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公开(公告)号：KR100276003B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019980040739
申请日：1998-09-30
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C23C14/562 , C23C16/545 , H01L39/2432
Abstract: 균일도가 뛰어난 고온초전도체 박막을 빠른 증착속도로 띠형 기판 상에 형성시키는 박막 형성장치 및 박막 형성방법에 대해 개시하고 있다. 본 발명은, 띠형 기판을 원통형상의 기판 홀더에 감아서 회전시키며 박막을 증착하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 기판 홀더의 크기를 크게 할 경우 띠형 기판의 길이를 길게 할 수 있고, 기판 전체에서 동시에 증착이 일어나므로 박막의 질이 매우 균일하며, 증착속도도 빠르다는 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020000021588A
公开(公告)日：2000-04-25
申请号：KR1019980040739
申请日：1998-09-30
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C23C14/562 , C23C16/545 , H01L39/2432
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a thin film on a band-type substrate is provided to form a high temperature superconductive thin film having an outstanding uniformity. CONSTITUTION: A method of manufacturing a thin film on a band-type substrate comprises the steps of: establishing an element for mounting a substrate wrapped around with a band-type substrate in a can; eliminating impurities and an oxidation layer formed on the band-type substrate; forming an intermediate layer to prevent the impurities on the band-type substrate from penetrating into a thin film; and coevaporating at least one reaction material through an open portion of the can while rotating the element for mounting a substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种在带状基板上制造薄膜的方法，以形成具有突出均匀性的高温超导薄膜。 构成：在带状基板上制造薄膜的方法包括以下步骤：将用带状基材缠绕的基板安装在罐中; 除去形成在带状基板上的杂质和氧化层; 形成中间层以防止带状基板上的杂质渗透到薄膜中; 并且在旋转用于安装基板的元件的同时，通过罐的开口部分共同蒸发至少一种反应材料。
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公开(公告)号：KR100228185B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019970012669
申请日：1997-04-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L39/24
Abstract: 본 발명은 임계전류(J
C )를 증가시키기 위한 주요 파라메터인 YBCO의 결정성의 향상을 위한 고온 초전도체 성장용 금속기판에 관한 것으로 특히, 제 1 결정방향으로 결정이 성장되어진 과산화티탄스트론늄을 제 1 완충 층으로 사용하고, 그 위에 전도성이 큰 금속이 증착되며, 증착된 금속의 상부에 상기 제 1 결정방향으로 결정을 성장시킨 과산화티탄스트론늄의 제 2 완충 층으로 구성되는 주조를 갖는 것을 특징으로 하며, 상기 완충 층으로 사용되는 과산화티탄스트론늄의 결정 성장 방향은 [001]의 축방향인 고온 초전도체 성장용 금속기판 및 그에 따른 그 제조 방법을 제공하여 고온 초전도체가 C축으로 성장할 수 있도록하기 위한 최적의 완충 층을 갖는 성장기판을 형성하는데 종래의 기술에서 나타냈던 한계점을 해소 할 수 있다는 효과를 얻는다.-
公开(公告)号：KR1019980076123A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970012669
申请日：1997-04-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L39/24
Abstract: 본 발명은 임계전류(J
C )를 증가시키기 위한 주요 파라메터인 YBCO의 결정성의 향상을 위한 고온 초전도체 성장용 금속기판에 관한 것으로 특히, 제 1 결정방향으로 결정이 성장되어진 과산화티탄스트론늄을 제 1 완충 층으로 사용하고, 그 위에 전도성이 큰 금속이 증착되며, 증착된 금속의 상부에 상기 제 1 결정방향으로 결정을 성장시킨 과산화티탄스트론늄의 제 2 완충 층으로 구성되는 주조를 갖는 것을 특징으로 하며, 상기 완충 층으로 사용되는 과산화티탄스트론늄의 결정 성장 방향은 [001]의 축방향인 고온 초전도체 성장용 금속기판 및 그에 따른 그 제조 방법을 제공하여 고온 초전도체가 C축으로 성장할 수 있도록하기 위한 최적의 완충 층을 갖는 성장기판을 형성하는데 종래의 기술에서 나타냈던 한계점을 해소 할 수 있다는 효과를 얻는다.-
公开(公告)号：KR101234870B1
公开(公告)日：2013-02-19
申请号：KR1020110048233
申请日：2011-05-23
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명에 따른 반도체-초전도체 전이 트랜지스터는 기판 상에 존재하는 제1 전극; 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 상기 제1 전극으로부터 상기 제2 전극으로 연장되는 반도체-초전도체 전이층; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 이격된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 반도체-초전도체 전이층 사이에 배치된 강유전체층을 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120130027A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020110048104
申请日：2011-05-20
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a superconductor thin film is provided to shorten a time for depositing superconductor materials and to improve deposition efficiency of superconductor. CONSTITUTION: A substrate placing unit(10) is heated. The tape type substrate(12) is wound around the outer surface of the substrate placing unit. Reactant is evaporated while the substrate placing unit is rotated. The reactant is deposited in the tape type substrate to form a superconductor thin film. The substrate placing unit is wound with the tape type substrate and then an intermediate layer is formed on the tape type substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种制造超导薄膜的方法，以缩短沉积超导材料的时间并提高超导体的沉积效率。 构成：加热衬底放置单元（10）。 带状基板（12）缠绕在基板放置单元的外表面上。 当基板放置单元旋转时，反应物蒸发。 将反应物沉积在带式衬底中以形成超导体薄膜。 将基片放置单元缠绕在带状基片上，然后在带状基片上形成中间层。
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公开(公告)号：KR101055611B1
公开(公告)日：2011-08-09
申请号：KR1020090096320
申请日：2009-10-09
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 테이프 기판의 박막 형성장치에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, 진공 챔버와; 반응가스 공급관이 설치되고 소스가스들이 유입될 수 있도록 개방 영역이 있는 회전 드럼과; 회전 드럼 내측에 설치되며, 가열장치가 설치된 고정 챔버와; 드럼들을 사이에 두고 일측에 형성되는 테이프 기판 공급 바퀴 및 타측에 설치되는 테이프 기판 회수 바퀴가 구비되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 종래의 드럼에 기판을 감아서 회전시키면서 박막을 형성하는 경우와는 달리 바퀴들을 이용하여 테이프 기판을 계속적으로 이송하면서 기판에 박막을 형성하므로 생산성이 향상되고 용이하게 고품질의 박막을 형성할 수 있다.
테이프 기판, 고정 드럼, 회전 드럼, 바퀴, 차동 배기튜브, 가열장치, 반응가스 공급관Abstract translation: 将描述用于带基底的薄膜形成设备。 本发明的设备包括：真空室; 一种旋转滚筒，其中安装有反应气体供应管，并且其中设置有开放区域以便能够引入源气体; 设置在旋转滚筒内部并设有加热装置的固定室; 提供在其一侧形成有鼓之间的带基材供给轮和设置在另一侧的带基材输出轮。 根据本发明，通过旋转在与轮传统的滚筒卷绕的衬底，与形成薄膜，在基片上，从而形成薄膜，同时连续传送所述带基体的高品质的薄膜，以提高生产效率和便利的情况下 它可以形成。
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公开(公告)号：KR100910613B1
公开(公告)日：2009-08-04
申请号：KR1020070022899
申请日：2007-03-08
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L39/2432 , C23C14/562 , H01L39/2422
Abstract: 초전도 테이프 선재의 연속 제조장치에 관해 개시한다. EDDC(Evaporation using Drum in Dual Chamber) 방식은 고온 초전도 테이프 선재를 대량 생산하는 데 필요한 적합한 방식으로 확인되었다. 그러나 이 방법은 한정된 길이의 선재에만 공정을 적용할 수 있다는 것이 단점이다. EDDC 방식을 임의로 긴 선재에 적용하기 위하여 드럼에 두 개의 릴을 장착하여 긴 선재를 감고 풀고 하는 방식으로 공급할 수 있다. 그러나 이때 중요한 문제점은 드럼 위에 나선방식으로 감긴 선재의 이송방식이다. 본 발명은 몇 개의 분리된 무한궤도 벨트를 이용한 것으로서, 이 벨트들이 선재를 싣고 드럼의 축 방향으로 이동함으로써, 선재가 드럼 주위에 연속적 나선감김을 실현하면서 이송되도록 한다.
초전도, 테이프, 선재, EDDC, 무한궤도, 벨트, 홈, 이송, 지지턱부, 연속-
公开(公告)号：KR100390576B1
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010046343
申请日：2001-07-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C14/34
Abstract: PURPOSE: An apparatus for fabricating thin film is provided to solve conventional problems of a bad effect on reaction stability and uniformity deterioration of sputtering rate and thin film composition by manufacturing a compound thin film as preventing mixing of reaction gas with sputtering gas. CONSTITUTION: The apparatus for fabricating thin film comprises a process chamber(100) which is divided into three parts of reaction chamber(114), pumping chamber(112) and sputtering chamber(110) from the left side by vertical partitions(100a), and in which penetration holes are formed on the vertical partitions so that the three parts are actually connected; a reaction gas injection port(114a) that is installed on the reaction chamber to inject a reaction gas into the reaction chamber; a sputtering gas injection port(111a) that is installed on the sputtering chamber to inject a sputtering gas into the sputtering chamber; a gas outlet(112a) that is formed on the pumping chamber to exhaust gases in the reaction chamber and the sputtering chamber to the outside; a substrate support(120) which is installed in the sputtering chamber to support a substrate(122) in such a way that the substrate support is reciprocated side to side from the sputtering chamber to the reaction chamber through the pumping chamber; and a sputtering target support(130) that is installed in the sputtering chamber to support a sputtering target(132), wherein the sputtering target is a metallic target, and the substrate support and the sputtering target support are installed in the sputtering chamber in such a way that they are vertically oppositely directed to each other.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造薄膜的设备，以解决通过制造复合薄膜以防止反应气体与溅射气体混合而对溅射速率和薄膜组合物的反应稳定性和均匀性劣化具有不利影响的传统问题。 本发明的薄膜制造设备包括由垂直隔板（100a）从左侧分成反应室（114），泵室（112）和溅射室（110）三部分的处理室（100） 并且其中在垂直隔板上形成有穿透孔，使得三个部分实际连接; 反应气体注入口（114a），其安装在反应室上以将反应气体注入反应室; 溅射气体注入口（111a），其安装在所述溅射室上以将溅射气体注入所述溅射室; 气体出口（112a），其形成在所述泵室上以将所述反应室和所述溅射室中的气体排出到外部; 衬底支撑件（120），所述衬底支撑件（120）安装在所述溅射室中以支撑衬底（122），使得所述衬底支撑件通过所述增压室从所述溅射室并排地往复运动到所述反应室; 以及安装在所述溅射室中以支撑溅射靶（132）的溅射靶支撑件（130），其中，所述溅射靶是金属靶，并且所述基板支撑件和所述溅射靶支撑件被安装在所述溅射室中 这是一种垂直相反的方式。
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公开(公告)号：KR1020110039049A
公开(公告)日：2011-04-15
申请号：KR1020090096320
申请日：2009-10-09
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: C23C14/0021 , C23C14/505
Abstract: PURPOSE: A tape substrate thin film forming apparatus is provided to improve the productivity by forming the thin film on the substrate while transferring the tape substrate continuously using wheels. CONSTITUTION: A rotary drum(200) is divided into an area where a reaction gas supplying tube(210) is installed on and an open area(220). A bearing(41) for rotation is installed on the rotary drum. A heater(410) is installed on the outside of the lower of a fixed drum(300). A tape substrate(10) is located between the reaction gas supply pipe and the opened area.
Abstract translation: 目的：提供一种胶带基片薄膜形成装置，用于通过在使用轮连续传送带基片的同时在基片上形成薄膜来提高生产率。 构成：将旋转鼓（200）分为安装有反应气体供给管（210）的区域和开放区域（220）。 用于旋转的轴承（41）安装在旋转滚筒上。 加热器（410）安装在固定鼓（300）的下部的外侧。 胶带基板（10）位于反应气体供给管和打开区域之间。
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