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公开(公告)号：KR100228186B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960072433
申请日：1996-12-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L39/08
Abstract: 본 발명은 큰 임계전류를 가지며 곡면 기판상에 성장된 고온 초전도체 박막과 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 고온 초전도체 물질이 증착되는 기판은 실린더 형상으로 되어 있으며, 상기 실린더형 기판 상에는 완충층이 증착되어 있으며, 상기 완충층 위로는 고온 초전도물질이 막형태로 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막이 제공되며, 또한 상기한 곡면 기판상에 고온 초전도체 박막을 형성하는 방법으로서, 기판을 실린더 형상으로 가공하는 단계, 기판을 회전시키면서 기판위로 완충층을 증착시키는 단계, 상기 완충층 위로는 고온 초전도 물질을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 큰 임계전류를 가지는 고온 초전도체 박막을 평면 기판이 아닌 곡면 기판상에 성장시키므로써 그 응용범위를 더욱 확대시킬수 있으며, 구체적으로는 실린더형 기판 상에 형성된 고온 초전도체 박막을 자기장 차폐장치로 사용할 수 있으며, 고온 초전도체 박막을 실린더형 기판 상에 띠 형상으로 패터닝(patterning) 함으로써 3차원 적인 고온 초전도체 코일 등을 제작할 수 있게 된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100276003B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019980040739
申请日：1998-09-30
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C23C14/562 , C23C16/545 , H01L39/2432
Abstract: 균일도가 뛰어난 고온초전도체 박막을 빠른 증착속도로 띠형 기판 상에 형성시키는 박막 형성장치 및 박막 형성방법에 대해 개시하고 있다. 본 발명은, 띠형 기판을 원통형상의 기판 홀더에 감아서 회전시키며 박막을 증착하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 기판 홀더의 크기를 크게 할 경우 띠형 기판의 길이를 길게 할 수 있고, 기판 전체에서 동시에 증착이 일어나므로 박막의 질이 매우 균일하며, 증착속도도 빠르다는 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020000021588A
公开(公告)日：2000-04-25
申请号：KR1019980040739
申请日：1998-09-30
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C23C14/562 , C23C16/545 , H01L39/2432
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a thin film on a band-type substrate is provided to form a high temperature superconductive thin film having an outstanding uniformity. CONSTITUTION: A method of manufacturing a thin film on a band-type substrate comprises the steps of: establishing an element for mounting a substrate wrapped around with a band-type substrate in a can; eliminating impurities and an oxidation layer formed on the band-type substrate; forming an intermediate layer to prevent the impurities on the band-type substrate from penetrating into a thin film; and coevaporating at least one reaction material through an open portion of the can while rotating the element for mounting a substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种在带状基板上制造薄膜的方法，以形成具有突出均匀性的高温超导薄膜。 构成：在带状基板上制造薄膜的方法包括以下步骤：将用带状基材缠绕的基板安装在罐中; 除去形成在带状基板上的杂质和氧化层; 形成中间层以防止带状基板上的杂质渗透到薄膜中; 并且在旋转用于安装基板的元件的同时，通过罐的开口部分共同蒸发至少一种反应材料。
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公开(公告)号：KR100228185B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019970012669
申请日：1997-04-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L39/24
Abstract: 본 발명은 임계전류(J
C )를 증가시키기 위한 주요 파라메터인 YBCO의 결정성의 향상을 위한 고온 초전도체 성장용 금속기판에 관한 것으로 특히, 제 1 결정방향으로 결정이 성장되어진 과산화티탄스트론늄을 제 1 완충 층으로 사용하고, 그 위에 전도성이 큰 금속이 증착되며, 증착된 금속의 상부에 상기 제 1 결정방향으로 결정을 성장시킨 과산화티탄스트론늄의 제 2 완충 층으로 구성되는 주조를 갖는 것을 특징으로 하며, 상기 완충 층으로 사용되는 과산화티탄스트론늄의 결정 성장 방향은 [001]의 축방향인 고온 초전도체 성장용 금속기판 및 그에 따른 그 제조 방법을 제공하여 고온 초전도체가 C축으로 성장할 수 있도록하기 위한 최적의 완충 층을 갖는 성장기판을 형성하는데 종래의 기술에서 나타냈던 한계점을 해소 할 수 있다는 효과를 얻는다.-
公开(公告)号：KR1019980076123A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970012669
申请日：1997-04-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L39/24
Abstract: 본 발명은 임계전류(J
C )를 증가시키기 위한 주요 파라메터인 YBCO의 결정성의 향상을 위한 고온 초전도체 성장용 금속기판에 관한 것으로 특히, 제 1 결정방향으로 결정이 성장되어진 과산화티탄스트론늄을 제 1 완충 층으로 사용하고, 그 위에 전도성이 큰 금속이 증착되며, 증착된 금속의 상부에 상기 제 1 결정방향으로 결정을 성장시킨 과산화티탄스트론늄의 제 2 완충 층으로 구성되는 주조를 갖는 것을 특징으로 하며, 상기 완충 층으로 사용되는 과산화티탄스트론늄의 결정 성장 방향은 [001]의 축방향인 고온 초전도체 성장용 금속기판 및 그에 따른 그 제조 방법을 제공하여 고온 초전도체가 C축으로 성장할 수 있도록하기 위한 최적의 완충 층을 갖는 성장기판을 형성하는데 종래의 기술에서 나타냈던 한계점을 해소 할 수 있다는 효과를 얻는다.-
公开(公告)号：KR1019980053335A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960072433
申请日：1996-12-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L39/08
Abstract: 본 발명은 큰 임계전류를 가지며 곡면 기판상에 성장된 고온 초전도체 박막과 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 고온 초전도체 물질이 증착되는 기판은 실린더 형상으로 되어 있으며, 상기 실린더형 기판 상에는 완충층이 증착되어 있으며, 상기 완충층 위로는 고온 초전도물질이 막형태로 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막이 제공되며, 또한 상기한 곡면 기판상에 고온 초전도체 박막을 형성하는 방법으로서, 기판을 실린더 형상으로 가공하는 단계, 기판을 회전시키면서 기판위로 완충층을 증착시키는 단계, 상기 완충층 위로는 고온 초전도 물질을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 큰 임계전류를 가지는 고온 초전도체 박막을 평면 기판이 아닌 곡면 기판상에 성장시키므로써 그 응용범위를 더욱 확대시킬수 있으며, 구체적으로는 실린더형 기판 상에 형성된 고온 초전도체 박막을 자기장 차폐장치로 사용할 수 있으며, 고온 초전도체 박막을 실린더형 기판 상에 띠 형상으로 패터닝(patterning) 함으로써 3차원 적인 고온 초전도체 코일 등을 제작할 수 있게 된다.
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