公开(公告)号：KR101932761B1

公开(公告)日：2018-12-26

申请号：KR1020170012817

申请日：2017-01-26

Applicant: 한국과학기술원 ,  한국항공대학교산학협력단

Inventor： 조병진 ,  황완식 ,  홍슬기 ,  봉재훈

IPC: H01L21/02 ,  H01L51/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28

Abstract: 그래핀 나노 리본의 제조방법, 그래핀 나노 리본, 반도체 소자의 제조방법, 및 반도체 소자에 관한 것으로, 기판 상에 그래파이트화 금속 촉매 박막을 형성하는 단계; 상기 그래파이트화 금속 촉매 박막 상에 반응억제층을 형성하는 단계; 및 탄소 공급원을 공급하여, 그래핀 나노 리본을 성장시키는 단계;를 포함하는, 그래핀 나노 리본의 제조방법과 신규한 형태의 그래핀 나노 리본, 상기 그래핀 나노 리본의 제조방법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법, 및 소자 특성이 향상된 반도체 소자를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020180088127A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：KR1020170012817

申请日：2017-01-26

Applicant: 한국과학기술원 ,  한국항공대학교산학협력단

Inventor： 조병진 ,  황완식 ,  홍슬기 ,  봉재훈

IPC: H01L21/02 ,  H01L51/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28

Abstract: 그래핀나노리본의제조방법, 그래핀나노리본, 반도체소자의제조방법, 및반도체소자에관한것으로, 기판상에그래파이트화금속촉매박막을형성하는단계; 상기그래파이트화금속촉매박막상에반응억제층을형성하는단계; 및탄소공급원을공급하여, 그래핀나노리본을성장시키는단계;를포함하는, 그래핀나노리본의제조방법과신규한형태의그래핀나노리본, 상기그래핀나노리본의제조방법을이용한반도체소자의제조방법, 및소자특성이향상된반도체소자를제공할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150111668A

公开(公告)日：2015-10-06

申请号：KR1020140035302

申请日：2014-03-26

Applicant: 한국과학기술원 ,  램 리서치 코퍼레이션

Inventor： 조병진 ,  봉재훈 ,  설원제 ,  윤현석알렉산더

IPC: C01B31/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78684 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/228 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696 ,  C01B32/194 ,  C01B2204/22 ,  H01L29/783

Abstract: 본발명은 n-도핑된그래핀및 전기소자의제조방법, 그에의한그래핀및 전기소자에관한것으로서, 구체적으로는불화암모늄(NHF)을이용하여 n-도핑된그래핀및 전기소자를제조하는방법, 그에의한그래핀및 전기소자에관한것이다. 본발명은 (a) 그래핀과불화암모늄(NHF)을준비하는단계; 및 (b) 상기그래핀을상기불화암모늄(NHF)에노출시키는단계를포함하며, 상기 (b) 단계를통하여, 상기그래핀층의상하면의일부또는전부에분포하는불소층이형성되며, 상기그래핀층의상하면또는상기그래핀층을구성하는탄소원자사이의결함(defect)의일부또는전부에암모늄원자단이흡착(physisorption)되는것을특징으로하는 n-도핑된그래핀의제조방법을개시하며, 본발명에의하여, 그래핀을 n-도핑하면서도전하이동도등 그래핀의우수한전기적인특성을유지하거나더욱개선할수 있는 n-도핑된그래핀및 전기소자의제조방법, 그에의한그래핀및 전기소자를구현하는효과를갖는다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造n掺杂石墨烯的方法和电气装置，以及石墨烯及其制造的电气装置。 更具体地说，本发明涉及通过使用氟化铵（NH_4F）和石墨烯以及由此制造的电气装置来制造n掺杂石墨烯的方法和电气装置。 本发明的方法包括以下步骤：（a）制备石墨烯和氟化铵（NH_4F）; 和（b）将石墨烯暴露于氟化铵（NH_4F）。 通过步骤（b），形成分布在石墨烯层的上表面和下表面的一部分或全部的氟层，并且将铵原子团吸附（物理吸附）到石墨烯层的上表面和下表面，或 构成构成石墨烯层的碳原子之间的部分或全部缺陷。 根据本发明，在对n型掺杂石墨烯的同时，可以保持或大大改善石墨烯等电极迁移率等优异的电性能。

公开(公告)号：KR102217305B1

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：KR1020190031331

申请日：2019-03-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조병진 ,  봉재훈 ,  김승윤 ,  김민주

IPC: G01N27/04 ,  G01N27/416 ,  H01L21/28 ,  H01L21/762

Abstract: 본발명은단결정실리콘기반유연센서및 그제작방법에관한것이다. 본발명의목적은, 단결정실리콘기술을기반으로고성능및 고유연성을동시에만족시킬수 있는, 단결정실리콘기반유연센서및 그제작방법을제공함에있다. 보다구체적으로는, 본발명의목적은, 예를들어곡률반경 1mm 정도의매우가느다란침습용프로브와같은대상물에도원활하게설치되어사용가능할만큼고유연성을가지며, 물성측정신호를고성능증폭회로를통해고민감도로얻어냄에따라압력, 온도, pH 등과같은다양한물성을고성능으로측정해낼 수있는, 단결정실리콘기반유연센서및 그제작방법을제공함에있다.

公开(公告)号：KR101989808B1

公开(公告)日：2019-09-30

申请号：KR1020170014956

申请日：2017-02-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조병진 ,  봉재훈

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16

公开(公告)号：KR101687983B1

公开(公告)日：2017-01-02

申请号：KR1020140035302

申请日：2014-03-26

Applicant: 한국과학기술원 ,  램 리서치 코퍼레이션

Inventor： 조병진 ,  봉재훈 ,  설원제 ,  윤현석알렉산더

IPC: C01B31/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78684 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/228 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 본발명은 n-도핑된그래핀및 전기소자의제조방법, 그에의한그래핀및 전기소자에관한것으로서, 구체적으로는불화암모늄(NHF)을이용하여 n-도핑된그래핀및 전기소자를제조하는방법, 그에의한그래핀및 전기소자에관한것이다. 본발명은 (a) 그래핀과불화암모늄(NHF)을준비하는단계; 및 (b) 상기그래핀을상기불화암모늄(NHF)에노출시키는단계를포함하며, 상기 (b) 단계를통하여, 상기그래핀층의상하면의일부또는전부에분포하는불소층이형성되며, 상기그래핀층의상하면또는상기그래핀층을구성하는탄소원자사이의결함(defect)의일부또는전부에암모늄원자단이흡착(physisorption)되는것을특징으로하는 n-도핑된그래핀의제조방법을개시하며, 본발명에의하여, 그래핀을 n-도핑하면서도전하이동도등 그래핀의우수한전기적인특성을유지하거나더욱개선할수 있는 n-도핑된그래핀및 전기소자의제조방법, 그에의한그래핀및 전기소자를구현하는효과를갖는다.

Abstract translation: 本公开内容涉及使用氟化铵（NH 4 F）制造n掺杂石墨烯的方法和由此形成的石墨烯和电气部件的方法。 制造n掺杂石墨烯的示例性方法包括（a）制备石墨烯和氟化铵（NH 4 F）; 和（b）将石墨烯暴露于氟化铵（NH 4 F）中，其中通过（b）在石墨烯层的上表面和下表面的一部分或全部上形成氟层，并将铵离子物理吸附到部分或全部 石墨烯层的上表面和下表面或石墨烯层的碳原子之间的缺陷，由此维持或进一步改善石墨烯的优异的电性能，包括电荷迁移率，同时进行石墨烯的n掺杂。