190B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020200071568
申请日：2020-06-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은고분자기판의양면상에 SiNx, SiOxNy, SiOx가순차적으로적층된 3중층구조의박막을 2회반복적층시키고, SiNx와 SiOx의계면에형성되는 SiOxNy의물리적특성을강화시킴으로써 2x10-6g/m2/day 이하의매우우수한수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)를갖는유기광전자소자의봉지필름및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른유기광전자소자의봉지필름은플렉서블기판; 및상기플렉서블기판의양면각각에형성된 3중층구조의박막적층체;를포함하여이루어지며, 상기 3중층구조의박막적층체는 SiNx 박막, SiOxNy 박막, SiOx 박막이순차적으로적층된형태이며, 상기 3중층구조의박막적층체가상기플렉서블기판의양면각각에 2번반복하여적층되며, 첫번째박막적층체의 SiOx 박막과두번째박막적층체의 SiNx 박막사이에 SiOxNy 박막이더 구비되며, 봉지필름의수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)가 2x10-6g/m2/day 이하인것을특징으로한다.
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