公开(公告)号：KR101371088B1

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：KR1020120081953

申请日：2012-07-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변지영 ,  김상훈 ,  황주연 ,  하헌필

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/20

CPC classification number: C23C18/44 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/165 ,  C23C18/32 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/38 ,  Y10T428/31678

Abstract: 본 발명은 유리, 고분자 등 부도체 기판 위에 금속 도전층을 형성하기 위한 무전해도금 (ELD: Electroless deposition)에 관한 발명이다. 본 발명은 아크플라즈마증착(APD: Arc plasma deposition)이나 스퍼터링증착법(sputtering) 등 건식증착법을 사용하여 기판 상에 접착층과 촉매층을 형성하고, 그 위에 무전해도금을 실시하여 금속 박막을 형성할 수 있다. 본 발명에 의하면 무전해도금 공정에서 행하여지던 기존 복잡한 전처리 공정을 획기적으로 줄이고 도금된 금속 박막의 접착력을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140015890A

公开(公告)日：2014-02-07

申请号：KR1020120081953

申请日：2012-07-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변지영 ,  김상훈 ,  황주연 ,  하헌필

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/20

CPC classification number: C23C18/44 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/165 ,  C23C18/32 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/38 ,  Y10T428/31678

Abstract: The present invention relates to an eleectroless deposition (ELD) for forming a metal conductive layer on insulator substrates including glass and polymers. The present invention uses a dry evaporation like arc plasma deposition (APD) or sputtering, for forming adhesive layer and catalyst layer on the substrate and for forming a metal thin film by the ELD. According to the specification of the present invention, complicated preprocesses which are performed in the ELD process, can be remarkably reduced, and the adhesiveness of the plated metal thin film can be increased. [Reference numerals] (AA) Forming adhesive layer on substrate (dry evaporation); (BB) Forming catalyst layer (Dry evaporation); (CC) Electroless plating; (DD) Metal thin film

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在包括玻璃和聚合物的绝缘体基底上形成金属导电层的无电解沉积（ELD）。 本发明使用诸如电弧等离子体沉积（APD）或溅射的干蒸发，用于在基板上形成粘合剂层和催化剂层，并通过ELD形成金属薄膜。 根据本发明的说明书，可以显着地减少在ELD工艺中执行的复杂的预处理，并且可以提高电镀金属薄膜的粘附性。 （标号）（AA）在基材上形成粘合剂层（干蒸发）; （BB）成型催化剂层（干蒸发）; （CC）无电镀; （DD）金属薄膜