公开(公告)号：KR102245866B1

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：KR1020190048707

申请日：2019-04-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김강민 ,  배수강 ,  김태욱 ,  이승기 ,  하욱재 ,  강동진

IPC: C01B32/198 ,  B01J19/12 ,  H01G11/32 ,  H01M4/587

Abstract: 종래산화그래핀의합성방법은공정중 유해물질이발생하고폭발위험이있으며느린산화반응속도등 많은문제점이있었다. 그러나본 명세서의기술은이러한종래합성방법의문제점을해결하며고속으로산화그래핀을합성할수 있는방법을제안한다. 본개시의방법은강산과같은유해물질을배출하지않아산화그래핀생산단계에서유해물질의배출이없어환경오염을근본적으로배제한기술이며, 기존의산화그래핀의합성시간을획기적으로감축하여단위시간당대량의산화그래핀합성을가능하게하였다. 따라서, 본명세서에개시된산화그래핀제조방법은산화그래핀을기반으로하는슈퍼커패시터, 리튬배터리, 연료전지등의에너지저장장치와바이오의약품, 고분자복합소재, 센서와같은분야로의적용이기대된다.