公开(公告)号：WO2019194380A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：PCT/KR2018/012031

申请日：2018-10-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이희철 ,  노영탁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 본 발명은 내방사선 입체 단위 모스펫(3-dimensional MOSFET)에 관한 것으로, 누적 사건 영향과 단일 사건 영향을 최소화하기 위하여 더미 드레인(Dummy Drain; DD), N-웰 레이어(N-well layer; NW), 딥 N-웰 레이어(Deep N-well layer; DNW) 및 P+ 레이어(P+ layer) 중 적어도 어느 하나 이상을 선택적으로 추가한 내방사선 입체 단위 모스펫을 제안한다.

公开(公告)号：WO2019177210A1

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：PCT/KR2018/009267

申请日：2018-08-13

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이희철 ,  노영탁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8234

Abstract: 본 발명은 누적 이온화 현상으로 인해 발생하는 누설전류 경로를 차단하고 단일 사건으로 발생한 전류 펄스의 영향을 감소시키는 내방사선 단위 모스펫(MOSFET)에 관한 것으로, 게이트(gate) 영역 및 적어도 하나의 더미 게이트(Dummy gate) 영역을 지정하는 폴리 게이트 레이어(poly gate layer), 소스(source) 및 드레인(drain), 상기 소스 및 드레인에 P+ 영역을 지정하는 P+ 레이어 및 P-액티브 레이어와 전압 인가가 가능한 더미 드레인(Dummy Drain)를 포함한다. 전술한 본 발명에 따르면, 입자 방사선과 전자파 방사선이 존재하는 방사선 환경에서도 정상적으로 동작하는 전자부품을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：WO2015093826A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/KR2014/012413

申请日：2014-12-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이희철 ,  조영민 ,  우두형

IPC: G01J5/02

CPC classification number: G01J5/22 ,  G01J2005/0048 ,  G01J2005/202

Abstract: 본 발명의 실시 형태는 볼로미터의 불균일도를 보정할 수 있는 신호취득회로에 관한 것이다. 본 발명의 실시 형태에 따른 볼로미터의 불균일도를 보정할 수 있는 신호취득회로는, 바이어싱 전류를 생성하는 전류 바이어싱부; 복수의 가변저항들을 포함하고, 상기 바이어싱 전류를 수신하는 볼로미터부; 상기 복수의 가변저항들의 동작온도 변화에 대한 불균일도(non-uniformity)를 추출하고, 상기 추출된 불균일도를 저장하는 피드백부; 및 상기 불균일도에 대응하는 바이어싱 전압을 생성하고, 상기 생성된 바이어싱 전압을 상기 볼로미터부에 전송하여 볼로미터 전류를 생성하는 전압 바이어싱부; 를 포함한다.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及能够校正测辐射热计的不均匀性的信号读出电路。 根据本发明实施例的能够校正测辐射热计不均匀性的信号读出电路包括：用于产生偏置电流的电流偏置单元; 测辐射热计单元，用于接收偏置电流，测辐射热计单元包括多个可变电阻; 反馈单元，用于提取由于多个可变电阻中的工作温度变化引起的不均匀性并且存储所提取的不均匀性; 以及电压偏置单元，用于产生对应于不均匀性的偏置电压，并将生成的偏置电压传送到测辐射热计单元以产生测辐射热计电流。

公开(公告)号：KR1020150070731A

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：KR1020130157283

申请日：2013-12-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이희철 ,  조영민 ,  우두형

IPC: G01J5/02

CPC classification number: G01J5/22 ,  G01J2005/0048 ,  G01J2005/202

Abstract: 본발명의실시형태는볼로미터의불균일도를보정할수 있는신호취득회로에관한것이다. 본발명의실시형태에따른볼로미터의불균일도를보정할수 있는신호취득회로는, 바이어싱전류를생성하는전류바이어싱부; 복수의가변저항들을포함하고, 상기바이어싱전류를수신하는볼로미터부; 상기복수의가변저항들의동작온도변화에대한불균일도(non-uniformity)를추출하고, 상기추출된불균일도를저장하는피드백부; 및상기불균일도에대응하는바이어싱전압을생성하고, 상기생성된바이어싱전압을상기볼로미터부에전송하여볼로미터전류를생성하는전압바이어싱부; 를포함한다.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种用于校正测辐射热计的不均匀性的信号采集电路。 根据本发明的实施例，用于补偿测辐射热计的不均匀性的信号采集电路包括：产生偏置电流的电流偏置部分; 测辐射热计部件，其包括多个可变电阻器并接收偏置电流; 反馈部，其提取所述多个可变电阻器的工作温度变化的不均匀性; 以及电压偏置部，其产生对应于不均匀性的偏置电压，并通过将所产生的偏置电压发送到测辐射热计部分而产生测辐射热计电流。

公开(公告)号：KR101494808B1

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：KR1020130096865

申请日：2013-08-14

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이희철 ,  이민수

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67276 ,  G06F17/50

Abstract: 본 발명의 실시예는 반도체 소자의 채널 모델링 장치 및 방법에 관한 것이다. 더 상세하게는 DGA(Dummy Gate Assisted) MOSFET(Mmetal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) 등의 반도체소자에서 설계 형태에 따라 채널 영역의 형태가 다양해지는 경우 그 전기적 특성을 빠르게 모델링 함으로써 반도체 설계시의 효율성을 증대하고자 하는 반도체 소자의 채널 모델링 장치 및 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种用于对半导体器件的沟道进行建模的器件和方法，更具体地，涉及一种能够提高半导体器件设计效率的器件和用于对半导体器件的通道进行建模的方法 当沟道区域的形状根据虚拟栅极辅助（DGA）金属氧化物半导体场效应转换器（MOSFET）等半导体器件的设计形状而变化时，通过快速建模电性能。 该装置包括通过使用测量在通道区域中流动的电流和施加在栅极和源极之间的电压的结果来计算扩展角度的扩展角计算部分。

公开(公告)号：KR101492807B1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：KR1020130075282

申请日：2013-06-28

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이희철 ,  이민수

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 본 발명의 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫은, N-액티브 레이어(N-active layer)와, 폴리 게이트 레이어(poly gate layer)와, n+ 레이어(n+ layer)를 포함하는 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫으로서, 트랜지스터 게이트의 산화막 두께가 10nm 이하게 되면 정공 트래핑(hole trapping)이 발생하지 않는 현상을 이용하여 누설 전류 경로를 차단하는 모조 폴리 게이트 레이어(Dummy poly gate layer); 및 문턱 전압을 높여 트래핑(trapping)된 정공(hole)에 의해 발생하는 채널 반전(channel inversion)을 억제시켜 누설전류 발생을 차단하는 P-액티브 레이어(P-active layer)와 p+ 레이어(p+ layer)를 포함하며, 상기 모조 폴리 게이트 레이어(Dummy poly gate layer)와 상기 P-액티브 레이어(P-active layer)와 p+ 레이어(p+ layer)에 의해 상기 트랜지스터의 소스(Source)와 드레인(Drain)을 둘러싸 방사선에 의한 누설 전류 경로를 차단한다. 본 발명에 의하면, 본 발명의 내방사선 모조 게이트를 이용한 단위 모스펫(Dummy Gate Assisted n-MOSFET: DGA n-MOSFET)의 레이아웃(layout)은 방사선에 의해 발생 할 수 있는 누설 전류 경로를 차단하여 방사선 환경에서도 정상적으로 동작함으로써, 우주 공간, 타 행성 탐사, 원자력 발전소의 원자로와 같은 방사선 환경에서도 정상적으로 동작하는 전자부품 설계에 활용 할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101436822B1

公开(公告)日：2014-09-05

申请号：KR1020140060678

申请日：2014-05-21

Applicant: 한국과학기술원 ,  재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단

Inventor： 이희철 ,  김태식

IPC: G01J5/02

Abstract: 본 발명은 실리콘 적외선 윈도우를 얇게 형성하여 적외선의 투과도를 높이면서, 적외선 센서를 진공 상태로 패키징한 실리콘 적외선 윈도우를 구비하는 적외선 센서 모듈 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 적외선 센서를 형성하여 소자 웨이퍼를 제작하는 소자 웨이퍼 제작 단계; SOI 기판의 소자층에 캐비티를 형성하여 SOI 캡 웨이퍼를 제작하는 SOI 캡 웨이퍼 제작 단계; 진공 상태에서 상기 소자 웨이퍼와 상기 SOI 캡 웨이퍼를 결합시키는 결합 단계 및 상기 SOI 캡 웨이퍼에서 실리콘 다이옥사이드층 및 실리콘 기판층을 제거하는 식각 단계를 포함하여 구성되는 것을 기술적 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101051672B1

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：KR1020080136018

申请日：2008-12-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안성일 ,  이성의 ,  이희철 ,  길병우

IPC: H01J61/30 ,  H01J61/56 ,  G02F1/13357

Abstract: 본 발명은 작으면서도 다양한 크기를 갖는 관 형태로 이루어지며, 플라즈마 방전에 의해 발광되는 플렉시블 디스플레이 백라이트 유닛 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 각각 일면에 금속 박막의 전극을 포함하고, 고분자 점착층이 코팅된 한 쌍의 고분자 기판과; 상기 한 쌍의 고분자 기판에 개재되고, 상기 전극을 통하여 외부전원과 연결되어 플라즈마 방전에 의해 발광하게 되는 방전 램프 및; 상기 고분자 기판 중, 어느 하나의 고분자 기판에 적층되고, 상기 방전 램프와 전기적으로 연결되며, 유연성을 갖는 인쇄회로기판을 포함하는 구성으로 이루어진 플렉시블 디스플레이 백라이트 유닛과, 이의 제조방법을 제공한다.
플렉시블, 디스플레이, 백라이트, 방전 램프, 플라즈마

Abstract translation: 本发明包括具有不同尺寸的管型eumyeonseodo小，与金属薄膜的一个表面上，每个与柔性显示器的背光单元，以及由所述等离子体放电发出的制造方法中的电极，和所述聚合物粘合层涂布 一对聚合物基底; 放置在一对聚合物基板中并通过电极连接到外部电源以通过等离子体放电发光的放电灯; 以及印刷电路板及其制造方法，所述印刷电路板层压在所述聚合物基板之一上并电连接到所述放电灯，所述柔性显示器背光单元包括柔性印刷电路板。

公开(公告)号：KR101042520B1

公开(公告)日：2011-06-20

申请号：KR1020090000324

申请日：2009-01-05

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이희철 ,  김우영 ,  이용수

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/12 ,  G11C7/22 ,  G11C5/14

Abstract: 본 발명에 따른 멀티 비트 저장 가능한 메모리 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 멀티 비트 저장 가능한 메모리 장치는 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되고 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부 및 제1 전극과 메모리부 사이의 일부 영역에 형성되고 외부에서 전압이 인가되는 경우에 전하 트랩이 가능하며 트랩된 전하에 의해 제1 전극과 제2 전극 사이에 인가되는 전압에 의한 전기장이 상쇄되어 메모리부의 일부 영역의 분극 상태를 유지시키는 전하트랩부를 포함하는 셀 커패시터, 워드라인으로 인가되는 신호에 따라 셀 커패시터 및 서로 병렬 연결된 복수개의 메인비트라인을 전기적으로 연결하는 셀 트랜지스터, 복수개의 메인비트라인과 쌍을 이루는 복수개의 서브비트라인, 복수개의 메인비트라인에 각각 연결되어 셀 커패시터에 저장된 전하와 동일한 전하가 충전되� � 복수개의 전하저장부, 하나의 메인비트라인과 하나의 서브비트라인으로 이루어진 비트라인 쌍은 동일한 전압레벨로 프리차지시키되, 각각의 비트라인 쌍마다 서로 다른 전압레벨로 프리차지시키는 복수개의 등화부, 복수개의 전하저장부와 복수개의 메인비트라인 간의 전하분배에 따라, 비트라인 쌍들의 프리차지 전압을 상이한 전압레벨로 조정하는 복수개의 감지증폭부 및 복수개의 메인비트라인 및 복수개의 서브비트라인으로부터 출력되는 출력신호를 비교하고, 디지털신호로 변환하는 신호변환부를 포함한다.
강유전체, 일렉트렛, 전하 트랩(charge trap), 멀티 비트, 센싱 방법

公开(公告)号：KR101838277B1

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：KR1020160178058

申请日：2016-12-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이희철 ,  신영봉

IPC: G01J5/08 ,  C01G23/047

CPC classification number: G01J5/0853 ,  C01G23/047 ,  C01P2002/54

Abstract: 볼로미터용티타늄산화막및 그의제조방법, 티타늄산화막을이용한적외선감지소자가제공된다. 상기볼로미터용티타늄산화막은, M:TiO의조성비를갖는산화물로서, M은니오븀(niobium) 또는 n형도펀트(n-type dopant)이고, 상기 x는 0.005≤x≤0.2이고, 상기 y는 0≤y≤0.5이다.

Abstract translation: 一种用于辐射热测量计的氧化钛膜，其制造方法以及使用氧化钛膜的红外线感测装置。 对于辐射热测量计的氧化钛是，M：具有TiO的组成比的氧化物，M为铌（铌）或n型掺杂物（n型掺杂剂），其中x为0.005≤x≤0.2，其中y是0≤ y？0.5。