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公开(公告)号：KR100467480B1
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1020020013266
申请日：2002-03-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a high quality nano thin film for an infrared detecting device is provided to perform a low temperature process without an expensive ion apparatus and improve repeatability of a thin film without depositing several tens of thin films by forming a vanadium oxide nano thin film. CONSTITUTION: A sandwich-type nano thin film structure is formed in which vanadium oxide layers(10,30) are used as an upper layer and a lower layer and a metal layer(20) is used as an insertion layer. A heat treatment process is performed in an oxygen atmosphere so that the lower vanadium oxide layer is deoxidized to the metal layer so as to be a mixed phase(40) by oxygen diffusion. The metal layer is oxidized to be a mixed phase by the oxygen diffused from the surface and the lower layer, including a mixed phase of a VO2 and V2O5 phase contributing to a high temperature coefficient of resistance(TCR) value and a V2O3 phase contributing to a low resistance value.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于红外检测装置的高质量纳米薄膜的方法，以在没有昂贵的离子装置的情况下进行低温处理，并且通过形成氧化钒纳米颗粒而不沉积数十个薄膜来提高薄膜的重复性 薄膜。 构成：形成三明治型纳米薄膜结构，其中氧化钒层（10,30）用作上层和下层，金属层（20）用作插入层。 在氧气氛中进行热处理工艺，使得下氧化钒层脱氧成金属层，从而通过氧扩散成为混合相（40）。 通过从表面和下层扩散的氧，金属层被氧化成混合相，包括有助于高电阻温度系数（TCR）值和V 2 O 3相的V 2 O和V 2 O 5相的混合相， 低电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050077899A
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：KR1020040005559
申请日：2004-01-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/09
Abstract: 본 발명은 고감도 특성을 갖는 볼로메타형 비냉각 적외선 감지소자를 위한 볼로메타용 산화물 박막에 관한 것이다.
현재 비냉각 적외선 감지소자의 적외선 감지물질로 사용되는 바나듐 산화물는 TCR값이 -2.0%/℃ 내외이며, 물질 특성상 무수히 많은 중간상의 존재로 인하여 정확한 상 조절과 재현성 달성이 어렵다. 이로 인하여 고가의 이온빔 장치 등이 달린 박막 증착장비를 이용하여 제조되며, 공정온도도 400℃ 이상으로 높은 편이다.
본 발명에 따른 볼로메타용 산화물 박막은 바나듐에 텅스텐이 첨가된 바나듐 텅스텐 산화물(VW-Ox)로서, 300℃의 저온에서 바나듐-텅스텐 금속박막을 산화시켜 텅스텐 조성변화 및 산화시간 변화에 따라 5∼200㏀의 저항 범위내에서 -1.5 내지 -4.1 %/℃의 다양한 TCR값을 갖는 볼로메타용 산화물의 제조가 가능하다. 또한, 본 발명에 의해 고가의 이온빔 장치없이 저가의 박막증착 장비로 저온에서 재현성 있는 박막의 제조가 가능하다. 본 발명의 결과로 100㏀ 이내의 낮은 저항에서 -3%/℃ 이상의 높은 TCR값을 갖는 볼로메타 물질을 재현성 있게 제조할 수 있으며, 고감도를 갖는 비냉각형 적외선 소자의 제조가 가능하다.-
公开(公告)号：KR100658114B1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020040074601
申请日：2004-09-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/09
CPC classification number: G01J5/10 , G01J5/0853
Abstract: 본 발명은 적외선 흡수, 감지, 열적고립구조를 위한 지지층이 일체화된 적외선 흡수 구조를 갖는 비냉각형 적외선 감지소자에 대한 것이다. 비냉각형 적외선 감지소자의 특성을 향상시키기 위해서는 입사되는 적외선을 고효율로 흡수하는 적외선 흡수층이 필수적이다. 본 발명의 일체화된 흡수층을 갖는 적외선 감지소자는 흡수구조에 적외선 감지막, 감지막 보호층, 열적 고립구조를 위한 지지층, 유전체층 등이 포함된 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 이러한 특징으로 인해 기존의 금속/유전체/금속 구조의 흡수층보다 훨씬 작은 열질량으로 고효율의 적외선 흡수가 가능하며 air cavity λ/4 구조보다 공정상의 오류로 인해 생기는 floating 구조의 왜곡에 상관없이 고효율의 적외선 흡수가 가능하다.
적외선 흡수층, 비냉각형 적외선 소자, 실리콘, λ/4-
公开(公告)号：KR100596196B1
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020040005559
申请日：2004-01-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/09
Abstract: 본 발명은 고감도 특성을 갖는 볼로메타형 비냉각 적외선 감지소자를 위한 볼로메타용 산화물 박막에 관한 것이다.
현재 비냉각 적외선 감지소자의 적외선 감지물질로 사용되는 바나듐 산화물는 TCR값이 -2.0%/℃ 내외이며, 물질 특성상 무수히 많은 중간상의 존재로 인하여 정확한 상 조절과 재현성 달성이 어렵다. 이로 인하여 고가의 이온빔 장치 등이 달린 박막 증착장비를 이용하여 제조되며, 공정온도도 400℃ 이상으로 높은 편이다.
본 발명에 따른 볼로메타용 산화물 박막은 바나듐에 텅스텐이 첨가된 바나듐 텅스텐 산화물(VW-Ox)로서, 300℃의 저온에서 바나듐-텅스텐 금속박막을 산화시켜 텅스텐 조성변화 및 산화시간 변화에 따라 5∼200㏀의 저항 범위내에서 -1.5 내지 -4.1 %/℃의 다양한 TCR값을 갖는 볼로메타용 산화물의 제조가 가능하다. 또한, 본 발명에 의해 고가의 이온빔 장치없이 저가의 박막증착 장비로 저온에서 재현성 있는 박막의 제조가 가능하다. 본 발명의 결과로 100㏀ 이내의 낮은 저항에서 -3%/℃ 이상의 높은 TCR값을 갖는 볼로메타 물질을 재현성 있게 제조할 수 있으며, 고감도를 갖는 비냉각형 적외선 소자의 제조가 가능하다.
바나듐, 텅스텐, 볼로메타, 저온 산화법, TCR-
公开(公告)号：KR1020060025787A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：KR1020040074601
申请日：2004-09-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/09
CPC classification number: G01J5/10 , G01J5/0853
Abstract: 본 발명은 적외선 흡수, 감지, 열적고립구조를 위한 지지층이 일체화된 적외선 흡수 구조를 갖는 비냉각형 적외선 감지소자에 대한 것이다. 비냉각형 적외선 감지소자의 특성을 향상시키기 위해서는 입사되는 적외선을 고효율로 흡수하는 적외선 흡수층이 필수적이다. 본 발명의 일체화된 흡수층을 갖는 적외선 감지소자는 흡수구조에 적외선 감지막, 감지막 보호층, 열적 고립구조를 위한 지지층, 유전체층 등이 포함된 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 이러한 특징으로 인해 기존의 금속/유전체/금속 구조의 흡수층보다 훨씬 작은 열질량으로 고효율의 적외선 흡수가 가능하며 air cavity λ/4 구조보다 공정상의 오류로 인해 생기는 floating 구조의 왜곡에 상관없이 고효율의 적외선 흡수가 가능하다.
적외선 흡수층, 비냉각형 적외선 소자, 실리콘, λ/4-
公开(公告)号：KR1020030073616A
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020020013266
申请日：2002-03-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a high quality nano thin film for an infrared detecting device is provided to perform a low temperature process without an expensive ion apparatus and improve repeatability of a thin film without depositing several tens of thin films by forming a vanadium oxide nano thin film. CONSTITUTION: A sandwich-type nano thin film structure is formed in which vanadium oxide layers(10,30) are used as an upper layer and a lower layer and a metal layer(20) is used as an insertion layer. A heat treatment process is performed in an oxygen atmosphere so that the lower vanadium oxide layer is deoxidized to the metal layer so as to be a mixed phase(40) by oxygen diffusion. The metal layer is oxidized to be a mixed phase by the oxygen diffused from the surface and the lower layer, including a mixed phase of a VO2 and V2O5 phase contributing to a high temperature coefficient of resistance(TCR) value and a V2O3 phase contributing to a low resistance value.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于红外检测装置的高质量纳米薄膜的方法，以便在没有昂贵的离子装置的情况下进行低温处理，并且通过形成氧化钒纳米颗粒而不沉积几十个薄膜来提高薄膜的重复性 薄膜。 构成：形成夹层型纳米薄膜结构，其中使用钒氧化物层（10,30）作为上层，下层和金属层（20）用作插入层。 在氧气氛中进行热处理工序，使得下部氧化钒层通过氧气扩散而脱氧化为金属层而成为混合相（40）。 金属层通过从表面和下层扩散的氧被氧化成混合相，包括有助于高温电阻系数（TCR）值的VO2和V2O5相的混合相，以及有助于 低电阻值。
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