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公开(公告)号:KR101823081B1
公开(公告)日:2018-01-29
申请号:KR1020160091602
申请日:2016-07-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01B1/12 , C08J5/22 , C01B31/04 , H01B1/04 , C08K9/00 , C08L101/12 , C08L65/00 , C08L81/00 , C08L81/06 , H01G11/30
CPC classification number: Y02E60/13 , H01B1/124 , C01B32/20 , C08J5/22 , C08K9/00 , C08L65/00 , C08L81/00 , C08L81/06 , C08L101/12 , H01B1/04 , H01G11/30 , H01L51/5203
Abstract: 본발명은화학적도핑된그래핀의제조방법및 그에기반한고분자작동기에관한것으로, 보다상세하게는기계·전기·전기화학적으로뛰어난화학적도핑된그래핀과전도성고분자를포함한복합재전극을포함하는고분자작동기에관한것이다.
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