Abstract:
본 발명은 인버터 및 인버터를 포함하는 안테나 회로에 관한 것으로, 제1제어신호, 제2제어신호 및 제3제어신호를 포함하는 제어신호를 인가 받아 인버팅된 신호를 출력하는 것에 있어서, 제1제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 접지되는 제1모스트랜지스터; 제3제어신호가 게이트에 인가되고, 제2제어신호가 소스에 인가되는 제2모스트랜지스터; 및 제2제어신호가 게이트에 인가되고, 제3제어신호가 소스에 인가되는 제3모스트랜지스터; 를 포함하며, 상기 제1모스트랜지스터, 제2모스트랜지스터 및 제3모스트랜지스터의 드레인이 출력단자에 연결되어 구성될 수 있다.
Abstract:
본 발명은 전원발생회로 및 전원발생회로가 구비된 스위칭회로에 관한 것으로, 제2제어신호가 제어단자에 인가되고, 제1제어신호가 일단에 인가되는 제1트랜지스터; 및 상기 제1제어신호가 제어단자에 인가되고, 상기 제2제어신호가 일단에 인가되는 제2트랜지스터;를 포함하며, 상기 제1트랜지스터 및 상기 제2트랜지스터의 타단이 출력단자에 연결될 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A power generating circuit and a switching circuit including the same are provided to minimize the performance deterioration of various devices by minimizing interference between the noise of a power amplifier and the noise of a switch unit. CONSTITUTION: A power generating circuit(130) includes a first MOS transistor(M1), a second MOS transistor(M2), a third MOS transistor(M3), and a fourth MOS transistor(M4). A second control signal is applied to a gate of the first MOS transistor. A first control signal is applied to a gate of the second MOS transistor. A source of the third MOS transistor is grounded. A source of the fourth MOS transistor is connected to a drain of the third MOS transistor.
Abstract:
PURPOSE: A power generation circuit and a switching circuit including the same are provided to minimize the performance degradation of each components by minimizing mutual interference generated between noise of a power amplifier and noise of a switch. CONSTITUTION: A control terminal of a first transistor(M1) receives a second control signal. One end of the first transistor receives a first control signal. The other end of the first transistor is connected to an output terminal. A control terminal of a second transistor(M2) receives the first control signal. One end of the second transistor receives the second control signal. The other end of the second transistor is connected to the output terminal. A third transistor(M3) includes a control terminal which receives one control signal selected from the control signals. A fourth transistor(M4) includes a control terminal which receives the other control signals selected from the control signals.
Abstract:
PURPOSE: A power generating circuit and a switching circuit including the same are provided to generate a power supply by receiving a control signal. CONSTITUTION: A switching circuit(100) includes a driver(110) and a switch(120). The driver includes a power generating circuit, a buffer(112), and an inverter(113). A second control signal is applied to a control terminal of a first transistor. A second control signal is applied to one end of the first transistor. The first control signal is applied to a control terminal of a second transistor. The second control signal is applied to one end of the second transistor. The other end of the first transistor and the second transistor is connected to an output terminal. [Reference numerals] (111) Power generating circuit; (112) Buffer; (113) Inverter; (120) Switch; (AA) Controller
Abstract:
본 발명은 RF 스위치 및 스위치 컨트롤러가 하나의 CMOS 기판에 형성되어 딥 N형 웰 기판과 N형 웰 기판 및 P형 웰 기판에 플로팅 저항을 연결시켜 입력 전력에 관하여 선형성이 증가된 RF 스위치 회로에 관한 것으로, RF 신호의 전달 경로를 변경하는 적어도 하나의 N MOS(Metal Oxide Semiconductor) 스위치를 구비하는 RF 스위치는 제1 딥 N형 웰(well) 기판에 형성된 N형 단자가 플로팅(floating) 저항을 통해 구동 전원을 전달받고, 제1 P형 기판에 형성된 P형 단자는 플로팅 저항을 통해 바디 전원을 전달받으며, 제1 P형 기판에 형성된 둘의 N형 단자는 플로팅 저항을 통해 게이트 전원을 전달받고, 상기 RF 스위치의 경로 변경을 제어하는 적어도 하나의 N MOS 스위치 및 P MOS 스위치를 구비하는 스위치 컨트롤러는 제2 딥 N형 웰(well) 기판에 형성된 N형 단자와 상기 제1 N형 기판� � 형성된 N형 단자가 플로팅(floating) 저항을 통해 구동 전원을 전달받는다.
Abstract:
본 발명은 RF 스위치 스위칭 온/오프 제어시에 RF 스위치의 게이트 및 바디간의 전압차를 적게하는 적합한 전원을 제공하여 삽입 손실을 감소시키고 선형성을 증가시킨 RF 스위치 컨트롤러에 관한 것으로, 사전에 설정된 기준 신호을 제공하는 발진기와, 상기 발진기로부터의 상기 기준 신호를 사전에 설정된 구동 전원과 전압 레벨이 반전된 부구동 전원으로 변환하는 부전압 발생기와, 외부로부터의 제어 비트를 디코딩하는 디코더와, 상기 디코더로부터의 디코딩 신호에 따라 상기 부전압 발생기로부터의 구동 전원 및 부구동 전원의 전압 레벨을 쉬프트하여 RF 스위치의 스위칭 온 제어시 RF 스위치의 게이트에 상기 구동 전원을 공급하고 상기 RF 스위치의 바디에 제로 전압 레벨의 전원을 공급하며, 스위칭 오프 제어시 상기 RF 스위치의 게이트 및 바디� �� 상기 부구동 전원을 공급하는 레벨 쉬프터를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치 컨트롤러를 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: An RF switch circuit is provided to enhance linearity about input power by connecting a floating resistor to a deep N type well substrate, an N type well substrate, and a P type well substrate. CONSTITUTION: An RF switch(110) includes at least one N MOS(Metal Oxide Semiconductor) switch which changes an RF signal transmitting route. A switch controller(120) comprises at least one N MOS switch or at least one P MOS switch which controls a route change of the RF switch. The N MOS switch of the RF switch is formed on a first deep N type well substrate which is formed on a chip substrate. The N MOS switch of a switch controller is formed on a second deep N type well substrate which is formed on the chip substrate.
Abstract:
본 발명은 트랜스포머와 핀치오프 클리핑을 이용한 4 위상 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 신호의 특성을 나쁘게 하는 출력버퍼와 DC 준위 조절기(DC level shifter) 없이 핀치오프 클리핑(pinch-off clipping)할 수 있도록 출력신호의 DC 전압을 조절할 수 있는 트랜스포머를 이용한 4 위상 LC 공진 전압 제어 발진기를 이용하여 f0/2 주파수 신호를 푸쉬-푸쉬 방법으로 2 위상 f0 주파수 신호나 단일 위상 2f0 주파수 신호를 만듦으로써 인덕터를 이용한 4 위상 전압 제어 발진기에 비하여 좋은 특성을 가지면서도 출력버퍼와 DC 준위 조절기 없이 핀치오프 클리핑을 할 수 있어 단순한 구조로 잡음 특성이 좋은 LC 공진 전압 푸쉬-푸쉬 발진기를 만들 수 있는 이점이 있다.
Abstract:
본 발명은 트랜스포머와 핀치오프 클리핑을 이용한 4 위상 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 신호의 특성을 나쁘게 하는 출력버퍼와 DC 준위 조절기(DC level shifter) 없이 핀치오프 클리핑(pinch-off clipping)할 수 있도록 출력신호의 DC 전압을 조절할 수 있는 트랜스포머를 이용한 4 위상 LC 공진 전압 제어 발진기를 이용하여 f0/2 주파수 신호를 푸쉬-푸쉬 방법으로 2 위상 f0 주파수 신호나 단일 위상 2f0 주파수 신호를 만듦으로써 인덕터를 이용한 4 위상 전압 제어 발진기에 비하여 좋은 특성을 가지면서도 출력버퍼와 DC 준위 조절기 없이 핀치오프 클리핑을 할 수 있어 단순한 구조로 잡음 특성이 좋은 LC 공진 전압 푸쉬-푸쉬 발진기를 만들 수 있는 이점이 있다.