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公开(公告)号：WO2018080004A1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：PCT/KR2017/009588
申请日：2017-09-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/66 , H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 정방향 바이어스 전류를 이용한 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법이 제공된다. 상기 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법은, 기판, 상기 기판 내에 형성된 소스 및 드레인 영역, 상기 기판 내에, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 연결하도록 형성된 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 상기 소스 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제1 정방향 바이어스(forward bias) 전압을 인가하여 발생하는 제1 정방향 바이어스 전류에 의한 제1 줄열(joule heat)을 이용하거나, 상기 드레인 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제2 정방향 바이어스 전압을 인가하여 발생하는 제2 정방향 바이어스 전류에 의한 제2 줄열을 이용하여, 상기 게이트 절연막에 발생한 손상을 치유한다.
Abstract translation: 提供了一种使用正向偏置电流修复对场效应晶体管的栅极绝缘膜的损伤的方法。 形成在衬底中的源极区和漏极区;形成在衬底中以连接源极区和漏极区的沟道区;形成在沟道区上的栅极绝缘膜; 在场效应晶体管，其包括形成在栅极绝缘膜上的栅极结构，第一焦耳热根据通过施加第一正向偏置产生的第一正向偏置电流（正向偏压）的电压在源极区和所述衬底的所述体之间施加 根据漏区和衬底的主体之间施加第二正向偏置电压产生的第二正向偏置电流（焦耳热）使用，或使用第二焦耳热，在栅极绝缘膜中产生损坏固化
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公开(公告)号：KR101905445B1
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020160051352
申请日：2016-04-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/324 , G02F1/1368 , H01L29/66 , H01L21/02
Abstract: 본발명에따른트랜지스터손상치료방법은, 2개의게이트전극을가지는복수의트랜지스터를포함하는디스플레이장치에서의트랜지스터손상치료방법으로, 상기복수의트랜지스터중 손상된트랜지스터를검출하는단계및 상기손상된트랜지스터의 2개의게이트전극에소정크기의전압을인가해상기손상된트랜지스터에줄열(joule heat)을발생시킴으로써손상을치료하는단계;를포함한다. 이에의하여, 디스플레이의사용중 불균일한소자공정에서야기된디스플레이용트랜지스터의손상치료가가능하므로, 심화된스트레스환경에서소자열화현상을매우짧은시간의전기적신호를이용해용이하게치료할수 있기때문에, 디스플레이의수명을획기적으로개선할수 있다. 아울러, 별도의추가적인회로나공정변경없이도트랜지스터의손상치료가가능하다.
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公开(公告)号：KR1019900004016A
公开(公告)日：1990-03-27
申请号：KR1019880010795
申请日：1988-08-25
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/108
Abstract: 내용 없음
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5.发明授权부유 기판구조를 갖는 MOS 트랜지스터에서 게이트 전압에 의존하는 반전전하층의 길이를 보정하여 정확한 진성 이동도를 추출하는 방법 및 장치 有权基于金属氧化物半导体晶体管的有效反相电荷的导电长度因子提取精确移动的MOS方法及其装置
公开(公告)号：KR101684149B1
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020150099657
申请日：2015-07-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 부유기판구조를갖는 MOS(Metal-Oxide-Semi conductor) 트랜지스터의진성이동도추출방법은게이트영역, 소스영역및 드레인영역을포함하는트랜지스터의게이트전압에따른상기트랜지스터의커패시턴스를측정하는단계; 상기측정된트랜지스터의커패시턴스를이용하여상기트랜지스터의게이트전압에따른채널영역에서의반전전하층의계수를획득하는단계; 상기획득된반전전하층의계수에기초하여상기채널영역에서의진성채널길이-상기게이트전압에의한채널전도성에따라, 상기소스영역및 상기드레인영역사이의채널영역중 커패시턴스가형성되는길이-를계산하는단계; 및상기계산된진성채널길이를이용하여진성이동도를추출하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020076512A
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：KR1020010016404
申请日：2001-03-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01L27/08 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L2223/6622 , H01L2223/6627 , H01L2924/0002 , H01L2924/1903 , H05K3/4092 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A floating 3-D metal device on a semiconductor substrate, a circuit of the same, and a method for fabricating the same are provided to improve capacity of a semiconductor device by reducing a loss of a signal. CONSTITUTION: A substrate(11) is prepared. A 3-D sacrificial mold is formed on the substrate. The 3-D mold has the first space extended from a bottom metal layer(13) of the 3-D sacrificial mold to an upper portion and the second space separated from the bottom metal layer(13) of the 3-D sacrificial mold. The first space and the second space are filled by the third metal layer(21). The 3-D sacrificial mold is removed. The third metal layer(21) of a spiral shape is supported by the first support plates(22). A 3-D spiral inductor(104) is fabricated by installing a bottom ground metal layer(29) on a lower portion.
Abstract translation: 目的：提供半导体衬底上的浮置3-D金属器件及其电路及其制造方法，以通过减少信号的损失来提高半导体器件的容量。 构成：制备基材（11）。 在基板上形成3-D牺牲模具。 3-D模具具有从3-D牺牲模具的底部金属层（13）延伸到上部的第一空间和与3-D牺牲模具的底部金属层（13）分离的第二空间。 第一空间和第二空间由第三金属层（21）填充。 去除3-D牺牲模具。 螺旋形的第三金属层（21）由第一支撑板（22）支撑。 通过在下部安装底部接地金属层（29）来制造3-D螺旋电感器（104）。
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公开(公告)号：KR101838912B1
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：KR1020160129674
申请日：2016-10-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/66 , H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/66954 , H01L27/0222 , H01L27/0285 , H01L29/4232
Abstract: 정방향바이어스전류를이용한전계효과트랜지스터의게이트절연막손상을복구하는방법이제공된다. 상기게이트절연막손상을복구하는방법은, 기판, 상기기판내에형성된소스및 드레인영역, 상기기판내에, 상기소스영역과상기드레인영역을연결하도록형성된채널영역, 상기채널영역상에형성된게이트절연막, 및상기게이트절연막상에형성된게이트구조체를포함하는전계효과트랜지스터에있어서, 상기소스영역과상기기판의바디사이에제1 정방향바이어스(forward bias) 전압을인가하여발생하는제1 정방향바이어스전류에의한제1 줄열(joule heat)을이용하거나, 상기드레인영역과상기기판의바디사이에제2 정방향바이어스전압을인가하여발생하는제2 정방향바이어스전류에의한제2 줄열을이용하여, 상기게이트절연막에발생한손상을치유한다.
Abstract translation: 提供了一种使用正向偏置电流修复场效应晶体管的栅极绝缘膜的损伤的方法。 形成在衬底中的源极区和漏极区;形成在衬底中以连接源极区和漏极区的沟道区;形成在沟道区上的栅极绝缘膜; 在场效应晶体管，包括形成在所述栅极绝缘膜上的栅极结构，第一焦耳热根据通过施加第一正向偏置产生的第一正向偏置电流（正向偏压）的电压在源极区和所述衬底的所述体之间施加 根据漏区和衬底的主体之间施加第二正向偏置电压产生的第二正向偏置电流（焦耳热）使用，或使用第二焦耳热，在栅极绝缘膜中产生损坏固化 的。
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公开(公告)号：KR101765512B1
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：KR1020160013279
申请日：2016-02-03
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01Q1/36 , H01Q21/00 , H01Q21/06 , H01L29/861
Abstract: 본발명에따른플라즈마안테나는, PIN 다이오드구조를가지는플라즈마안테나로서, 비도핑기판; 기판상에형성된 P형영역, N형영역및 그사이에위치한비도핑영역에의하여형성된복수의 PIN 다이오드; P형영역및 N형영역상부에형성된복수의연결선; 복수의 PIN 다이오드간의누설전류를차단하는절연영역; 및복수의연결선중 P형영역으로만이루어진영역또는 N형영역으로만이루어진영역상부에형성된연결선에구비되는패드;를포함하고, P형영역으로만이루어진영역상부의연결선에형성된패드는전압원에연결되고, N형영역으로만이루어진영역상부의연결선에형성된패드는그라운드(GND)에연결된다.
Abstract translation: 根据本发明的等离子体天线是具有PIN二极管结构的等离子体天线，包括：非掺杂基板; 由形成在衬底上的P型区域，位于其间的N型区域和非掺杂区域形成的多个PIN二极管; 形成在P型区域和N型区域上的多条连接线; 隔离区，用于阻止多个PIN二极管之间的漏电流; 和设置在形成于一个区域所作的多条连接线的P型区域euroman的包含区域或N型区域euroman以上的连接线的焊盘;垫包括，和形成在该区域的连接线，上部由euroman P型区域被连接到一个电压源，N 形成在仅由裸片区域构成的区域上方的连接线上的焊盘连接到地（GND）。
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公开(公告)号：KR100764936B1
公开(公告)日：2007-10-09
申请号：KR1020060095298
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: Y02E60/324 , Y02P70/56
Abstract: A micro catalytic combustor is provided to be capable of being formed in an ultra-fine shape by using a silicon reinforcement structure, and to ensure good strength and a simple production process by using a porous silicon structure identical to a reinforcement structure. A micro catalytic combustor acts as a heat source for a fuel cell. The micro catalytic combustor includes: an inlet(220) into which pre-mixed gases are injected; an outlet(230) from which a reaction resultant is discharged; and a combustion room(120) which is formed between the inlet and outlet and has an inner wall surface for supporting a catalyst, wherein the inner wall surface is formed of a porous silicon layer. The micro catalytic combustor is separated into a reinforcement structure(100) on which the combustion room is formed, and a cover structure(200) which covers the combustion room.
Abstract translation: 通过使用硅增强结构，能够形成微细的形状的微型催化燃烧器，通过使用与加强结构相同的多孔硅结构，确保良好的强度和简单的制造工序。 微型催化燃烧器用作燃料电池的热源。 微型催化燃烧器包括：入口（220），其中注入预混合气体; 出口（230），反应产物从该出口排出; 以及燃烧室（120），其形成在所述入口和出口之间并且具有用于支撑催化剂的内壁表面，其中所述内壁表面由多孔硅层形成。 微型催化燃烧器被分离成形成燃烧室的加强结构（100）和覆盖燃烧室的盖结构（200）。
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公开(公告)号：KR100337950B1
公开(公告)日：2002-10-04
申请号：KR1019980037894
申请日：1998-09-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01F41/00
Abstract: 120도 이하의 저온에서 단일의 3차원 구조의 포토레지스트 몰드 패터닝과 단일의 금속 도금을 이용한 간단한 공정에 의해서 높은 집적 회로 호환성과 우수한 생산성 및 저렴한 제조 비용으로 종래의 기술로는 제조가 어려웠던 3차원 구조의 쏠레노이드 인덕터를 모놀리식 방식으로 제조하는 방법이 개시되어 있다. 본 발명의 제 1 실시 예에 따르면, 다중 노광 및 단일 현상법에 의해서 3차원 브릿지 몰드를 형성하고 금속 도금을 실시하여, 도전 포스트를 형성한 도금 금속이 넘침에 의해 상부 도전선을 형성함으로써, 도전 포스트와 상부 도전선이 한 몸체인 금속 브릿지를 단일의 금속 도금 과정에서 얻는다. 본 발명의 제 2 실시 예에 따르면, 포토레지스트로 이루어진 희생층을 사용하여 자성 코어를 내포한 쏠레노이드 인덕터를 제작한다. 본 발명의 제 3 실시 예, 제 4 실시 예 및 제 5 실시 예에 따르면, 제 3 씨앗 금속층 또는 더미 포스트를 도입함으로써 길이의 제한이 없는 금속 브릿지를 형성하여, 결국에는 길이의 제한이 없으면서 공심 또는 자성 코어를 내포하는 쏠레노이드 인덕터를 제조한다.
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