公开(公告)号：KR100053302B1

公开(公告)日：1992-07-24

申请号：KR1019880002303

申请日：1988-03-05

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김충기 ,  고요환

IPC: H01L29/78

公开(公告)号：KR1019920003320B1

公开(公告)日：1992-04-27

申请号：KR1019880002303

申请日：1988-03-05

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김충기 ,  고요환

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66719 ,  H01L29/66712

Abstract: The method for forming a very small n+ type source region by using an oxide film of phosphor silicate glass (PSG) material to prevent the generation of latch-back, comprises the steps of growing an N- epitaxial layer (31) onto an N+ silicon substrate (30) to form a thin gate oxide film layer at a device area to form a gate (34) thereon, injecting Boron ions into the N- epitaxial layer (31) to form a P- body region (32) by heat-treating, forming an N+ region (38), and parallel- connecting the N+ region (38) to the P- body region (32) by using a platinum silicide (39) to form a source (40).

Abstract translation: 通过使用磷灰石玻璃（PSG）材料的氧化物膜来形成非常小的n +型源极区域以防止产生闭锁回路的方法包括以下步骤：将N外延层（31）生长到N + 衬底（30）以在器件区域上形成薄的栅极氧化物膜层，以在其上形成栅极（34），将硼离子注入到N-外延层（31）中，以通过热处理形成P-体区域（32） 处理形成N +区域（38），并且通过使用硅化铂（39）将N +区域（38）并联连接到P-体区域（32）以形成源极（40）。

公开(公告)号：KR1019890015428A

公开(公告)日：1989-10-30

申请号：KR1019880002303

申请日：1988-03-05

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김충기 ,  고요환

IPC: H01L29/78

Abstract: 내용없음