公开(公告)号：KR100043192B1

公开(公告)日：1991-07-24

申请号：KR1019880010795

申请日：1988-08-25

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  김충기 ,  고요한

IPC: H01L27/108

公开(公告)号：KR1019910001984B1

公开(公告)日：1991-03-30

申请号：KR1019880010795

申请日：1988-08-25

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  김충기 ,  고요한

IPC: H01L27/108

Abstract: SMART (Selfaligned Merged And Registered Trench) Capacitor for mega DRAM is manufactured by; forming a trench in P--type epitaxial layer (34) grown on the P+-type Si-substrate (35); forming a poly-Si (38) at inner side of trench; forming field oxide (39) on the top of trench; forming a P-wall (43) and source (42)-drain (44) on P-type epitaxial layer; forming a gate oxide (36); forming side walls (49) and gate electrode (30) on the gate oxide; forming a electrode (40) connecting to the source (42) through contact hole of oxide film (41). Specically the poly-Si is deposited by LPCVD method.

Abstract translation: SMART（自对准合并和注册沟槽）大容量DRAM的电容由...制造; 在P +型Si衬底（35）上生长的P型外延层（34）中形成沟槽; 在沟槽的内侧形成多晶硅（38）; 在沟槽顶部形成场氧化物（39）; 在P型外延层上形成P-壁（43）和源极（42） - 引线（44） 形成栅极氧化物（36）; 在栅极氧化物上形成侧壁（49）和栅电极（30）; 通过氧化膜（41）的接触孔形成连接到源极（42）的电极（40）。 特别地，通过LPCVD法沉积多晶硅。

公开(公告)号：KR1019900004016A

公开(公告)日：1990-03-27

申请号：KR1019880010795

申请日：1988-08-25

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  김충기 ,  고요한

IPC: H01L27/108

Abstract: 내용 없음