유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법
    1.
    发明公开
    유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 无效
    有机薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170041542A

    公开(公告)日:2017-04-17

    申请号:KR1020150141104

    申请日:2015-10-07

    Abstract: 기판상에형성된게이트전극; 게이트전극상에형성된게이트절연층; 게이트절연층상에형성된제1 유기활성층; 제1 유기활성층상에형성된제2 유기활성층; 및제2 유기활성층상에일정간격을두고대면되어배치되는소오스전극및 드레인전극을포함하며; 제1 유기활성층은포토크로믹물질및 유기절연물질을포함하고, 제2 유기활성층은유기반도체화합물을포함하는유기박막트랜지스터가제공된다. 해당제1 유기활성층의포토크로믹물질은유기박막트랜지스터의전하저장능력을향상시킬수 있다.

    Abstract translation: 形成在衬底上的栅电极; 形成在栅电极上的栅极绝缘层; 形成在栅极绝缘层上的第一有机活性层; 形成在第一有机活性层上的第二有机活性层; 源电极和漏电极以规则的间隔设置在有机活性层上并且彼此面对; 第一有机活性层包括光致变色材料和有机绝缘材料,并且第二有机活性层包括有机半导体化合物。 第一有机活性层的光致变色材料可以提高有机薄膜晶体管的电荷储存能力。

    자가 응집체를 포함하는 유기 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법
    2.
    发明授权
    자가 응집체를 포함하는 유기 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법 有权
    包括自组装颗粒的有机非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR101653283B1

    公开(公告)日:2016-09-01

    申请号:KR1020150070551

    申请日:2015-05-20

    Abstract: 기판상에형성된하부전극; 하부전극상에형성된활성층; 및활성층상에형성된상부전극을포함하며, 활성층은자가응집물질로이루어진자가응집체및 유기고분자물질을포함하는유기고분자물질층을포함하는유기비휘발성메모리장치가제공된다. 이때, 활성층은자가응집물질및 유기고분자물질만으로도전류-전압특성을나타낼수 있으며, 이에따라이를다양한전자소자에적용할수 있다.

    Abstract translation: 提供一种有机非易失性存储装置,其包括形成在基板上的下电极; 形成在下电极上的有源层; 以及形成在有源层上的上电极。 有源层包括由自组装材料组成的自组装颗粒和包含有机聚合物材料的有机聚合物材料层。 此时,活性层仅通过使用自组装材料和有机聚合物材料来指示电流 - 电压特性。 由此,能够适用于各种电子设备。

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