公开(公告)号：KR1020000025821A

公开(公告)日：2000-05-06

申请号：KR1019980043054

申请日：1998-10-14

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이재진 ,  신영훈 ,  이대희 ,  최영완 ,  민경욱 ,  성단근

IPC: G01K11/20

Abstract: PURPOSE: A device for measuring an electron temperature of plasma measure precisely the electron temperature of plasma by using a floating potential and a migration potential. CONSTITUTION: A device for measuring an electron temperature of plasma comprises a floating probe(233), two or more than two migrating probes(231,232), a floating potential measurement portion(230), two or more than two migration potential measurement portions(210,220); and a controller. The floating probe is on a state of floating. The migrating probes apply sinewaves having different amplitudes. The floating potential measurement portion measures a floating potential from the floating probe. The migration potential measurement portions measures each migration potential from the migrating probes. The controller measures the electron temperature by using the floating potential and the migration potential.

Abstract translation: 目的：用于测量等离子体的电子温度的装置通过使用浮动电位和迁移电位精确测量等离子体的电子温度。 结构：用于测量等离子体的电子温度的装置包括浮动探针（233），两个或多于两个迁移探针（231,232），浮动电位测量部分（230），两个或多于两个迁移电位测量部分（210,220 ）; 和控制器。 浮动探头处于浮动状态。 迁移探头应用具有不同振幅的正弦波。 浮动电位测量部分测量浮动探针的浮动电位。 迁移电位测量部分测量迁移探针的每个迁移电位。 控制器通过使用浮动电位和迁移电位来测量电子温度。

公开(公告)号：KR100275366B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019980041734

申请日：1998-10-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김용민 ,  강경인 ,  김이을 ,  장현석 ,  민경욱

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 기존의 열벽증착법에서의 시간적 손실의 주된 원인이 되는 전처리 단계와 후처리 단계에서의 열처리과정을 하나의 장비에서 동시에 수행할 수 있도록 기판 홀더의 수를 증가시킴으로써, 열벽증착법을 이용하여 양질의 박막을 대량으로 생산할 수 있는 다수의 기판홀더를 포함한 열벽증착기를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명에 따르면, 가공될 기판을 파지하여 가열할 수 있는 기판홀더 및, 기판홀더에 의해 파지된 상태의 기판과 증착물질을 수용하여 증착을 행하는 열벽부를 포함하는 열벽증착기에 있어서, 상기 기판홀더는 다수의 공정에 동시에 투입될 수 있는 다수의 홀더이고, 상기 열벽증착기는 상기 다수의 홀더를 공정순서에 따라 이동시키는 홀더이동수단을 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 다수의 기판홀더를 포함한 열벽증착기가 제공된다.

公开(公告)号：KR100579886B1

公开(公告)日：2006-05-15

申请号：KR1020040080073

申请日：2004-10-07

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 민경욱 ,  이진근 ,  강성원 ,  김성준 ,  고대호 ,  선종호

IPC: B64G7/00 ,  B64G1/54

Abstract: 본 발명은 방사선 빔을 가속시키는 방사선 가속기로부터 생성된 방사선 빔의 일부를 피검체에 조사하는 인공 우주방사선 조사장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 방사선 빔의 빔량 및 에너지의 조절이 가능하도록 하기 위한 것이다.
본 발명에 의한 방사선 빔을 가속시키는 방사선 가속기로부터 전송라인을 통해 상기 방사선 빔의 일부를 피검체에 조사하는 인공 우주방사선 조사장치는, 상기 전송라인으로부터 공급된 방사선 빔을 분산시키는 방사선 빔 분산수단과, 상기 방사선 빔 분산수단에 의해 분산된 방사선 빔의 빔량을 감소시키기 위한 빔량조절수단과, 상기 빔량조절수단을 통과한 빔을 산란시키는 산란수단과, 상기 산란된 방사선 빔 중의 일부만을 통과시켜 빔의 직진성을 증가시키기 위한 콜리메터와, 상기 콜리메터를 통과한 방사선의 빔량을 측정하는 측정수단과, 상기 피검체를 지지하기 위한 지지수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
인공, 방사선, 양성자, 빔, 슬릿, 전자부품, 반도체, SEE

Abstract translation: 本发明是使这是，更具体地，涉及用于照射由辐射加速器产生用于加速辐射束到对象的辐射束的一部分的人造空间放射线照射装置上的辐射束的bimryang和能量的控制。

公开(公告)号：KR1020060031168A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：KR1020040080073

申请日：2004-10-07

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 민경욱 ,  이진근 ,  강성원 ,  김성준 ,  고대호 ,  선종호

IPC: B64G7/00 ,  B64G1/54

CPC classification number: B64G7/00 ,  B64G1/54 ,  G21K5/04

Abstract: 본 발명은 방사선 빔을 가속시키는 방사선 가속기로부터 생성된 방사선 빔의 일부를 피검체에 조사하는 인공 우주방사선 조사장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 방사선 빔의 빔량 및 에너지의 조절이 가능하도록 하기 위한 것이다.
본 발명에 의한 방사선 빔을 가속시키는 방사선 가속기로부터 전송라인을 통해 상기 방사선 빔의 일부를 피검체에 조사하는 인공 우주방사선 조사장치는, 상기 전송라인으로부터 공급된 방사선 빔을 분산시키는 방사선 빔 분산수단과, 상기 방사선 빔 분산수단에 의해 분산된 방사선 빔의 빔량을 감소시키기 위한 빔량조절수단과, 상기 빔량조절수단을 통과한 빔을 산란시키는 산란수단과, 상기 산란된 방사선 빔 중의 일부만을 통과시켜 빔의 직진성을 증가시키기 위한 콜리메터와, 상기 콜리메터를 통과한 방사선의 빔량을 측정하는 측정수단과, 상기 피검체를 지지하기 위한 지지수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
인공, 방사선, 양성자, 빔, 슬릿, 전자부품, 반도체, SEE

公开(公告)号：KR100317135B1

公开(公告)日：2002-03-21

申请号：KR1019980043054

申请日：1998-10-14

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이재진 ,  신영훈 ,  이대희 ,  최영완 ,  민경욱 ,  성단근

IPC: G01K11/20

Abstract: 본 발명은 우주 공간을 이루는 플라즈마의 전자 온도를 측정하기 위한 전자온도 측정기에 관한 것으로서, 플라즈마 이온층의 전자온도를 세밀하고 정확하게 측정하는 고분해능의 전자온도 측정기를 제공하는 데 그 목적이 있다.
이러한 본 발명은, 부동(floating)상태의 탐침으로부터 측정되는 부동전위와, 일정 진폭의 사인파가 인가되는 탐침으로부터 측정되는 이동전위를 이용하여 플라즈마의 전자온도를 계산하기 위한 전자온도 측정기에 있어서, 부동상태에 놓인 부동 탐침과, 서로 다른 크기의 진폭을 가지는 사인파가 각각 인가되는 적어도 2개 이상의 이동 탐침, 상기 부동 탐침으로부터 부동전위를 측정하는 부동전위 측정부, 상기 각각의 이동 탐침으로부터 각각의 이동전위를 측정하는 적어도 2개 이상의 이동전위 측정부, 및 상기 부동전위 측정부와 각각의 이동전위 측정부에서 측정된 부동전위와 각각의 이동전위를 이용하여 전자온도를 측정하는 제어부를 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마의 전자온도 측정기를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020000024929A

公开(公告)日：2000-05-06

申请号：KR1019980041734

申请日：1998-10-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김용민 ,  강경인 ,  김이을 ,  장현석 ,  민경욱

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A hot wall epitaxy(evaporation) performs many evaporation processes at the same time, increases the number of substrate holders, enhances a production quantity per a unit time, and produces many thin films of good quality. CONSTITUTION: A hot wall epitaxy device includes a substrate holder(210), and a hot wall part(110). The substrate holders(210) are many holders which can be simultaneously inserted into many processes. A holder moving part moves the many holders according to a process sequence. A heat sink(230) is positioned between the many holders and the hot wall, thereby cutting off a radiation heat. The hot wall part(110) accommodates a substrate and evaporation material therein, and performs evaporation. The holder moving part has many holder maintenance arms for maintaining at least one holder. Thereby, a pre process, evaporation process using a hot wall evaporation, and a postprocess are performed at the same time, a time loss is largely reduced, and a production yield increases.

Abstract translation: 目的：热壁外延（蒸发）同时进行许多蒸发过程，增加了基板支架的数量，每单位时间增加了生产量，并生产出许多质量好的薄膜。 构成：热壁外延器件包括衬底保持器（210）和热壁部分（110）。 衬底保持器（210）是可以同时插入许多工艺中的许多保持器。 支架移动部件根据处理顺序移动许多支架。 散热器（230）位于多个保持器和热壁之间，从而切断辐射热。 热壁部（110）容纳基材和蒸发材料，进行蒸发。 支架移动部件具有许多用于保持至少一个支架的支架维护臂。 因此，同时进行使用热壁蒸发的预处理，蒸发处理和后处理，时间损失大大降低，生产成品率增加。