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公开(公告)号：WO2016035925A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/KR2014/010153
申请日：2014-10-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02639 , B82Y10/00 , H01L21/02603 , H01L29/0673 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 수평 방향의 단결정 나노선을 형성하는 공정의 기술 난이도 및 제조비용을 낮추기 위한 반도체 장치의 제조방법을 위하여, 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 제 1 영역의 기판 위에 나노선이 형성될 위치를 정하고 나노선이 채워질 빈 공간을 마련하는 단계, 상기 제 1 영역에 인접한 부위의 기판 표면을 노출시키는 단계, 노출된 기판 표면으로부터 선택적 단결정 성장이 일어나는 단계, 식각공정을 통해 상기 제 1 영역 내에서는 자가정렬(Self-aligned)방식으로 나노선을 형성하고 제 1 영역 밖에서는 제 2 영역의 배선에 필요한 부위를 제외한 나머지 영역의 단결정 성장층을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种用于降低形成水平单晶纳米线的工艺的技术难点和制造成本的半导体器件制造方法，所述半导体器件制造方法包括以下步骤：制备包括第一区域和第二区域的衬底; 确定在所述第一区域的所述基板上形成纳米线的位置，并且设置要填充所述纳米线的空白空间; 暴露与第一区域相邻的部分的基板表面; 从暴露的基底表面引起选择性单晶生长; 以及通过在第一区域内的蚀刻工艺通过自对准方法形成纳米线，并且从第一区域的外部除去除了第二区域的布线所需的部分之外的剩余区域的单晶生长层。
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公开(公告)号：WO2013054958A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/KR2011/007629
申请日：2011-10-13
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자, 그 제조 방법 및 메모리 칩이 제공된다. 비휘발성 메모리 소자에 따르면, 적어도 하나의 낸드 스트링은 기판 상에 제된다. 상기 적어도 하나의 낸드 스트링은 상기 기판 상으로 상향 신장된 적어도 하나의 반도체 기둥 및 상기 적어도 하나의 반도체 기둥을 따라 직렬로 연결된 복수의 메모리셀들을 포함한다. 상기 적어도 하나의 반도체 기둥은 각 낸드 스트링 내에 적어도 하나의 측방향 확장부를 포함한다.
Abstract translation: 提供具有三维结构的非易失性存储器件，其制造方法和存储器芯片。 在非易失性存储器件中，在衬底上提供至少一个NAND串。 至少一个NAND串包括至少一个向衬底向上延伸的半导体柱和沿着该至少一个半导体柱串联连接的多个存储单元。 至少一个半导体柱包括在每个NAND串内的至少一个横向扩展部分。
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公开(公告)号：KR1020170063086A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020150169052
申请日：2015-11-30
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은나노재료를연성물질로매립하거나유연기판에전사하는방법을제공하기위한나로재료의제조방법으로서, 웨이퍼상에희생층을형성하는제 1 단계; 상기희생층상에나노재료와상기나노재료의상부및/또는측면에접하는지지패턴을형성하는제 2 단계; 상기나노재료의하부에언더컷을형성하도록상기희생층의적어도일부를제거하는제 3 단계; 상기나노재료의하부를충전하고상기지지패턴의상부면이노출되도록 1차연성물질패턴을형성하는제 4 단계; 상기지지패턴및 상기희생층의나머지를제거하는제 5 단계; 및제거된상기지지패턴및 상기희생층의나머지가점유하던공간을충전하도록 2차연성물질패턴을형성하는제 6 단계;를포함한다.
Abstract translation: 一种用于生产我发明的材料以提供用于嵌入方法方法或转移至所述柔性基板的柔性材料制成的银材料，其包含：形成在晶片上的牺牲层的第一步骤; 在牺牲层和与纳米材料的顶部和/或侧表面接触的支撑图案上形成纳米材料的第二步骤; 去除至少一部分牺牲层以在纳米材料下方形成底切的第三步骤; 填充所述纳米材料的下部的第四步骤形成初级可燃材料图案，使得支撑面服饰图案被暴露; 第五步，去除支撑图案和牺牲层的其余部分; 以及形成第二可锻材料图案以填充由所移除的支撑图案和剩余的牺牲层占据的空间的第六步骤。
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公开(公告)号：KR101487746B1
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020140014399
申请日：2014-02-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11551
Abstract: 본 발명의 일 형태에 따른 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자는 기판 및 상기 기판 상으로 상향 신장되며 제 1 도전형의 불순물이 도핑된 적어도 하나의 반도체 기둥 및 상기 적어도 하나의 반도체 기둥을 따라 직렬로 연결된 복수의 메모리셀들을 구비하는, 상기 적어도 하나의 낸드 스트링을 포함한다. 상기 기판은, 상기 적어도 하나의 반도체 기둥과 접하며, 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형의 불순물이 도핑된, LDD 영역; 및 상기 반도체 기둥과 접하지 않도록 상기 반도체 기둥과 이격되면서, 상기 LDD 영역의 일부를 둘러싸며, 제 2 도전형의 불순물이 도핑된, 소오스 영역;을 포함하며, 상기 LDD 영역에서의 상기 제 2 도전형의 불순물의 농도는 상기 소오스 영역에서의 상기 제 2 도전형의 불순물의 농도보다 더 낮다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面的三维非易失性存储器件包括：至少一个NAND串，其包括衬底，至少一个在衬底上向上延伸并且掺杂有第一导电类型杂质的半导体柱，以及 沿着半导体柱串联连接的多个存储单元。 衬底包括接触半导体柱并且掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型杂质的LDD区; 以及与半导体柱分离以便不接触半导体柱的源极区域，围绕LDD区域的一部分以及掺杂有第二导电型杂质的源极区域。 LDD区中的第二导电型杂质的浓度低于源极区中的第二导电型杂质的浓度。
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公开(公告)号：KR101048660B1
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020080121159
申请日：2008-12-02
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8242 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/108
Abstract: 본 발명은 커패시터리스 디램(capacitorless DRAM) 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 기판상에 연속하여 형성된 소스, 채널 및 드레인, 상기 채널상에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트, 및 상기 채널 내부에 형성된 게르마늄층 또는 게르마늄점을 포함한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 실리콘 기판에 형성된 게르마늄의 연속적인 층 혹은 불연속적인 점이 정공 배리어를(hole barrier) 변화 시켜서 정공(hole)을 효과적으로 모을 수 있기 때문에 정공저장능력이 향상된다.
커패시터리스 디램, 게르마늄 이온 주입, 열처리, 충돌 이온화.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101897068B1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：KR1020160122142
申请日：2016-09-23
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은파장선택형적외선센서및 이의제조방법에관한것으로, 보다상세히는입사되는적외선복사파장을선택할수 있도록공진파장을가변할수 있도록제조된파장선택형적외선센서및 이의제조방법에관한것이며, 본발명에의한파장선택형적외선센서는검출회로를포함하는기판(100), 상기기판(100)의상면에형성되는고정반사판(200), 상기기판(100)의상면에형성되되, 상기고정반사판(200)의양측에형성되는금속패드(300), 상기고정반사판(200)의상측에일정거리이격되어형성되는흡수부(400) 및상기고정반사판(200)과흡수부(400) 사이에형성되며, 상기고정반사판(200)과흡수부(400) 사이를상하로이동가능한이동반사판(500)을포함하며, 상기이동반사판(500)은입사되는적외선의파장에따라상하로움직여상기공기층(A)의간격을조절하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020100131600A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：KR1020090050273
申请日：2009-06-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: A63F13/28 , A63F13/828 , A63F13/825
CPC classification number: A63F13/28 , A63F13/825 , A63F13/828 , A63F2300/308
Abstract: PURPOSE: A game driving system through exercise is provided to perform the game by united interaction of participants, who are participating through exercise, thereby exercising enjoyably. CONSTITUTION: An exercise information collector(321,322) collects exercise information generated from action behavior of a user. A game driving client(310) receives exercise information from an exercise information collecting unit. The game driving client converts the exercise information into input information of game. The game driving client transmits the exercise information to a game driving server(100). The game driving client output game state information.
Abstract translation: 目的：提供通过运动的游戏驱动系统，通过参与者的团结协作来进行游戏，参与者通过运动参与，从而锻炼身体。 规定：运动信息收集器（321,322）收集由用户的动作行为产生的运动信息。 游戏驾驶客户端（310）从运动信息收集单元接收运动信息。 游戏驾驶客户将运动信息转换为游戏的输入信息。 游戏驾驶客户端将运动信息发送到游戏驾驶服务器（100）。 游戏驱动客户端输出游戏状态信息。
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公开(公告)号：KR1020100062502A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080121159
申请日：2008-12-02
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8242 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/10826 , H01L29/1033
Abstract: PURPOSE: A capacitor-less DRAM and a method for manufacturing the same are provided to improve the hole-storage capacity due to a hole-barrier by forming a continuous germanium layers or a non-continuous dots through an ion implantation method and a heat treatment process. CONSTITUTION: A source(105), a channel, and a drain(106) are successively formed on a substrate(100). A gate insulating layer(103) is formed on the channel. A gate is formed on the gate insulating layer. A germanium layer or a germanium dot is formed in the channel. The gate insulating layer is made of a silicon oxide, a nitride film, an aluminum oxide, a hafnium oxide, or a zinc oxide.
Abstract translation: 目的：提供一种无电容器DRAM及其制造方法，以通过离子注入法和热处理形成连续锗层或非连续点来改善由于空穴阻挡引起的空穴存储能力 处理。 构成：源（105），沟道和漏极（106）依次形成在衬底（100）上。 在沟道上形成栅极绝缘层（103）。 栅极形成在栅极绝缘层上。 在通道中形成锗层或锗点。 栅极绝缘层由氧化硅，氮化物膜，氧化铝，氧化铪或氧化锌制成。
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公开(公告)号：KR100959591B1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：KR1020080095257
申请日：2008-09-29
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 집단 체험형 인터랙티브 콘텐츠 제공 시스템에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 다수의 사용자가 다양한 입력 장치를 이용하여 콘텐츠의 진행에 직접 참여하는 동시에 다양한 출력 장치를 통하여 인터랙티브 콘텐츠의 체험도를 높일 수 있는 집단 체험형 인터랙티브 콘텐츠 제공 시스템을 제공하는데 있다.
이를 위해 본 발명에 따른 집단 체험형 인터랙티브 콘텐츠 제공 시스템은 공간 상태를 인식하는 하나 이상의 공간 입력 장치와, 사용자들에게 공통 콘텐츠를 제공하는 하나 이상의 공간 출력 장치와, 상기 공간 입력 장치 및 공간 출력 장치와 유선 또는 무선으로 연결되어 상기 공간 입력 장치 및 공간 출력 장치를 제어하는 환경 관리부와, 사용자들의 동작을 인식하는 하나 이상의 개인 입력 장치와, 사용자들에게 개별 콘텐츠를 제공하는 하나 이상의 개인 출력 장치와, 상기 개인 입력 장치 및 개인 출력 장치와 유선 또는 무선으로 연결되어 상기 개인 입력 장치로부터 전송되는 정보를 수집하고 상기 개인 출력 장치에 개별 콘텐츠를 전송하는 하나 이상의 개인 장치 관리부와, 상기 개인 장치 관리부와 유선 또는 무선으로 연결되어 상기 개인 장치 관리부를 제어하는 사용자 관리부와, 집단형 인터랙티브 콘텐츠를 저장하는 콘텐츠 저장부와, 상기 환경 관리부, 사용자 관리부 및 콘텐츠 저장부와 유선 또는 무선으로 연결되며 상기 콘텐츠 저장부로부터 전송받은 집단형 인터랙티브 콘텐츠로부터 공통 콘텐츠 및 개별 콘텐츠를 생성하여 상기 환경 관리부 에 공통 콘텐츠를 전송하고 상기 사용자 관리부에 개별 콘텐츠를 전송하는 콘텐츠 구동 서버를 포함하는 것을 특징으로 하는 집단 체험형 인터랙티브 콘텐츠 제공 시스템을 개시한다.
인터랙티브 콘텐츠, 공간 입력 장치, 공통 콘텐츠, 개별 콘텐츠, 다수의 사용자.-
公开(公告)号：KR1020100035882A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：KR1020080095257
申请日：2008-09-29
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A system for providing group interactive contents is provided to enable users to directly attend progressing of contents, thereby maximizing fun of the contents. CONSTITUTION: A content storage unit(180) stores group interactive contents. A content driving server(190) generates common contents and the individual contents from the group interactive contents. The content driving server transmits the common contents to an environment management unit(130).
Abstract translation: 目的：提供用于提供组交互内容的系统，以使用户能够直接参与内容的进度，从而最大限度地提高内容的乐趣。 构成：内容存储单元（180）存储组交互内容。 内容驱动服务器（190）从组交互内容生成公共内容和各个内容。 内容驱动服务器将公共内容发送到环境管理单元（130）。
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