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公开(公告)号：WO2013022155A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/KR2011/009927
申请日：2011-12-21
CPC classification number: H01L21/02557 , B82Y10/00 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L29/127
Abstract: 본 발명은 양자점의 핵 성장 단계에서 단일 공정으로 실리카 소스 물질을 주 입하는 것을 특징으로 하는 단일공정에 의한 양자점 /실리카 복합체의 제조방법에 관한 것으로， 보다 상세하게는 상기 단일공정은 ( i ) 양자점의 핵 성장에서 양자점 표면에 붙어 있는 alkyl-thiol 리간드를 극성을 가지는 리간드 또는 hydroxide기가 부착된 리간드로 치환하는 단계; 및 ( i i ) 실리카층의 형성에서 alkoxysi lane 또는 si lanol 작용기를 포함하고, 염기성 작용기를 포함하는 실란제를 주입하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. 본 발명에 의하면 종래의 여러 단계의 공정을 한 단계의 반웅으로 줄일 수 있고， 별도의 정제 과정 또한 불필요하며， 신속하고, 안정성 또한 매우 높다. 나아 가 본 발명의 기술은 발광 소자, 디스플레이 패널, LED 등으로의 적용성이 우수하 다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过单一工艺制造量子点/二氧化硅复合材料的方法，其特征在于，在生长点芯的步骤期间通过单一工艺注入二氧化硅源材料。 更具体地说，该单一工艺的特征可以包括以下步骤：（i）在生长量子点核的同时，用具有极性的配体或包含一个或多个配体的配体取代与量子点的表面结合的烷基 - 硫醇配体 氢氧化物; 和（ii）在形成二氧化硅层的同时，注入包含烷氧基硅烷或硅烷醇基团和碱性基团的硅烷化合物。 根据本发明，可以将具有多个步骤的常规方法还原为具有一个步骤的反应，不需要单独的净化处理，并且该方法高度稳定。 此外，本发明的技术对于发光装置，显示面板，LED等具有优异的适用性。
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公开(公告)号：KR101311688B1
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020130057729
申请日：2013-05-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 양자점의 핵 성장 단계에서 단일 공정으로 실리카 소스 물질을 주입하는 것을 특징으로 하는 단일공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 단일공정은 (i) 양자점의 핵 성장에서 양자점 표면에 붙어 있는 alkyl-thiol 리간드를 극성을 가지는 리간드 또는 hydroxide기가 부착된 리간드로 치환하는 단계; 및 (ii) 실리카층의 형성에서 alkoxysilane 또는 silanol 작용기를 포함하고, 염기성 작용기를 포함하는 실란제를 주입하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 의하면 종래의 여러 단계의 공정을 한 단계의 반응으로 줄일 수 있고, 별도의 정제 과정 또한 불필요하며, 신속하고, 안정성 또한 매우 높다. 나아가 본 발명의 기술은 발광 소자, 디스플레이 패널, LED 등의 시장 적용성이 우수하다.-
公开(公告)号：KR1020130016910A
公开(公告)日：2013-02-19
申请号：KR1020110079114
申请日：2011-08-09
Applicant: 한국과학기술원 , 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L21/02557 , B82Y10/00 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L29/127
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a quantum dot/silica composite is provided to reduce the number of processes to one reaction, to not need a separate purification process, to have a fast reaction rate, and to quantitatively control a quantum dot/ silica composite. CONSTITUTION: A manufacturing method of a quantum dot/silica composite comprises: a step of injecting a silica source material to a simple process in a nucleus growth step of a quantum dot. The single process comprises: a step of substituting an alkyl-thiol ligand attached to the quantum dot surface by a ligand with a polarity or a ligand with a hydroxide group; and a step of injecting a silane coupling agent, which comprises alkoxysilane or silanol functional group and a basic functional group when forming a silica layer.
Abstract translation: 目的：提供量子点/二氧化硅复合材料的制造方法，以减少一个反应的过程，不需要单独的纯化过程，具有快速的反应速率，并定量控制量子点/二氧化硅复合材料。 构成：量子点/二氧化硅复合体的制造方法包括：在量子点的核生长步骤中将二氧化硅源材料注入简单工序的工序。 单一方法包括：通过具有极性的配体或具有氢氧基的配体取代连接到量子点表面的烷基 - 硫醇配体的步骤; 以及在形成二氧化硅层时注入包含烷氧基硅烷或硅烷醇官能团和碱性官能团的硅烷偶联剂的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130020345A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020110082930
申请日：2011-08-19
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/502 , H01L2933/0041
Abstract: PURPOSE: A method for dispersing quantum dots in an encapsulant and a light emitting device using the same are provided to improve luminous efficiency by replacing a ligand of the quantum dot with a ligand to improve dispersion. CONSTITUTION: An alkyl-thiol ligand attached to the surface of a quantum dot in a nuclear growth step is replaced by an alkyl-thiol ligand with a polarity functional group. An encapsulant with dispersed quantum dots is obtained by dispersing the quantum dot with the replaced ligand to the encapsulant with a polarity. [Reference numerals] (AA) Synthesis of quantum dots; (BB) Substituting a ligand(ex. -OH) including a polar functional group for a ligand on the surface of the quantum dots; (CC) Mixed with the polymer encapsulant and curing
Abstract translation: 目的：提供一种用于将量子点分散在密封剂中的方法和使用其的发光器件，以通过用配体替换量子点的配体以改善分散度来提高发光效率。 构成：在核生长步骤中连接到量子点表面的烷基 - 硫醇配体被具有极性官能团的烷基 - 硫醇配体代替。 通过将具有取代的配体的量子点以极性分散到密封剂中，获得具有分散的量子点的密封剂。 （标号）（AA）量子点的合成; （BB）在量子点的表面上用配体（例如-OH）代替配体的极性官能团; （CC）与聚合物密封剂混合并固化
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公开(公告)号：KR1020130062966A
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：KR1020130057729
申请日：2013-05-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a quantum dots/silica composite is provided to reduce a plurality of processes into a one-step reaction, not to need a separate purification, and to have extremely high stability. CONSTITUTION: A manufacturing method of a quantum dot/silica composite obtains the quantum dot/silica composite by deriving silica formation and ligand substitution during a nuclei growth process of the quantum dots. The in-situ process comprises a step of substituting a hydroxide-attached ligand or polarity-containing ligand for an alkyl-thiol ligand attached to the surface of a quantum dot; and a step of injecting a silane coupling agent which includes an alkoxysilane or silanol functional group, and a basic functional group.
Abstract translation: 目的：提供量子点/二氧化硅复合体的制造方法，将多个工序缩短为一步反应，不需要单独的纯化，而且具有极高的稳定性。 构成：量子点/二氧化硅复合物的制造方法通过在量子点的核生长过程中衍生二氧化硅形成和配体取代而获得量子点/二氧化硅复合物。 原位方法包括用氢氧根连接的配体或极性配体取代连接到量子点表面的烷基 - 硫醇配体的步骤; 以及注入包含烷氧基硅烷或硅烷醇官能团的硅烷偶联剂和碱性官能团的工序。
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公开(公告)号：KR1020120137924A
公开(公告)日：2012-12-24
申请号：KR1020110057101
申请日：2011-06-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C09K11/00
Abstract: PURPOSE: A synthetic method quantum dots and synthesis are provided to control pressure at high temperature without limiting the volume of a reactor, to control the condition of a whole specimen regardless of the volume of a reactor. CONSTITUTION: A synthetic method quantum dots and synthesis comprises: a step of injecting a cation compound, an anion compound, a surfactant and a solvent into a high-pressure reactor, and mixing the materials, and increasing the temperature and pressure of the mixture; a step of temporarily generating nucleus; and a step of growing quantum dots in order. The amount of the cation compound, anion compound and the surfactant are 0.001-10 mmol, 0.001-10 mmol and 0.001-100, respectively. [Reference numerals] (AA) Heating reaction solution; (BB) Suddenly decreasing pressure; (CC) Quantum dot nucleation/growth; (DD) Sudden increase/decrease of pressure; (EE) Completion of quantum dot growth
Abstract translation: 目的：提供合成方法量子点和合成来控制高温下的压力而不限制反应器的体积，以控制整个样品的状态，而与反应器的体积无关。 构成：合成方法量子点和合成包括：将阳离子化合物，阴离子化合物，表面活性剂和溶剂注入高压反应器中，并混合该材料并提高混合物的温度和压力的步骤; 暂时产生核的一个步骤; 以及顺序生长量子点的步骤。 阳离子化合物，阴离子化合物和表面活性剂的量分别为0.001-10mmol，0.001-10mmol和0.001-100。 （标号）（AA）加热反应溶液; （BB）突然减压; （CC）量子点成核/生长; （DD）压力突然增加/减少; （EE）完成量子点增长
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公开(公告)号：KR101857442B1
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR1020170046689
申请日：2017-04-11
Applicant: 한국에너지기술연구원 , 한국과학기술원
Abstract: 본발명은 SnSe 열전소재의저항특성을향상시킬수 있는메탈라이징방법에관한것으로, SnSe 열전소재의표면에메탈라이징을수행하는방법으로서, SnSe 열전소재의표면에 Ag층과 Ti층이순차로적층된메탈라이징층을형성하는것을특징으로한다. 본발명은, SnSe의저항특성을향상시키는금속층과 Sn 확산을방지하는금속층을구비한다층구조로메탈라이징함으로써, SnSe 열전소재와전극사이의접촉저항을낮추면서성능은유지할수 있는뛰어난효과가있다. 최종적으로, 전극과의저항문제로인하여열전발전모듈에사용되지못하였던 SnSe 열전소재를열전발전모듈에적용할수 있는뛰어난효과가있다.
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公开(公告)号：KR101252615B1
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020110082930
申请日：2011-08-19
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 종래의 양자점을 봉지재에 혼합하게 될시 응집현상이 나타나는 것을 방지하기 위하여 양자점의 리간드를 극성을 가지는 리간드로 치환한 후, 봉지재에 분산하는 것을 제안하며, 이때 치환되는 리간드가 산성이나 염기성을 띄게 되면 봉지재의 경화과정을 방해하므로 수산기(-OH)를 포함하여 극성을 갖게 하는 리간드를 양자점에 부착하여 사용하는 방법을 제시한다.
수득한 리간드 치환된 양자점/봉지재 복합체는 발광특성의 변화가 적으며 광학적으로 투명하고, 광 추출효율이 높아 LED의 광변환층으로 사용될시 높은 효용성을 가지며, 대면적 발광 소자에도 적용 가능한 양자점/봉지재 복합체를 제조하는 데에도 좋은 특성을 나타낸다.
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