公开(公告)号：KR101602942B1

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：KR1020090095268

申请日：2009-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 윤동기 ,  이시용 ,  김경선 ,  최성운 ,  오석환 ,  김상욱 ,  박승학

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 패턴형성방법을제공한다. 이방법에서는, 서로다른표면성질을나타내는제 1 영역과제 2 영역을가지는자기조립유도층상에블록공중합체층을형성하고상분리를시켜, 원기둥형태의제 1 패턴과눕혀진반원기둥형태의제 2 패턴을형성할수 있다. 상기제 1 영역과제 2 영역의선폭은포토리소그라피공정에서구현할수 있는최소의선폭일수 있으며, 상기제 1 패턴과상기제 2 패턴은각각제 1 영역과제 2 영역에서, 각각제 1 영역과제 2 영역의선폭보다작은선폭을가지도록형성될수 있다. 상기제 1 패턴과상기제 2 패턴을식각마스크로이용하여원하는패턴을형성할수 있다. 이로써, 포토리소그라피공정에서구현할수 있는최소의선폭보다작은선폭을가지는미세한패턴을형성할수 있다. 또한라인형태와섬 형태의패턴을동시에형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020110037718A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：KR1020090095268

申请日：2009-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 윤동기 ,  이시용 ,  김경선 ,  최성운 ,  오석환 ,  김상욱 ,  박승학

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/70433

Abstract: PURPOSE: A method of simultaneously forming a pattern of a line type and an island type are provided to form a pattern having a line narrower a minimum width in a photolithographic process by using a copolymers forming a cylinder type domain array. CONSTITUTION: In a method of simultaneously forming a pattern of a line type and an island type, a self-assembly guiding layer(6) including a first region and a second region is formed on a semiconductor substrate(1). A block copolymer layer is coated on the self-assembly guiding layer. A first pattern, a second pattern, and a third pattern are formed by dividing the block copolymer layer. At least one of a first to a third pattern is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种同时形成线型和岛型的图案的方法，以通过使用形成圆柱型畴阵列的共聚物在光刻工艺中形成具有窄最小宽度的线的图案。 构成：在同时形成线型和岛型图案的方法中，在半导体衬底（1）上形成包括第一区域和第二区域的自组装引导层（6）。 嵌段共聚物层涂覆在自组装引导层上。 通过分割嵌段共聚物层形成第一图案，第二图案和第三图案。 去除了第一至第三图案中的至少一个。

公开(公告)号：KR100599405B1

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：KR1020030058526

申请日：2003-08-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  김경선

IPC: C07C245/18

Abstract: 본 발명은 하기 구조식 (I) 또는 (Ⅱ)로 표시되는 다이아조 케토 구조를 함유하는 노르보넨 단량체, 아크릴레이트 단량체 및 메타아크릴레이트 단량체, 상기 단량체를 함유하는 중합체, 상기 중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
구조식(I) 구조식 (Ⅱ)

본 발명에 따른 다이아조 케토 구조를 함유하는 노르보넨 단량체, 아크릴레이트 단량체, 및 메타아크릴레이트 단량체를 이용하여 형성된 중합체는 기존 포토레지스트의 메트릭스 중합체로 사용되는 것들과는 달리 광산발생제의 첨가 없이 단지 빛에 의해 카르복시산이 발생한다. 또한 본 발명의 포토레지스트 중합체는 노광 후 열을 가하는 시간 (post exposure bake)동안 발생하는 T-top 현상, 산의 확산에 의한 문제점, 패턴의 붕괴 등의 문제점들이 발생하지 않는 장점을 지니고 있다. 뿐만 아니라 접착성이 우수하고 범용 현상액인 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 (TMAH) 수용액에 현상이 가능하여 고집적 반도체 소자의 미세회로를 제조할 때 원 자외선 영역의 KrF (248nm)과 ArF (193nm) 광원을 이용한 리소그래피 공정에 매우 유용하게 사용될 수 있다.

다이아조 케토, 포토레지스트

公开(公告)号：KR1020050020511A

公开(公告)日：2005-03-04

申请号：KR1020030058526

申请日：2003-08-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  김경선

IPC: C07C245/18

Abstract: PURPOSE: Provided are polymers prepared by polymerization of norbornene, acrylate and methacrylate monomers. The polymers generate carboxyl acid without addition of photoacid generator. The photoresist polymers not only have advantages of no T-top phenomenon, no problems related with acid diffusion and no pattern disruption during post exposure bake period but also are useful for lithography process using KrF and ArF light source in the far infrared region in preparing microcircuit of highly integrated semiconducting device. CONSTITUTION: The polymer comprises the monomers represented by formula (I), (II), (III), (IV), wherein R1 and R2 are independently C1-4 alkyl, C1-4 alkoxy and phenyl; R3 is hydrogen, C1-20 alkyl, C1-20 alkoxy, phenyl, C1-20 hydroxy alkyl, C1-20 alkoxy alkyl, C6-30 aliphatic cyclic hydrocarbon, C6-30 aliphatic lactone; R4 is independently hydrogen, C1-4 alkyl, C1-4 alkoxy, phenyl; and R5 is independently C1-4 alkylene, C1-4 alkoxy, phenyl or C6-30 aliphatic lactone. The photoresist composition comprises the polymers represented by formula (V), (VI), (VII), (VIII) and (IX), wherein R1 and R2 are independently C1-4 alkyl, C1-4 alkoxy, phenyl; R3 is hydrogen, C1-20 alkyl, C1-20 alkoxy, phenyl, C1-20 hydroxy alkyl, C1-20 alkoxy alkyl, C6-30 aliphatic cyclic hydrocarbon, C6-30 aliphatic lactone; n is degree of polymerization value of 1000; x and y are mole ratio wherein x + y

Abstract translation: 目的：提供通过降冰片烯，丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯单体聚合制备的聚合物。 聚合物生成羧酸而不添加光酸发生剂。 光致抗蚀剂聚合物不仅具有没有T顶现象的优点，与酸扩散有关的问题，在曝光前曝晒期间没有图案破裂，而且在制备微电路的远红外区域中使用KrF和ArF光源的光刻工艺是有用的 的高度集成的半导体器件。 构成：聚合物包含由式（I），（II），（III），（IV）表示的单体，其中R 1和R 2独立地为C 1-4烷基，C 1-4烷氧基和苯基; R3是氢，C1-20烷基，C1-20烷氧基，苯基，C1-20羟基烷基，C1-20烷氧基烷基，C6-30脂肪族环烃，C6-30脂肪族内酯; R4独立地是氢，C1-4烷基，C1-4烷氧基，苯基; 且R 5独立地为C 1-4亚烷基，C 1-4烷氧基，苯基或C 6-30脂肪族内酯。 光致抗蚀剂组合物包含由式（V），（VI），（VII），（VIII）和（IX）表示的聚合物，其中R 1和R 2独立地为C 1-4烷基，C 1-4烷氧基，苯基; R3是氢，C1-20烷基，C1-20烷氧基，苯基，C1-20羟基烷基，C1-20烷氧基烷基，C6-30脂肪族环烃，C6-30脂肪族内酯; n为聚合度值1000; x和y是摩尔比，其中x + y <= 1。