公开(公告)号：WO2014200231A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：PCT/KR2014/005043

申请日：2014-06-10

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김용현 ,  여호기 ,  이의섭

IPC: G01Q30/04

CPC classification number: G01Q60/58 ,  G01Q30/04 ,  G01Q60/10 ,  G01Q60/14

Abstract: 일 실시예에 따르면 원자수준-해상도(atomic-resolution) 주사 제벡 현미경 이미지(scanning seebeck microscope image)의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법(compter-aided simulation method)으로서, 전압 탐침(voltage prove)의 위치 r에 대응하는 상기 주사 제벡 현미경 이미지를 획득하기 위해, 상기 전압 탐침의 위치 r에 대한 국지 열전 전압(local thermoelectric voltage; V(r))을 컴퓨터가 계산하는 시뮬레이션 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 根据实施例的用于原子分辨率扫描塞贝克显微镜图像的计算机辅助模拟的方法涉及一种模拟方法，其中计算机计算电压探针的位置r的局部热电电压V（r），因此 以获得扫描的Seebeck显微镜图像对应的位置r的电压证明。

公开(公告)号：WO2014200140A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：PCT/KR2013/006267

申请日：2013-07-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김용현 ,  여호기 ,  이의섭

IPC: G01Q30/04 ,  G06F19/00

CPC classification number: G01Q30/04 ,  G01Q60/14

Abstract: 본 발명은 원자수준-해상도 주사 열전 현미경의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법에 관한 것으로서, 소재의 소정의 국지 영역에 대한 원자 레벨 이미지 표시를 위한 열전압(thermoelectric voltage) V를 컴퓨터가 계산하는 시뮬레이션 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于原子分辨率扫描热电显微镜的计算机辅助模拟的方法，更具体地，涉及一种模拟方法，其中计算机计算用于显示预定局部的原子级图像的热电电压V 材料的面积

公开(公告)号：KR1020140144133A

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：KR1020140055617

申请日：2014-05-09

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김용현 ,  여호기 ,  이의섭

IPC: G01Q30/04

CPC classification number: G01Q30/04 ,  G01Q60/14

Abstract: 일 실시예에 따르면 원자수준-해상도(atomic-resolution) 주사 제벡 현미경 이미지(scanning seebeck microscope image)의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법(compter-aided simulation method)으로서, 전압 탐침(voltage prove)의 위치 r에 대응하는 상기 주사 제벡 현미경 이미지를 획득하기 위해, 상기 전압 탐침의 위치 r에 대한 국지 열전 전압(local thermoelectric voltage; V(r))을 하기 수학식에 의해 컴퓨터가 계산하는 시뮬레이션 방법에 관한 것이다.

: 팁(tip)과 샘플(sample)에서 확산 수송 영역(diffusive transport region)에서의 열전 전압 강하(thermoelectric voltage drop)
: 위치-의존 제벡 계수(position-dependent Seebeck coefficient)

r : 점 형태의 탐침으로부터 측정된 거리

r ': 소재 내부 좌표
: 의 팩터(factor)에 의해 반경 방향으로 가중된 온도 구배(temparature gradient)
: 온도 프로파일의 부피 적분

Abstract translation: 本发明涉及一种用于原子分辨率扫描示波器显微镜图像的计算机辅助仿真方法，更具体地说，涉及一种计算机根据电压探头的位置（r）计算局部热电电压的模拟方法， 以下等式来确保对应于电压探针的位置（r）的扫描观察显微镜图像。

公开(公告)号：KR101575955B1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：KR1020140055617

申请日：2014-05-09

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김용현 ,  여호기 ,  이의섭

IPC: G01Q30/04

CPC classification number: G01Q30/04 ,  G01Q60/14

Abstract: 일실시예에따르면원자수준-해상도(atomic-resolution) 주사제벡현미경이미지(scanning seebeck microscope image)의컴퓨터원용시뮬레이션방법(compter-aided simulation method)으로서, 전압탐침(voltage prove)의위치 r에대응하는상기주사제벡현미경이미지를획득하기위해, 상기전압탐침의위치 r에대한국지열전전압(local thermoelectric voltage; V(r))을하기수학식에의해컴퓨터가계산하는시뮬레이션방법에관한것이다.: 팁(tip)과샘플(sample)에서확산수송영역(diffusive transport region)에서의열전전압강하(thermoelectric voltage drop): 위치-의존제벡계수(position-dependent Seebeck coefficient): 점형태의탐침으로부터측정된거리': 소재내부좌표:의팩터(factor)에의해반경방향으로가중된온도구배(temparature gradient): 온도프로파일의부피적분