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公开(公告)号：KR1020130109391A
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020120031089
申请日：2012-03-27
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C23C16/409 , B82B3/0038 , B82Y40/00 , C23C16/407
Abstract: PURPOSE: A manufacturing apparatus of a ferroelectric nanostructure is provided to synthesize a ferroelectric material at a desired temperature, and to decrease the synthesize temperature of the ferroelectric material. CONSTITUTION: A manufacturing apparatus of a ferroelectric nanostructure includes a tube type furnace (100), a gas inlet (10), a material powder supplier (20), a starting material supplier (30), and an outlet (40). The gas inlet is for inserting inert gas into the tube type furnace. The material powder supplier supplies material powder into the tube type furnace. The supply point of the material powder is maintained at the evaporation temperature of the material powder. The starting material supplier supplies a starting material. The starting material reacts with the evaporated material powder, to be synthesized into a ferroelectric nanostructure. The evaporated material powder flows by the flow of the inert gas flowing toward an exit of the tube type furnace. The starting material has a form selected from a nanotube, a nanowire, a nanorod, or a simple thin film. The outlet discharges the inert gas. [Reference numerals] (AA) Cylindrical furnace; (BB) Temperature gradient in furnace; (CC) Position
Abstract translation: 目的：提供铁电体纳米结构的制造装置，以在期望的温度下合成铁电材料，并降低铁电材料的合成温度。 构成：铁电体纳米结构的制造装置包括管式炉（100），气体入口（10），材料粉末供应器（20），起始材料供应器（30）和出口（40）。 气体入口用于将惰性气体插入管式炉中。 材料粉末供应商将材料粉末供应到管式炉中。 材料粉末的供应点保持在材料粉末的蒸发温度。 起始原料供应商提供原料。 起始材料与蒸发的材料粉末反应，合成为铁电纳米结构。 蒸发的材料粉末通过流向管式炉的出口的惰性气体流动。 原料具有选自纳米管，纳米线，纳米棒或简单薄膜的形式。 出口排出惰性气体。 （附图标记）（AA）圆柱形炉; （BB）炉内温度梯度; （CC）职位
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公开(公告)号：KR101231569B1
公开(公告)日：2013-02-08
申请号：KR1020110017515
申请日：2011-02-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 수직 방향으로 배향되고, 폴리머 전극을 형성한 압전 나노로드를 이용한 에너지 수확 시스템 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 압전체 나노로드를 이용한 에너지 수확 시스템은 도전성 폴리머 전극인 하부 전극, 하부 전극의 상부에 45도~90도의 범위에 속하는 각도로 형성되고, P(VDF-TrFE) 또는 PVDF 폴리머 압전소자 물질로 이루어진 폴리머 나노로드, 폴리머 나노로드 표면에 형성된 도전성 폴리머 전극인 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 압전체 나노로드를 이용한 에너지 수확 시스템의 제조방법은 템플레이트를 구비하는 단계, 템플레이트 상부에 폴리머 용액을 도포하여, 상기 템플레이트를 따라 하부로 스며들도록 하는 단계, 폴리머 용액을 결정화시키는 단계, 폴리머 용액 결정체에 하부 전극을 형성하는 단계, 폴리머 용액 결정체와 상기 나노 템플레이트를 분리하여 폴리머 나노로드를 획득하는 단계 및 폴리머 나노로드에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR101212958B1
公开(公告)日：2012-12-18
申请号：KR1020110035742
申请日：2011-04-18
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은탄성력또는탄력을가지는나선형중심전극(Core Electrode)에강유전성중합체(Ferroelectric Polymer)층및 표면전극이형성된압전소자를이용한에너지수확시스템및 그제조방법에관한것으로, 탄성력또는탄력을가지는나선형의중심전극(Core Electrode), 중심전극(Core Electrode)의표면에선택적으로형성된강유전성중합체(Ferroelectric Polymer)층의표면에형성된표면전극(Surface Electrode)을포함하고, 제조방법으로도전성중심전극을준비하는단계, 중심전극의표면에딥 코팅(Dip Coating) 방식에의해선택적으로강유전성중합체(Ferroelectric Polymer)층을형성하는단계, 강유전성중합체(Ferroelectric Polymer)층이형성된상기중심전극을건조및 열처리하는단계, 강유전성중합체(Ferroelectric Polymer)층표면에표면전극을형성하여압전소자를생성하는단계및 고전압폴링공정으로상기압전소자내부의영구이중극자(Permanent Dipole)를단방향으로정렬시키는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1019950014029A
公开(公告)日：1995-06-15
申请号：KR1019930025439
申请日：1993-11-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C04B35/46
Abstract: 본 발명은 페르보스카이트상으로만 이루어진 PLZT 박막을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 솔-젤 공정을 이용하여 La/Zr/Ti 비율이 15.5/40/60인 PLZT 코팅 용액으로 씨앗층을 형성한 후, 그 위에 PLZT(9.5/65/35)코팅 용액을 입히고, 1회 열처리 공정을 행함으로써 입자가 미세하고 균일한 100% 페르보스카이트상으로만 이루어진 PLZT 박막이 제조된다. 본 발명에 의하여 제조된 PLZT 박막은 이차 전광 효과의 응용에 적합하고, 특히 투광성이 향상되어 차세대 광전 소자로 널리 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101366133B1
公开(公告)日：2014-02-25
申请号：KR1020120076378
申请日：2012-07-13
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 압전 폴리머를 이용한 패브릭 제조용 파이버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 패브릭 제조용 파이버는 기다란 실의 형태로 이루어지는 압전 폴리머 파이버(fiber)와, 상기 압전 폴리머 파이버의 일측면에 배치되는 제1 폴리머 전극 파이버와, 상기 압전 폴리머 파이버의 타측면에 배치되어 상기 압전 폴리머 파이버를 사이에 두고 상기 제1 폴리머 전극 파이버와 이격되게 배치되는 제2 폴리머 전극 파이버를 포함하며, 상기 압전 폴리머 파이버, 제1 폴리머 전극 파이버 및 제2 폴리머 전극 파이버를 트위스트 방식으로 서로 꼬아 하나의 에너지 포집 파이버를 이룸으로써, 전극과의 접촉면적 확대를 통해 압전 폴리머의 효율을 증대시키고 폴리머 전극이 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140009750A
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：KR1020120076378
申请日：2012-07-13
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L41/082 , H01L41/187 , H01L41/193 , H02N2/22 , Y10S310/80
Abstract: The present invention relates to a fiber for manufacturing fabric by using a piezoelectric polymer and a manufacturing method thereof. The fiber includes a piezoelectric polymer fiber having a long thread shape, a first polymer electrode fiber placed on a side of the piezoelectric polymer fiber, and a second polymer electrode fiber separated from the first polymer electrode fiber while having the piezoelectric polymer fiber between itself and the first polymer electrode fiber. A short circuit of a polymer electrode is prevented and the efficiency of a piezoelectric polymer is increased through the expansion of a touch surface with an electrode by making an energy collecting fiber by twisting the piezoelectric polymer fiber, the first polymer electrode fiber, and the second polymer electrode fiber.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用压电聚合物制造织物的纤维及其制造方法。 该纤维包括长螺纹形状的压电聚合物纤维，放置在压电聚合物纤维侧的第一聚合物电极纤维和从第一聚合物电极纤维分离的第二聚合物电极纤维，同时在其自身和 第一种聚合物电极纤维。 防止聚合物电极的短路，通过使压电聚合物纤维，第一聚合物电极纤维和第二聚合物电极纤维扭转来制造集电纤维，通过电极的触摸表面的膨胀来增加压电聚合物的效率 聚合物电极纤维。
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公开(公告)号：KR101276560B1
公开(公告)日：2013-06-24
申请号：KR1020110023698
申请日：2011-03-17
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 강유전체 폴리머(Ferroelectric Polymer)인 P(VDF-TrFE)로 이루어져, 소자의 특성을 개선시킨 강유전체 폴리머 나노도트 소자 및 그 제조를 위한 디웨팅 프로세스(Dewetting Process)에 관한 것으로, 강유전체 폴리머 나노도트 소자는 절연물질로 이루어진 기판, 기판 상면에 형성된 하부 전극, 하부 전극 상면의 일부 영역에 요철 구조로 형성되고, P(VDF-TrFE)로 이루어진 P(VDF-TrFE) 나노도트 및 P(VDF-TrFE) 나노도트 상면에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 본 발명에 따른 강유전체 폴리머 나노도트 소자 제조를 위한 디웨팅 프로세스(Dewetting process)는 기판을 준비하는 단계, 기판 상면에 하부 전극을 형성하는 단계, P(VDF-TrFE) 폴리머 용액을 획득하는 단계, 하부 전극 상면에 P(VDF-TrFE) 폴리머 용액을 도포하는 단계, 어닐링(Annealing) 공정으로 P(VDF-TrFE) 나노도트를 획득하는 단계 및 P(VDF-TrFE) 나노도트 표면에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR101251344B1
公开(公告)日：2013-04-05
申请号：KR1020110076965
申请日：2011-08-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 마스터 몰드에 의해 음각이나 양각의 단일 패턴 또는 다단 패턴(Multi-Level)이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 패턴이 형성된 마스터 몰드를 준비하는 단계, 패턴이 형성된 마스터 몰드에 고분자 화합물 레진을 도포하는 단계, 고분자 화합물 레진의 상부에 고분자 화합물로 이루어진, 후면 지지 필름(Back Supporting Film)을 부착하는 단계, 고분자 화합물 레진을 경화하는 단계, 경화된 고분자 화합물 레진을 마스터 몰드에서 분리하여 패턴이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체를 취득하는 단계 및 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체의 표면에 전도성 폴리머를 증착하여 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조의 3차원 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
나아가, 본 발명에 따른 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극은 고분자 화합물로 이루어진, 후면 지지 필름(Back Supporting Film), 후면 지지 필름의 상부에 음각 또는 양각의 패턴(Pattern)이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체 및 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체 표면에 형성된 전도성 폴리머층을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020130015128A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：KR1020110076965
申请日：2011-08-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A 3D electrode using a polymer pillar structure and a manufacturing method thereof are provided to simplify a pattern manufacturing process by using a master mold for manufacturing a single pattern or multilevel pattern. CONSTITUTION: A rear support film(203) is attached to the upper side of a polymer compound resin. The polymer compound resin is cured. A polymer compound pillar structure(202a) with a pattern is obtained by separating the cured polymer compound resin from the master mold. A conductive polymer(205) is deposited on the surface of the polymer compound pillar structure. A 3D electrode of the polymer compound pillar structure is formed.
Abstract translation: 目的：提供使用聚合物柱结构的3D电极及其制造方法，以通过使用用于制造单一图案或多层图案的母模来简化图案制造工艺。 构成：后支撑膜（203）附着在高分子化合物树脂的上侧。 高分子化合物树脂固化。 通过将固化的聚合物复合树脂与母模分离，得到具有图案的聚合物复合柱结构（202a）。 导电聚合物（205）沉积在聚合物复合柱结构的表面上。 形成高分子化合物柱结构的3D电极。
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公开(公告)号：KR1020120107166A
公开(公告)日：2012-10-02
申请号：KR1020110024685
申请日：2011-03-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8247 , H01L29/66
Abstract: PURPOSE: A ferroelectric nano dot device and a manufacturing method thereof are provided to improve storage density by forming a small cell using a PbTiO3 nano dot. CONSTITUTION: A substrate is made of insulating materials. A bottom electrode(102) is formed on the upper side of the substrate. A ferroelectric nano dot is formed on a part of the upper side of the bottom electrode with a spherical shape. The ferroelectric nano dot includes a top electrode(202) and is made of PbTiO3.
Abstract translation: 目的：提供一种铁电纳米点器件及其制造方法，通过使用PbTiO3纳米点形成小电池来提高存储密度。 构成：基材由绝缘材料制成。 底部电极（102）形成在基板的上侧。 铁电纳米点形成在底部电极的上侧的一部分上，具有球形。 铁电纳米点包括顶电极（202），并由PbTiO 3制成。
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