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公开(公告)号:KR101932757B1
公开(公告)日:2018-12-26
申请号:KR1020170050278
申请日:2017-04-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/66
Abstract: 본 발명은 단결정 실리콘 박막에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 단결정 실리콘 박막은 하기 관계식 1을 만족하며 8nm 이하의 두께를 갖는다.
(관계식 1)
관계식 1에서, d
bulk (110)는 벌크 단결정 실리콘의 (110) 면간 거리이며, d
sl (110)은 단결정 실리콘 박막의 (110) 면간 거리-
公开(公告)号:KR102217305B1
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:KR1020190031331
申请日:2019-03-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N27/04 , G01N27/416 , H01L21/28 , H01L21/762
Abstract: 본발명은단결정실리콘기반유연센서및 그제작방법에관한것이다. 본발명의목적은, 단결정실리콘기술을기반으로고성능및 고유연성을동시에만족시킬수 있는, 단결정실리콘기반유연센서및 그제작방법을제공함에있다. 보다구체적으로는, 본발명의목적은, 예를들어곡률반경 1mm 정도의매우가느다란침습용프로브와같은대상물에도원활하게설치되어사용가능할만큼고유연성을가지며, 물성측정신호를고성능증폭회로를통해고민감도로얻어냄에따라압력, 온도, pH 등과같은다양한물성을고성능으로측정해낼 수있는, 단결정실리콘기반유연센서및 그제작방법을제공함에있다.
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公开(公告)号:KR101980272B1
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:KR1020170062830
申请日:2017-05-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/768 , H01L21/762
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公开(公告)号:KR1020180117321A
公开(公告)日:2018-10-29
申请号:KR1020170050278
申请日:2017-04-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/66
Abstract: 본발명은단결정실리콘박막에관한것으로, 상세하게, 본발명에따른단결정실리콘박막은하기관계식 1을만족하며 8nm 이하의두께를갖는다. (관계식 1)관계식 1에서, d(110)는벌크단결정실리콘의 (110) 면간거리이며, d(110)은단결정실리콘박막의 (110) 면간거리
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