公开(公告)号：KR1020040013901A

公开(公告)日：2004-02-14

申请号：KR1020020047025

申请日：2002-08-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  조용석 ,  변동진

IPC: H01L21/86

Abstract: PURPOSE: A method for improving quality of a gallium nitride layer is provided to enhance the quality of the gallium nitride layer by performing a nitrogen ion implantation process to change a surface of a sapphire substrate and irradiating the molecular beam. CONSTITUTION: A surface of a sapphire substrate is processed by implanting nitrogen ions into the sapphire substrate in order to change physically and chemically the substrate. A dose of nitrogen ion is 1x10¬15/cm¬2 to 1x10¬17/cm¬2. The injection energy of nitrogen ions is 10 to 100keV. The sapphire substrate includes aluminum. A gallium nitride layer is formed on the sapphire substrate by using a metal organic chemical vapor deposition method or a molecular beam epitaxy method.

Abstract translation: 目的：提供一种提高氮化镓层质量的方法，以通过进行氮离子注入工艺来改变蓝宝石衬底的表面并照射分子束来提高氮化镓层的质量。 构成：通过将氮离子注入到蓝宝石衬底中来处理蓝宝石衬底的表面，以便物理和化学地改变衬底。 氮离子的剂量为1×10 15 / cm 2至1×10 17 / cm 2。 氮离子的注入能量为10至100keV。 蓝宝石衬底包括铝。 通过使用金属有机化学气相沉积法或分子束外延法在蓝宝石衬底上形成氮化镓层。

公开(公告)号：KR1020040071501A

公开(公告)日：2004-08-12

申请号：KR1020030007497

申请日：2003-02-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  김재균 ,  변동진

IPC: C30B25/02

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a gallium nitride thin film is provided to control a defect related with oxygen atoms by forming an oxygen-lacking layer on the surface of sapphire substrate through a proper interaction of structurally activated hydrogen and nitrogen. CONSTITUTION: A substrate is prepared which includes oxygen as a constitution atom. Mixture plasma gas of hydrogen and nitrogen is generated. The surface of the substrate is treated by using the plasma gas to physically and chemically transform the surface of the substrate. A gallium nitride thin film is grown on the surface-treated substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种制造氮化镓薄膜的方法，通过结构活化的氢和氮的适当相互作用，在蓝宝石衬底的表面上形成缺氧层来控制与氧原子相关的缺陷。 构成：制备包含氧作为构成原子的底物。 产生氢和氮的混合等离子体气体。 通过使用等离子体气体来处理衬底的表面以物理和化学转化衬底的表面。 在表面处理的基板上生长氮化镓薄膜。

公开(公告)号：KR100287362B1

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：KR1019970061766

申请日：1997-11-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고석근 ,  최원국 ,  금동화 ,  정형진 ,  변동진

IPC: H01J37/00

公开(公告)号：KR100492483B1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：KR1020030007497

申请日：2003-02-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  김재균 ,  변동진

IPC: C30B25/02

Abstract: 본 발명은 표면처리된 기판상의 질화갈륨 박막의 성장에 관한 것으로, 질화갈륨 박막을 격자상수의 값이 13.8% 차이가 나는 사파이어 기판위에 성장함에 있어서 사파이어 기판 표면의 산소농도를 줄임으로써 기판표면상에 성장하게 되는 질화갈륨 박막의 구조적 및 광학적 특성을 향상시키는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 기판표면에 수소와 질소의 혼합된 플라즈마를 이용하여 표면형상의 변화를 유도함과 동시에 물리화학적인 변화를 유도한 후, 유기금속 화학 기상 증착법 혹은 분자선 에피탁시 방법으로 성장되는 질화갈륨 박막의 품질을 간단하게 향상시킬 수 있는 방법을 제공해 준다.

公开(公告)号：KR100472260B1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020020047025

申请日：2002-08-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  조용석 ,  변동진

IPC: H01L21/86

Abstract: 본 발명은 사파이어 기판에 이온 도즈량 1x10
15 /cm
2 내지 1x10
17 /cm
2 , 주입에너지 10 내지 100 keV 범위의 질소이온을 주입시켜서 사파이어 기판의 표면을 처리하여 물리화학적으로 변화시키는 기판 표면 처리 단계를 포함하여 격자 불일치가 큰 질화갈륨 박막 성장시 발생하는 결함을 최소화하는 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 반도체 박막의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 기판 표면에 질소-이온주입을 하여 기판의 표면 상태를 물리, 화학적으로 변화시킨 후, 유기금속 화학 기상 증착법 또는 분자선 에피탁시법으로 상기 기판 표면에 질화갈륨 박막을 성장시켜 박막의 전위 결함을 줄임으로써 질화갈륨 박막의 품질을 간단하고 재현성 있게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990041209A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970061766

申请日：1997-11-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고석근 ,  최원국 ,  금동화 ,  정형진 ,  변동진

IPC: H01J37/00

Abstract: 본 발명은 에너지를 가지는 반응성 이온입자를 기판표면에 조사함으로써, 산화물 기판표면을 질화물로 개질시키는 방법이며, 이렇게 표면개질된 기판에 성장하는 박막의 성질을 변화시킬 수 있으며, 결정성등 그 특성이 뛰어난 박막을 형성할 수 있다. 특별히 예를 들면, 종래의 열처리로 이루어지는 기판처리에 의해서는 고품위 GaN박막을 형성하기에는 Al
2 O
3 기판이 한계를 가지고 있었으나, Al
2 O
3 기판에 본 발명에 의한 이온빔 표면처리를 하여 우선 기판상에 AlN을 형성시키고, 그 위에 GaN을 증착시키므로써 물성이 우수한 고품위 GaN박막을 형성시킬 수 있다.