-
公开(公告)号：KR101580270B1
公开(公告)日：2016-01-04
申请号：KR1020140050478
申请日：2014-04-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은발광다이오드및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성되고, 복수개의 3차원구조체를포함하는 3차원구조체층; 및상기 3차원구조체층상에형성된 p-형질화갈륨반도체층을포함하며, 상기복수개의 3차원구조체중 적어도하나는, 원뿔, 다각형뿔, 원기둥, 다각형기둥, 원형의링, 다각형의링, 평평한상부를갖도록잘린형태의원뿔, 다각형뿔, 원형의링 및다각형의링 형태의 3차원구조체중 1종이상을포함하는발광다이오드, 및이의제조방법에관한것이다. 본발명은형광체없이백색표현이가능하고우수한연색성조절및 발광효율을나타낼수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101772317B1
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：KR1020160031054
申请日：2016-03-15
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은, 광소자의국소적전류주입평가방법및 이를이용한평가시스템에관한것으로, 보다구체적으로광소자의발광정보를측정하는단계; 및상기발광정보를이용하여광소자의국소적전류주입분포를평가하는단계; 를포함하고, 상기발광정보는, 전계루미너센스및 광루미너센스인광소자의국소적전류주입평가방법, 이를이용한평가시스템및 광소자의제조방법에관한것이다. 본발명은, 비파괴적으로광소자의국소전류주입을실시간으로분석할수 있고, 광소자의효율과수율을개선시키는데효과적으로적용할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020150143933A
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：KR1020140072117
申请日：2014-06-13
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0062 , H01L33/508
Abstract: 본발명은단일구조체를이용한광대역발광다이오드제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는활성층의두께와함량에따라각기다른영역대의파장으로발광되는단일구조체를이용한광대역발광다이오드제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 형광체를사용하지않고백색을비롯하여원하는파장대역의발광다이오드를제공함으로써형광체제작및 관련공정이필요없으므로큰 공정비용이절감되는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用单一结构制造宽带发光二极管的方法。 更具体地，本发明涉及使用单一结构的宽带发光二极管，其根据有源层的厚度和含量发射不同波长区域中的光。 根据本发明，在不使用荧光物质的情况下，提供了包含白色的期望波长区域的发光二极管，因此不需要荧光物质的制造方法和相关工艺。 因此，本发明具有降低大规模工艺所需的高成本的效果。
-
公开(公告)号：KR1020150135554A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：KR1020140050478
申请日：2014-04-28
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/22 , H01L33/505
Abstract: 본발명은발광다이오드및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성되고, 복수개의 3차원구조체를포함하는 3차원구조체층; 및상기 3차원구조체층상에형성된 p-형질화갈륨반도체층을포함하며, 상기복수개의 3차원구조체중 적어도하나는, 원뿔, 다각형뿔, 원기둥, 다각형기둥, 원형의링, 다각형의링, 평평한상부를갖도록잘린형태의원뿔, 다각형뿔, 원형의링 및다각형의링 형태의 3차원구조체중 1종이상을포함하는발광다이오드, 및이의제조방법에관한것이다. 본발명은형광체없이백색표현이가능하고우수한연색성조절및 발광효율을나타낼수 있다.
Abstract translation: 发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，更具体地，涉及一种发光二极管，包括：基板; 在该基板上形成的n型氮化镓半导体层; 形成在n型氮化镓半导体层的至少一部分上并具有多个三维结构的三维结构层; 以及形成在所述三维结构层上的p型氮化镓半导体层，其中所述三维结构中的至少一个包括锥体，聚吡喃酰胺，圆柱体，多边形柱体中的一个或多个三维结构， 圆环，多边形环，具有平坦顶部的锥形切割，具有平坦顶部的聚酰胺切割，具有平坦顶部的圆形环切割和具有平坦顶部的多边形环切口，以及至 制造发光二极管的方法。 本发明可以显示没有荧光物质的白色，并且具有优异的显色性和发光效率。
-
公开(公告)号：KR1020170141943A
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：KR1020160075008
申请日：2016-06-16
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G01N21/8806 , G01J1/44 , G01J2001/448 , G01N2201/1042
Abstract: 본발명은, 반도체의고속광학검사방법에관한것으로, 보다구체적으로, 시편을여기시키는단계; 상기시편에서발광된빛을스캔하여측정광을획득하는단계; 상기측정광을분광기로전달하는단계; 상기전달된측정광을분광기를이용하여선측정하거나또는면측정하여광학정보를획득하는단계; 및상기광학정보를 CCD(전자결합소자)를이용하여 CCD 이미지를획득하여광학정보를처리하는단계; 를포함하는, 반도체의고속광학검사방법에관한것이다. 본발명은, 기존의반도체소자의광학검사방법에비하여, 검사시간을대폭줄일 수있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体的高速光学检查方法，更具体地说， 扫描试样发出的光线以获得测量光; 将测量光传输至分光镜; 通过使用分光镜对透射的测量光进行线或平面测量来获取光学信息; 并且通过使用CCD（电子耦合装置）获取CCD图像来处理光学信息以处理光学信息; 用于半导体的高速光学检测方法。 产业上的可利用性本发明与现有的半导体装置用光学检查方法相比，能够大幅缩短检查时间。
-
公开(公告)号：KR101861919B1
公开(公告)日：2018-05-28
申请号：KR1020160075008
申请日：2016-06-16
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은, 반도체의고속광학검사방법에관한것으로, 보다구체적으로, 시편을여기시키는단계; 상기시편에서발광된빛을스캔하여측정광을획득하는단계; 상기측정광을분광기로전달하는단계; 상기전달된측정광을분광기를이용하여선측정하거나또는면측정하여광학정보를획득하는단계; 및상기광학정보를 CCD(전자결합소자)를이용하여 CCD 이미지를획득하여광학정보를처리하는단계; 를포함하는, 반도체의고속광학검사방법에관한것이다. 본발명은, 기존의반도체소자의광학검사방법에비하여, 검사시간을대폭줄일 수있다.
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.017 seconds)
