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公开(公告)号：KR1020060104493A
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020050026711
申请日：2005-03-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11C11/161 , B82Y25/00 , G11C5/02 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 본 발명은 수직 전류 인가(Current Perpendicular to Plane : CPP) 방식의 나노 크기 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 나노 크기의 메모리 소자의 셀 제작시, 건식 식각을 사용하는 대신, 습식 식각을 사용하여 나노 크기의 안정적인 셀을 형성하는데 특징이 있다. 본 발명에서는 특히 열산화 처리된 기판의 열산화막을 일부 식각하고 그 위에 하부 전극을 형성함으로써 절연막의 두께를 줄일 수 있고 또한 습식 식각 시간을 감소시킨다. 따라서, 전자빔 리지스트의 손상이 감소되고, 하부 전극의 접착력이 증가할 뿐만 아니라 하부 전극을 평탄하게 하여 안정적으로 나노 크기의 셀을 증착할 수 있다.
자기저항, 수직 전류 인가, 열산화막 식각, 습식 식각-
公开(公告)号：KR100663881B1
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050026711
申请日：2005-03-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 수직 전류 인가(Current Perpendicular to Plane : CPP) 방식의 나노 크기 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 나노 크기의 메모리 소자의 셀 제작시, 건식 식각을 사용하는 대신, 습식 식각을 사용하여 나노 크기의 안정적인 셀을 형성하는데 특징이 있다. 본 발명에서는 특히 열산화 처리된 기판의 열산화막을 일부 식각하고 그 위에 하부 전극을 형성함으로써 절연막의 두께를 줄일 수 있고 또한 습식 식각 시간을 감소시킨다. 따라서, 전자빔 리지스트의 손상이 감소되고, 하부 전극의 접착력이 증가할 뿐만 아니라 하부 전극을 평탄하게 하여 안정적으로 나노 크기의 셀을 증착할 수 있다.
자기저항, 수직 전류 인가, 열산화막 식각, 습식 식각
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