公开(公告)号：KR100613405B1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：KR1020040024733

申请日：2004-04-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이중기 ,  조병원 ,  우주만 ,  전법주 ,  오인환 ,  임태훈 ,  이준상 ,  최용락

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 전기장 결합형 플라즈마 화학 증착법에 의한 도전성 금속 복합박막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 상온에서 고분자 기질 표면에 전자 사이크로트론 공명 플라즈마에 의해 플라즈마 이온을 형성하고, 상기 형성된 플라즈마 이온 하단에서 유기금속화합물 전구체를 공급함과 동시에 저주파 직류 양·음전압을 인가하여 과응축된 금속이온을 형성하고, 상기 형성된 금속이온이 고분자 기질 표면에 화학 결합에 의해 증착되어 금속 복합막을 형성하는 일련의 단일 시스템을 적용하여, 접착성, 광투과율이 향상되어 플라스틱 태양전지, 액정 구동을 위한 필터 등의 여러 분야에 응용이 가능한 도전성 금속 복합박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
전기장 결합형 플라즈마 화학 증착법, 유기금속화합물 전구체, 도전성 금속 복합박막

公开(公告)号：KR1020030097317A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1020020034635

申请日：2002-06-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이중기 ,  조병원 ,  박달근 ,  우주만 ,  최용락

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A room temperature chemical deposition system combining electron cyclotron resonance(ECR) plasma and a pulse-type direct current(DC) bias is provided to form a metal composite layer at a room temperature by accelerating the ions analyzed by plasma over a substrate while using a high voltage potential difference generated from a DC bias. CONSTITUTION: The substrate(11) on which a sample(12) is mounted is installed in a reaction chamber(1). An ECR apparatus(2) supplies plasma, connected to the reaction chamber. A precursor supply apparatus(3) supplies an organic metal compound ionized by the plasma, connected to the reaction chamber. An induction apparatus induces the ionized metal ions and organic ions to the sample on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供组合电子回旋共振（ECR）等离子体和脉冲型直流（DC）偏压的室温化学沉积系统，以在室温下形成金属复合层，通过加速等离子体在衬底上分析的离子，同时 使用从直流偏压产生的高电压电位差。 构成：安装有样品（12）的基板（11）安装在反应室（1）中。 ECR装置（2）提供连接到反应室的等离子体。 前体供给装置（3）供给与反应室连接的等离子体离子化的有机金属化合物。 感应装置将离子化的金属离子和有机离子诱导到衬底上的样品。

公开(公告)号：KR100481685B1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020020034635

申请日：2002-06-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이중기 ,  조병원 ,  박달근 ,  우주만 ,  최용락

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 ECR 장치를 이용한 화학 증착 시스템에 펄스형 직류 바이어스 발생장치를 결합함으로써 상온 증착을 가능하게 하는 증착 시스템 및 이를 이용한 금속 복합막의 제조 방법에 관한 것으로, 시료가 장착되는 기판을 내설하고 화학 증착이 이루어지는 반응 챔버; 상기 반응 챔버에 연결되어 플라즈마를 발생시켜 공급하는 ECR 장치; 상기 반응 챔버에 연결되어 상기 플라즈마에 의하여 이온화되는 유기금속화합물을 공급하는 전구체 공급 장치; 및 이온화된 금속이온과 유기물 이온을 상기 기판위 시료로 유도하는 유도 장치를 포함하여 구성되는 상온 화학 증착 시스템을 제공한다. 직류 바이어스에서 발생되는 고전압 전위차에 의해 기질 표면 위로 플라즈마에 의하여 분해된 이온을 기질 표면상에서 과포화시킬 수 있기 때문에 실온에서도 금속 복합막의 제조가 가능하며 제조되는 금속막의 조성 및 물성제어가 용이하다.

公开(公告)号：KR100671977B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020050037267

申请日：2005-05-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이중기 ,  조병원 ,  우주만 ,  전법주 ,  이준상 ,  최용락

IPC: C23C16/00

Abstract: 본 발명은 플라스틱 등의 고분자 표면에 금속막을 형성하는 방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 계면결합력이 우수한 전자 싸이크로트론 공명 화학증착법과 증착률이 뛰어난 물리증착법을 결합하여 싸이클 조업에 의한 복합 증착 방법을 제시한다. 이러한 방법에 의하면 계면결합력은 물론이고 생산 속도도 매우 증가된 도전성 금속 복합박막을 얻을 수 있다. 본 발명에 따르면 적절한 싸이클 시간과 스플릿(화학증착과 물리적증착시간비)을 조절하여 최적의 조건을 도출함으로써 형성된 박막의 접착성과 전도성은 물론이고 제조생산성을 크게 향상시킬 수 있다. 본 발명에 따른 방법은 차세대형 구리박(FCCL) 또는 플라스틱 태양전지, 액정 구동을 위한 필터, 비디오 레코딩 테이프, 전자 소자재료, 패키징, 전자기파차폐 등의 여러 분야에 응용이 가능하다.
싸이클조업, 상온 화학 증착법, 물리증착, 도전성 금속 복합박막

公开(公告)号：KR1020060115005A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：KR1020050037267

申请日：2005-05-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이중기 ,  조병원 ,  우주만 ,  전법주 ,  이준상 ,  최용락

IPC: C23C16/00

Abstract: A noble thin film preparation method capable of satisfying adhesive strength and deposition rate at the same time, process conditions capable of optimally controlling surface resistance, corrosion resistance, electromagnetic wave shielding effect, etc. of a metal film formed on the surface of polymer, and a method for preparing a thin film excellent in mass production capability and applicability into various fields are provided. A method of forming a metal film on the polymer surface by cycle operation comprises: an ordinary temperature chemical vapor deposition step of forming high density plasma ions using electron cyclotron resonance, simultaneously supplying a metal precursor and applying a positive or negative DC voltage with low frequency to a lower portion of the plasma ions to form supercondensed metal ions, and depositing the supercondensed metal ions on the surface of a polymer matrix by chemical bonding; and a physical vapor deposition step of performing physical vapor deposition of a metal target on the surface of the polymer matrix by physical activation, wherein the physical vapor deposition step is periodically performed at different time intervals while the chemical vapor deposition is performed.

Abstract translation: 一种能够同时满足粘合强度和沉积速率，能够最佳地控制形成在聚合物表面上的金属膜的表面电阻，耐腐蚀性，电磁波屏蔽效果等的高价薄膜制备方法，以及 提供了一种制备出大量生产能力和适用于各种领域的薄膜的方法。 通过循环操作在聚合物表面上形成金属膜的方法包括：使用电子回旋共振形成高密度等离子体离子的常温化学气相沉积步骤，同时供应金属前体并施加低频的正或负直流电压 到等离子体离子的下部以形成超稠化金属离子，并且通过化学键合将超缩合金属离子沉积在聚合物基质的表面上; 以及通过物理活化在金属靶材表面进行物理气相沉积的物理气相沉积步骤，其中在执行化学气相沉积时，物理气相沉积步骤以不同的时间间隔周期性地进行。

公开(公告)号：KR1020050099582A

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：KR1020040024733

申请日：2004-04-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이중기 ,  조병원 ,  우주만 ,  전법주 ,  오인환 ,  임태훈 ,  이준상 ,  최용락

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 전기장 결합형 플라즈마 화학 증착법에 의한 도전성 금속 복합박막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 상온에서 고분자 기질 표면에 전자 사이크로트론 공명 플라즈마에 의해 플라즈마 이온을 형성하고, 상기 형성된 플라즈마 이온 하단에서 유기금속화합물 전구체를 공급함과 동시에 저주파 직류 양·음전압을 인가하여 과응축된 금속이온을 형성하고, 상기 형성된 금속이온이 고분자 기질 표면에 화학 결합에 의해 증착되어 금속 복합막을 형성하는 일련의 단일 시스템을 적용하여, 접착성, 광투과율이 향상되어 플라스틱 태양전지, 액정 구동을 위한 필터 등의 여러 분야에 응용이 가능한 도전성 금속 복합박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.