公开(公告)号：KR100492280B1

公开(公告)日：2005-05-30

申请号：KR1020030047351

申请日：2003-07-11

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  구연우 ,  남일구

IPC: H01L27/04

Abstract: 본 발명은 표준 3중 웰 CMOS 공정에서 구현된 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터를 이용하는 전압 제어 발진기, 차동 회로, 및 전류 미러 회로에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 전압 제어 발진기는 부성 저항 성분을 생성하기 위한 부성 저항 셀, 제어 전압에 의하여 임피던스를 가변시킴으로써 출력 신호의 주파수를 가변시키는 LC 탱크, 및 일정한 전류를 공급하기 위한 전류 소오스를 포함하되, 전류 소오스는 깊은 n웰을 가지는 표준 3중 웰 CMOS 공정에서 구현되고, 에미터는 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 CMOS 공정의 p웰, p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터로 구현된다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전압 제어 발진기의 부성 저항 셀, 각종 차동 회로의 전류 소오스, 또는 전류 미러 회로의 능동 소자를 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터로 구현함으로써, 전체 회로의 위상 잡음 특성과 1/f 잡음 특성 및 소자간 정합 특성을 개선시키며 동작 전압의 여유(voltage head room)를 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050007755A

公开(公告)日：2005-01-21

申请号：KR1020030047351

申请日：2003-07-11

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이귀로 ,  구연우 ,  남일구

IPC: H01L27/04

Abstract: PURPOSE: A circuit using a vertical bipolar junction transistor as a current source in a standard triple well CMOS process is provided to improve a phase noise characteristic by forming a bias current source of a voltage controlled oscillator with the vertical bipolar junction transistor. CONSTITUTION: A plurality of negative resistance cells(301,305) are used for generating negative resistance elements of a voltage controlled oscillator. An LC tank is connected among the negative resistance cells and a first power supply in order to change a frequency of an output signal by changing an impedance according to a control voltage. A current source is connected among the negative resistance cells and a second power supply in order to supply a constant current. The current source is formed in a standard triple well CMOS process having a deep n well. An emitter is formed by an n+ source-drain diffusion region a CMOS process. A base is formed by a p well and a p+ source-drain diffusion region. A collector is formed by a deep n well, an n well, and an n+ source-drain diffusion region.

Abstract translation: 目的：提供一种在标准三阱CMOS工艺中使用垂直双极结晶体管作为电流源的电路，通过用垂直双极结型晶体管形成压控振荡器的偏置电流源来提高相位噪声特性。 构成：多个负电阻电池（301,305）用于产生压控振荡器的负电阻元件。 在负电阻单元和第一电源之间连接LC箱，以通过根据控制电压改变阻抗来改变输出信号的频率。 电流源连接在负电阻单元和第二电源之间以提供恒定电流。 电流源在具有深n阱的标准三阱CMOS工艺中形成。 发射极由CMOS工艺的n +源极 - 漏极扩散区域形成。 基极由p阱和p +源极 - 漏极扩散区形成。 集电极由深n阱，n阱和n +源极 - 漏极扩散区形成。