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公开(公告)号：KR1020140108391A
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：KR1020130020277
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L31/09
Abstract: One embodiment of the present invention relates to a semiconductor device and a fabricating method thereof. The semiconductor device according to one embodiment of the present invention includes a metal oxide layer; and a metal electrode bonded to one surface of the metal oxide layer. The metal electrode is a metal which does not form an oxide layer related to the metal electrode when the metal electrode is bonded to the metal oxide layer, or does not take away oxygen of the metal oxide layer when the metal electrode is bonded to the metal oxide layer.
Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及半导体器件及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的半导体器件包括金属氧化物层; 和与金属氧化物层的一个表面结合的金属电极。 金属电极是当金属电极接合到金属氧化物层时不形成与金属电极相关的氧化物层的金属，或者当金属电极结合到金属时不会吸收金属氧化物层的氧 氧化层。
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公开(公告)号：KR1020140104864A
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020130018892
申请日：2013-02-21
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단
CPC classification number: G01J5/18 , G01J5/0007 , G01J5/061 , G01J5/0853
Abstract: The present invention relates to an infrared sensor module, which can improve only the transmittance of an infrared transmitting layer without a silicon layer and in which an infrared sensor is packaged in a vacuum, and a manufacturing method thereof. The infrared sensor module includes: a device wafer (10) with an infrared sensor (14) formed on a silicon substrate (12); a cap wafer (20) including an infrared transmitting layer (24) which becomes transparent in the infrared band; a spacer (30) interposed between the device wafer (10) and the cap wafer (20); and a binding material (40) combining the device wafer (10) with the cap wafer (20). According to the present invention, the infrared sensor module can obtain an improved infrared sensing effect by comprising only the infrared transmitting layer without a silicon layer which becomes opaque in the infrared band.
Abstract translation: 本发明涉及一种红外线传感器模块及其制造方法，该红外线传感器模块只能改善没有硅层的红外线透射层的透射率，其中红外线传感器被真空包装。 红外线传感器模块包括：具有在硅衬底（12）上形成的红外线传感器（14）的器件晶片（10）; 盖子晶片（20），其包括在红外波段中变得透明的红外线透射层（24）; 介于所述器件晶片（10）和所述盖晶片（20）之间的间隔物（30）; 以及将装置晶片（10）与盖晶片（20）组合的装订材料（40）。 根据本发明，红外线传感器模块可以通过仅包含红外线透射层而获得改进的红外线感测效果，而不会在红外波段中变得不透明的硅层。
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公开(公告)号：KR100807193B1
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：KR1020060086897
申请日：2006-09-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01L1/14
CPC classification number: G01L9/0073 , Y10T29/43
Abstract: A method for fabricating a capacitive pressure sensor and a product thereof are provided to enhance capacitance by using hafnium oxide having high insulation property as an insulation material of a capacitor. A method for fabricating a capacitive pressure sensor includes the steps of: etching a front surface of a silicon substrate(20) to an optional depth(S1); depositing an etching stopper(21) used at an eighth step on the surface of the silicon substrate(S2); depositing an upper electrode(22) of a capacitor(29) on the surface of the etching stopper(S3); depositing an insulation layer(23) of the capacitor on the surface of the upper stopper(S4); forming the capacitor by depositing a lower electrode(24) of the capacitor on the surface of the insulation layer(S5); forming a metallic pad electrode(26) on the front surface of a glass substrate(25)(S6); hetero-bonding the lower electrode of the capacitor of the silicon substrate and the metallic pad electrode of the glass substrate by anodic bonding(S7); forming a membrane by exposing the etching stopper by etching a rear surface of the silicon substrate bonded at the glass substrate(S8); and removing the exposed etching stopper by wet etching(S9).
Abstract translation: 提供一种用于制造电容式压力传感器的方法及其产品，以通过使用具有高绝缘性的氧化铪作为电容器的绝缘材料来增强电容。 一种用于制造电容式压力传感器的方法包括以下步骤：将硅衬底（20）的前表面蚀刻到可选的深度（S1）; 在所述硅衬底（S2）的表面上沉积用于第八步骤的蚀刻停止器（21）; 在所述蚀刻停止器（S3）的表面上沉积电容器（29）的上电极（22）; 在上止动件（S4）的表面上沉积电容器的绝缘层（23）; 通过在绝缘层的表面上沉积电容器的下电极（24）形成电容器（S5）; 在玻璃基板（25）的前表面上形成金属焊盘电极（26）（S6）; 通过阳极接合将硅衬底的电容器的下电极和玻璃衬底的金属焊盘电极异质结合（S7）; 通过蚀刻在玻璃基板上接合的硅衬底的后表面来暴露蚀刻停止层而形成膜（S8）; 并通过湿蚀刻去除暴露的蚀刻终止层（S9）。
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公开(公告)号：KR1020050060919A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020030092653
申请日：2003-12-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
CPC classification number: G01J5/02 , G01J5/023 , G01J5/0245 , G01J5/20
Abstract: 본 발명은 적외선 검출기인 볼로메타에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 적외선 열에 의해 변화된 저항값을 읽을 때와 열흡수층의 잔열을 제거하기 위해 사용되는 신호 다리를 구비한 적외선 볼로메타에 관한 것이다.
본 발명에 따른 적외선 볼로메타는 보호층으로 코팅된 집적회로를 구비한 하부 기판; 적외선을 흡수하는 흡수층과, 상기 흡수층으로부터 흡수된 적외선 열에 의해 저항값이 변하는 저항체를 구비하고, 상기 하부 기판과 소정의 공간을 갖으며 서로 이격되어 있는 상부 기판; 상기 상부 기판를 기계적으로 지지하고, 상부 기판과 하부 기판을 연결하는 포스트(Post); 상기 하부 기판과 상부 기판 사이에서 상기 저항체로부터 하부 기판으로 신호를 전달하는 신호 다리; 상기 신호 다리를 상기 상부 기판과 전기적으로 온-오프되도록 구동하기 위하여 하부 기판 상면에 형성된 하부 전극; 및 상기 하부 기판 상면에 형성되고, 적외선 열의 흡수율을 증가시키기 위한 반사층을 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR101549030B1
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：KR1020130020277
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명의실시예는반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 실시예에따른반도체소자는, 금속산화막; 및상기금속산화막의일면과접합하는금속전극;을포함하고, 상기금속전극은, 상기금속산화막과접합할때 상기금속전극과관련된산화막을형성하지않거나또는상기금속산화막과접합할때 상기금속산화막의산소를빼앗지않는금속이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100809929B1
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：KR1020060086859
申请日：2006-09-08
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L21/02603 , H01L21/02532 , H01L21/02554 , H01L21/0274 , H01L21/205 , H01L21/30604 , H01L21/7806
Abstract: A method for manufacturing nanowire is provided to enhance manufacture convenience of nanowire, reduce a manufacture cost, improve uniformity of a nanowire pattern, and increase reliability of the nanowire manufacture process. A method for manufacturing nanowire includes the steps of: forming a sacrificial layer on a silicon layer, forming a photoresist pattern on the sacrificial layer, and dry-etching the sacrificial layer after the photoresist pattern in a vertical direction; forming a first mask material layer on the silicon layer having the sacrificial layer pattern; vertically etching the first mask material layer to form a first mask pattern on the sidewalls of the sacrificial layer pattern; removing the sacrificial layer pattern; and vertically etching the silicon layer(20a) after the first mask pattern to form a silicon nanopattern(25). Further, the sacrificial layer is removed by wet-etching.
Abstract translation: 提供纳米线的制造方法，以提高纳米线的制造便利性，降低制造成本，提高纳米线图案的均匀性，提高纳米线制造工序的可靠性。 制造纳米线的方法包括以下步骤：在硅层上形成牺牲层，在牺牲层上形成光致抗蚀剂图案，并在光致抗蚀剂图案沿垂直方向干蚀刻牺牲层; 在具有牺牲层图案的硅层上形成第一掩模材料层; 垂直蚀刻第一掩模材料层以在牺牲层图案的侧壁上形成第一掩模图案; 去除牺牲层图案; 以及在所述第一掩模图案之后垂直蚀刻所述硅层（20a）以形成硅纳米图案（25）。 此外，通过湿蚀刻去除牺牲层。
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公开(公告)号：KR100785738B1
公开(公告)日：2007-12-18
申请号：KR1020060054876
申请日：2006-06-19
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: A bolometer is provided to enhance the absorption efficiency of an infrared ray and improve the response speed thereof by measuring the change of an electric resistance due to the temperature increment while changing into thermal energy by absorbing an infrared ray. A bolometer includes a lower metal layer(303), an upper metal layer(302), a pair of supporting units(307,308), and a pair of connecting units(305,306). The lower metal layer is formed on a substrate(301) and plays a role of a reflecting layer to reflect the infrared ray. And an insulated material is formed on the lower metal layer for protecting an integrated circuit. The upper metal layer is formed with an interval interposed between the lower metal layer and an air gap by the supporting units formed on the substrate. The supporting unit separates the upper metal layer and the lower metal layer at a predetermined distance. The connecting units electrically connect the upper and the lower metal layer. The upper metal layer forms a resonance cavity together with the lower metal cavity.
Abstract translation: 提供测辐射热计以提高红外线的吸收效率，并且通过测量通过吸收红外线而变为热能的温度升高时的电阻变化来提高其响应速度。 测辐射热计包括下金属层（303），上金属层（302），一对支撑单元（307,308）和一对连接单元（305,306）。 下金属层形成在基板（301）上，起到反射层的作用，以反射红外线。 并且在下金属层上形成绝缘材料以保护集成电路。 上部金属层通过形成在基板上的支撑单元以介于下部金属层和气隙之间的间隔形成。 支撑单元以预定距离分离上金属层和下金属层。 连接单元电连接上金属层和下金属层。 上金属层与下金属腔一起形成共振腔。
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公开(公告)号：KR101459601B1
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020130018892
申请日：2013-02-21
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단
Abstract: 본 발명은 실리콘층 없이 적외선 투과층만 적외선의 투과도를 높이면서, 적외선 센서를 진공 상태로 패키징한 적외선 센서 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판(12) 상에 적외선 센서(14)가 형성된 소자 웨이퍼(10); 적외선 대역에서 투명한 적외선 투과층(24)을 포함하는 캡 웨이퍼(20); 상기 소자 웨이퍼(10)와 상기 캡 웨이퍼(20) 사이에 개재되는 스페이서(30); 및 상기 소자 웨이퍼(10)와 상기 캡 웨이퍼(20)를 결합시키는 결합 물질(40)을 포함하여 구성되는 것을 기술적 특징으로 한다. 본 발명에 따른 적외선 센서 모듈은 적외선 대역에서 불투명한 실리콘층 없이 적외선 투과층만 형성되어 적외선 감지 효과가 뛰어나다.
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公开(公告)号：KR101436822B1
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020140060678
申请日：2014-05-21
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단
IPC: G01J5/02
Abstract: 본 발명은 실리콘 적외선 윈도우를 얇게 형성하여 적외선의 투과도를 높이면서, 적외선 센서를 진공 상태로 패키징한 실리콘 적외선 윈도우를 구비하는 적외선 센서 모듈 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 적외선 센서를 형성하여 소자 웨이퍼를 제작하는 소자 웨이퍼 제작 단계; SOI 기판의 소자층에 캐비티를 형성하여 SOI 캡 웨이퍼를 제작하는 SOI 캡 웨이퍼 제작 단계; 진공 상태에서 상기 소자 웨이퍼와 상기 SOI 캡 웨이퍼를 결합시키는 결합 단계 및 상기 SOI 캡 웨이퍼에서 실리콘 다이옥사이드층 및 실리콘 기판층을 제거하는 식각 단계를 포함하여 구성되는 것을 기술적 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101448296B1
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020130018888
申请日：2013-02-21
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단
Abstract: 본 발명은 실리콘 적외선 윈도우를 얇게 형성하여 적외선의 투과도를 높이면서, 적외선 센서를 진공 상태로 패키징한 실리콘 적외선 윈도우를 구비하는 적외선 센서 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판(12) 상에 적외선 센서(14)가 형성된 소자 웨이퍼(10); 붕소(Boron) 도핑된 실리콘 적외선 윈도우(24)를 포함하는 캡 웨이퍼(20); 상기 소자 웨이퍼(10)와 상기 캡 웨이퍼(20) 사이에 개재되는 스페이서(30); 및 상기 소자 웨이퍼(10)와 상기 캡 웨이퍼(20)를 결합시키는 결합 물질(40)을 포함하여 구성되는 것을 기술적 특징으로 한다. 본 발명에 따른 실리콘 적외선 윈도우를 구비하는 적외선 센서 모듈은 실리콘 적외선 윈도우가 얇은 두께로 형성되어 적외선 감지 효과가 뛰어나다.
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