公开(公告)号：KR101912455B1

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：KR1020180041621

申请日：2018-04-10

Applicant: (주)아이피아이테크 ,  (주)광장이노텍 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 서동진 ,  양기석 ,  윤영현 ,  최재욱 ,  하정명 ,  제정호 ,  조영수 ,  조연수 ,  정민화 ,  조용석 ,  김성수 ,  이계웅 ,  박호영 ,  이태석

IPC: B32B27/06 ,  B32B27/28 ,  B32B5/18 ,  B32B37/24 ,  C08G73/10

CPC classification number: B32B27/065 ,  B32B5/18 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B37/24 ,  B32B2037/243 ,  B32B2250/40 ,  B32B2266/126 ,  B32B2307/304 ,  B32B2309/02 ,  C08G73/10

Abstract: 폴리이미드표면처리된에어로젤단열재및 그제조방법에대하여개시한다. 본발명에따른에어로젤단열재제조방법은폴리이미드코팅막의원료가되는폴리아믹산용액의점도를 5,000~20,000cps로조절하여폴리아믹산용액의일부가에어로젤단열재모재내로침투되도록하여, 가열을통해형성되는폴리이미드코팅막이에어로젤단열재모재를홀딩하는형태가되도록한다. 이를통해, 단열재제조공정시분진을억제할수 있으며, 사용시및 세탁시에어로젤입자의탈락방지에따른단열성능저하를방지할수 있다.

公开(公告)号：KR101966406B1

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：KR1020180055055

申请日：2018-05-14

Applicant: (주)아이피아이테크 ,  (주)광장이노텍 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 서동진 ,  양기석 ,  윤영현 ,  최재욱 ,  하정명 ,  제정호 ,  조영수 ,  조연수 ,  정민화 ,  조용석 ,  김성수 ,  이계웅 ,  박호영 ,  이태석

IPC: B32B27/06 ,  B32B27/28 ,  B32B27/12 ,  B32B37/10 ,  B32B37/24 ,  B32B38/00 ,  B32B38/16

公开(公告)号：KR1020040013901A

公开(公告)日：2004-02-14

申请号：KR1020020047025

申请日：2002-08-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  조용석 ,  변동진

IPC: H01L21/86

Abstract: PURPOSE: A method for improving quality of a gallium nitride layer is provided to enhance the quality of the gallium nitride layer by performing a nitrogen ion implantation process to change a surface of a sapphire substrate and irradiating the molecular beam. CONSTITUTION: A surface of a sapphire substrate is processed by implanting nitrogen ions into the sapphire substrate in order to change physically and chemically the substrate. A dose of nitrogen ion is 1x10¬15/cm¬2 to 1x10¬17/cm¬2. The injection energy of nitrogen ions is 10 to 100keV. The sapphire substrate includes aluminum. A gallium nitride layer is formed on the sapphire substrate by using a metal organic chemical vapor deposition method or a molecular beam epitaxy method.

Abstract translation: 目的：提供一种提高氮化镓层质量的方法，以通过进行氮离子注入工艺来改变蓝宝石衬底的表面并照射分子束来提高氮化镓层的质量。 构成：通过将氮离子注入到蓝宝石衬底中来处理蓝宝石衬底的表面，以便物理和化学地改变衬底。 氮离子的剂量为1×10 15 / cm 2至1×10 17 / cm 2。 氮离子的注入能量为10至100keV。 蓝宝石衬底包括铝。 通过使用金属有机化学气相沉积法或分子束外延法在蓝宝石衬底上形成氮化镓层。

公开(公告)号：KR100472260B1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020020047025

申请日：2002-08-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  조용석 ,  변동진

IPC: H01L21/86

Abstract: 본 발명은 사파이어 기판에 이온 도즈량 1x10
15 /cm
2 내지 1x10
17 /cm
2 , 주입에너지 10 내지 100 keV 범위의 질소이온을 주입시켜서 사파이어 기판의 표면을 처리하여 물리화학적으로 변화시키는 기판 표면 처리 단계를 포함하여 격자 불일치가 큰 질화갈륨 박막 성장시 발생하는 결함을 최소화하는 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 반도체 박막의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 기판 표면에 질소-이온주입을 하여 기판의 표면 상태를 물리, 화학적으로 변화시킨 후, 유기금속 화학 기상 증착법 또는 분자선 에피탁시법으로 상기 기판 표면에 질화갈륨 박막을 성장시켜 박막의 전위 결함을 줄임으로써 질화갈륨 박막의 품질을 간단하고 재현성 있게 향상시킬 수 있다.