-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150120552A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：KR1020140045884
申请日：2014-04-17
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01M4/131 , A61K9/5115 , B01J21/04 , B01J21/063 , B01J21/066 , B01J23/06 , B01J23/08 , B01J23/14 , B01J23/72 , B01J23/74 , B01J23/745 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J35/023 , B01J37/031 , B01J37/348 , C01F7/02 , C01F7/428 , C01G3/02 , C01G9/02 , C01G15/00 , C01G19/02 , C01G23/047 , C01G25/02 , C01G49/06 , C01G51/00 , C01G51/006 , C01G53/00 , C01G53/04 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/02 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/51 , C01P2004/64 , C25B1/00 , C25D11/08 , C25D11/16 , C25D11/26 , C25D11/34 , H01M4/485 , H01M10/0525 , C25C5/02 , B82B3/00 , B82Y40/00
Abstract: 본발명은금속산화물나노입자의제조방법및 이에따라제조되는금속산화물나노입자에관한것으로, 상세하게는음극및 산화물을형성하기위한금속으로이루어진양극을할로겐염을포함하는무기전해질용액내로침지시키는단계(단계 1); 및상기양극및 음극에전압을인가하여양극에양극을이루는금속의산화물을형성시키는단계(단계 2);를포함하는금속산화물나노입자의제조방법에관한것이다. 본발명에따른금속산화물나노입자의제조방법은기존의나노입자합성법이갖는단점을해결하여, 계면활성제를필요로하지않으며간단한단일공정을통해, 저렴하고빠르게, 다양한구조의나노입자를제조할수 있다. 양극산화법은 30 V 이하의낮은전압의전원공급장치와전해질만을필요로하고, 상온에서진행되며추가적인장치나시설을필요로하지않는다. 또한, 전원공급장치의전원을켠 직후부터금속산화물나노입자가매우빨리생성되며, 우수한결정도의나노입자를실온에서도생산할수 있으며, 전압, 온도, 전해질, 그리고전해질농도와같은양극산화법인자들을변화시킴으로써손쉽게형태를조절할수 있다. 따라서, 본기술은금속산화물나노입자의경제성을높여다양한금속산화물나노입자의대량생산에도기여할것으로기대된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造金属氧化物纳米粒子的方法及其制造的金属氧化物纳米粒子，更具体地说，涉及一种制造金属氧化物纳米粒子的方法，该方法包括：将负极和正极制成的第一步骤 从用于在包括卤素的无机电解液中形成氧化物的金属; 以及向正极和负极施加电压以在正极上形成构成正极的金属的氧化物的第二步骤。 根据本发明，金属氧化物纳米粒子的制造方法解决了用于合成纳米粒子的常规方法的问题，并且通过不含表面活性剂的单一简单方法，可以以低成本快速制造各种结构的纳米粒子。 正极氧化方法仅使用等于或低于30V的低电压的电源装置和没有附加装置或设备的电解质，并且在室温下进行。 除此之外，通过本发明的方法，金属氧化物纳米粒子在供电装置接通之后非常快速地产生，并且即使在室温下也可以产生具有优异结晶度的纳米颗粒。 此外，通过改变电压，温度，电解质和电解质浓度等正的氧化方法因素，可以容易地调节纳米颗粒的形状。 因此，本发明提高了金属氧化物纳米粒子的经济效率，从而允许大量生产各种金属氧化物纳米粒子。
-
-
公开(公告)号：KR1020170139456A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：KR1020170070826
申请日：2017-06-07
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은금속소재의고온산화시 공동, 미세균열, 기공등을포함한여러가지의결함을가진비보호적인스케일로성장하는산화거동을예방하기위해, 고온환경노출이전에산화피막을형성하여산화속도를억제하는방법및 이에따라제조되는내부식성금속에관한것으로, 금속산화막격자내 침입형양이온, 음이온공공과같은이온결함농도를줄일수 있는원소를도펀트로포함시켜금속표면에산화피막을형성한다. 도펀트원소로산소원자보다원자가가높은불소등의원소를첨가해이온결함의농도를줄여음이온확산속도를줄여소재의내부식성향상에기여할것으로기대된다.
Abstract translation: 本发明抑制氧化的速率，以形成高温环境之前氧化膜，曝光，以防止氧化行为生长未受保护的规模与各种各样的缺陷，包括高温腔，微裂纹中，金属材料的氧化过程中的孔 如何以及yiettara涉及一种耐腐蚀金属制备，以包含能降低的缺陷，如在间质的阳离子中的离子浓度的元素，阴离子公共金属氧化物晶格作为掺杂剂以形成在金属表面上的氧化膜。 预计将有掺杂元素比氧原子的添加的元素，例如氟离子降低缺陷减少阴离子扩散率的高浓度有助于改善材料的耐腐蚀性。
-
公开(公告)号：KR101731906B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150107309
申请日：2015-07-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C25D11/02 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/26 , C25D11/34 , C25D17/10 , C25D17/12 , C25D17/02 , C25D21/00 , C25D21/12
Abstract: 본발명은원기둥형태또는각기둥형태의외부표면을갖는금속재질의양극; 및와이어형태인것을특징으로하는금속재질의음극;을포함하고, 상기음극은 2 개이상이고, 상기양극외부표면에대하여소정의간격으로이격되며, 각각이상기양극외주면을따라소정의간격으로위치하는것을특징으로하는전기화학셀, 전해질용액및 전압인가장치를포함하는전기화학시스템을준비하는단계(단계 1); 상기단계 1에서준비된전기화학시스템에전압을인가하여양극산화반응을수행하는단계(단계 2);를포함하는원기둥형태또는각기둥형태의금속표면에산화막을형성하는방법을제공한다. 본발명에따른원기둥형태또는각기둥형태의금속표면에산화막을형성하는방법은종래원기둥형태의백금음극을사용하여양극산화를진행하는대신에와이어형태의음극을이용하여양극산화를진행함으로써, 원기둥형태또는각기둥형태의금속외부표면에균일한두께를갖는나노구조산화막을매우저렴하게제조할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及由外表面为圆柱形或棱柱形的金属制成的阴极; 以及由金属材料制成的负电极，其中负电极具有两个或更多个负电极并且与正电极外表面隔开预定距离， 准备包括电化学电池，电解质溶液和电压施加装置的电化学系统（步骤1）; （步骤2），通过向步骤1中制备的电化学系统施加电压来执行阳极氧化反应;以及在包括阳极氧化反应的圆柱形或棱柱形金属表面上形成氧化物膜。 上的圆筒状或根据本发明通过使用金属丝型的负极出发的阳极氧化的棱镜形状的金属表面形成氧化膜，代替进行到阳极氧化常规使用的铂阴极的圆筒状，圆柱状的的方法 或者可以以非常低的成本制造在棱柱形金属的外表面上具有均匀厚度的纳米结构氧化物膜。
-
公开(公告)号：KR1020160132315A
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：KR1020150107309
申请日：2015-07-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C25D11/02 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/26 , C25D11/34 , C25D17/10 , C25D17/12 , C25D17/02 , C25D21/00 , C25D21/12
Abstract: 본발명은원기둥형태또는각기둥형태의외부표면을갖는금속재질의양극; 및와이어형태인것을특징으로하는금속재질의음극;을포함하고, 상기음극은 2 개이상이고, 상기양극외부표면에대하여소정의간격으로이격되며, 각각이상기양극외주면을따라소정의간격으로위치하는것을특징으로하는전기화학셀, 전해질용액및 전압인가장치를포함하는전기화학시스템을준비하는단계(단계 1); 상기단계 1에서준비된전기화학시스템에전압을인가하여양극산화반응을수행하는단계(단계 2);를포함하는원기둥형태또는각기둥형태의금속표면에산화막을형성하는방법을제공한다. 본발명에따른원기둥형태또는각기둥형태의금속표면에산화막을형성하는방법은종래원기둥형태의백금음극을사용하여양극산화를진행하는대신에와이어형태의음극을이용하여양극산화를진행함으로써, 원기둥형태또는각기둥형태의금속외부표면에균일한두께를갖는나노구조산화막을매우저렴하게제조할수 있다.
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.02 seconds)
