Abstract:
목질계 바이오매스를 가수분해 전처리한 당화액을 준비하는 단계 및 상기 당화액에 전기화학적 제독 방법을 이용하여 독성을 감소시키는 단계를 포함하는, 독성이 감소 또는 제거된 목질계 바이오매스 당화액의 제조방법이 제공된다. 상기 방법은 전처리 과정 중에 생성되는 미생물 생장 및 발효를 저해하는 화합물들의 독성을 효율적으로 제거할 수 있다. 또한 독성 제거 과정 중에 당의 손실과 부가적인 비용을 최소화함으로써 생산효율을 높일 수 있다.
Abstract:
본발명은금속나노입자가망사형나노구조담체내부에담지된수성가스전환반응용촉매, 이의제조방법및 이를이용한수성가스전환반응방법을제공한다. 본발명의수성가스전환반응용촉매에따르면고온의수성가스전환반응수행시금속나노입자의소결이억제되어높은온도에서도안정적으로반응을수행할수 있고, 높은효율로수성가스전환반응을수행할수 있다.
Abstract:
본 발명은 금속 전구체를 지르코니아 기반 담체에 담지시키는 단계를 포함하는 수첨탈산소 반응용 촉매의 제조방법 및 수첨탈산소 반응용 촉매를 함산소 탄화수소 화합물을 포함하는 바이오매스에 가하여 함산소 탄화수소 화합물로부터 탈산소 탄화수소 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 바이오연료의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 높은 활성을 가지는 금속 나노입자 촉매를 제조할 수 있고, 본 발명에 따라 제조된 고활성의 촉매를 이용하여 바이오매스 등에서 유래하는 함산소 화합물로부터 수첨탈산소반응을 통해 저탄소 또는 무탄소 탄화수소 화합물을 생산할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 메탄 산화이량화 반응촉매, 그 제조방법 및 이를 이용한 메탄 산화이량화 반응방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 마그네슘 산화물 및 티타늄 산화물의 혼합물로 구성된 마그네슘-티타늄 혼합산화물 담체 및 상기 담체 내에 담지된 텅스토나트륨 및 망간 산화물을 포함하는 메탄 산화이량화 반응촉매, 그 제조방법 및 이를 이용한 메탄 산화이량화 반응방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 마그네슘 산화물 및 티타늄 산화물의 혼합물을 산화이량화 반응촉매의 담체로 사용함으로써, 마그네슘 산화물 또는 티타늄 산화물이 단독으로 담체로 사용되었을 경우보다 더욱 향상된 촉매 활성 및 C 2 탄화수소 수율을 제공할 수 있으며, 산화물 담체를 물리적 혼합이 아닌 솔-젤 공정을 이용한 화학적 혼합 방법을 이용하여 제조함으로써, 단일 산화물 담체에는 결여된 특수한 결정 구조가 형성된 산화이량화 반응촉매를 제공할 수 있다.
Abstract:
본 발명의 디플루오로메탄의 제조방법은 클로로디플루오로메탄 및 수소를 포함하는 반응혼합물을 이용하여 클로로디플루오로메탄의 수첨탈염소 반응시킨 반응생성혼합물을 제조하는 단계(1), 상기 반응생성혼합물을 초임계유체상을 포함하는 기체상 물질과 액체상 물질로 분리하는 단계(2), 그리고 상기 단계(2)의 상기 액체상 물질로부터 디플루오로메탄을 수득하는 단계(3)를 포함한다. 상기 디플루오로메탄의 제조방법에 의하면, 오존층을 파괴하는 것으로 알려진 클로로디플루오로메탄을 회수하여 디플루오로메탄으로 전환할 수 있고, 반응과정에서 미반응의 수소를 재순환시켜 반응에 적용할 수 있으며, 반응의 경제성 및 효율성도 높일 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A bulk heterojunction inorganic thin film solar cell and a manufacturing method thereof are provided to minimize the moving distance of charges generated in a thin film by implementing a bulk heterojunction between an n-type semiconductor and a p-type semiconductor. CONSTITUTION: A vertical nano structure electrode(107) is arranged on a substrate(106). A dense layer(108) is coated on the arranged vertical nano structure electrode. A p-type semiconductor thin film(110) is arranged between the vertical nano structure electrodes coated with the dense layer. A metal electrode(111) is formed on the p-type semiconductor thin film. An n-type semiconductor buffer layer(109) is formed on the dense layer.