公开(公告)号：KR100294850B1

公开(公告)日：2001-07-12

申请号：KR1019980022134

申请日：1998-06-13

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 노광수 ,  전용배 ,  이창호 ,  정재식 ,  송한욱

IPC: H01L41/41 ,  H01L41/43

Abstract: 본 발명은 부분용융물질을 이용하여 저온에서 PZT 후막을 제조하는 방법에 관한 것이다. PZT는 Pb
1+x (Zr
y Ti
1-x )O
3 의 조성식을 가지며 전기적으로 우수한 압전 및 유전특성을 갖는 물질로써 PZT는 엑추에이터, 트랜스듀서, 캐퍼시터, 센서 등의 소자로 널리 이용되고 있다. PZT 후막 제조에 있어서는 소결온도가 1,000℃ 이상이면 소결시 및 집적시 실리콘 등의 반도체와 상호 확산반응이나 납성분의 휘발이 일어나 제조에 어려움이 있고, 소결조제를 첨가하여 소결온도를 낮추면 불순물 영향으로 PZT 특성이 저하되는 문제점이 있다. 본 발명은 PZT를 구성하는 원료물질 중에서 용융점이 낮은 물질(PbO, CH
3 COOPbㆍ3H
2 O, Pb(NO
3 )
2 등)과 용융점이 높은 물질(ZrO
2 , TiO
2 , PbZrO
3 , PbTiO
3 등)을 함께 사용하여 1,000℃ 이하의 온도에서 열처리하므로 PZT가 균일하고 미세한 입자들로 형성되며, 소결밀도가 높고 불순물이 함유되지 않아 압전 및 유전 특성이 우수할 뿐만 아니라 반응시간이 짧기 때문에 경제적으로 PZT를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000001736A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980022134

申请日：1998-06-13

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 노광수 ,  전용배 ,  이창호 ,  정재식 ,  송한욱

IPC: H01L41/41 ,  H01L41/43

Abstract: PURPOSE: A fabricating method of PZT thick film is provided to improve a piezoelectric and a dielectric properties by using local melting materials. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: mixing and grinding a first material having low melting point such as PbO, CH3COOPb-3H2O and Pb(NO3)2 and a second material having high melting point such as ZrO2, TiO2, PbTiO3 and PbZrO3; mixing a polymer material such as polyethylene glycol, alpha-tepineol, polyvinyl butyral and butoxy epoxy ethyl acetate; making an ink for enhancing a screen printing; printing on a desired substrate using the ink; drying to remove the polymer material contained the sample; and annealing to form PZT.

Abstract translation: 目的：提供PZT厚膜的制造方法，以通过使用局部熔化材料来改善压电和介电性能。 方法：该方法包括以下步骤：将具有低熔点的第一种材料如PbO，CH3COOPb-3H2O和Pb（NO3）2以及具有高熔点的第二种材料如ZrO2，TiO2，PbTiO3和PbZrO3混合研磨; 混合聚合物材料，例如聚乙二醇，α-草替乐，聚乙烯醇缩丁醛和丁氧基环氧乙酸乙酯; 制作用于增强丝网印刷的油墨; 使用油墨在期望的基材上进行印刷; 干燥除去包含样品的聚合物材料; 并退火形成PZT。