원자수준-해상도 주사 제벡 현미경 이미지의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법
    3.
    发明申请
    원자수준-해상도 주사 제벡 현미경 이미지의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법 审中-公开
    用于计算机辅助仿真的原子分辨率扫描SEEBECK微观图像的方法

    公开(公告)号:WO2014200231A1

    公开(公告)日:2014-12-18

    申请号:PCT/KR2014/005043

    申请日:2014-06-10

    CPC classification number: G01Q60/58 G01Q30/04 G01Q60/10 G01Q60/14

    Abstract: 일 실시예에 따르면 원자수준-해상도(atomic-resolution) 주사 제벡 현미경 이미지(scanning seebeck microscope image)의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법(compter-aided simulation method)으로서, 전압 탐침(voltage prove)의 위치 r에 대응하는 상기 주사 제벡 현미경 이미지를 획득하기 위해, 상기 전압 탐침의 위치 r에 대한 국지 열전 전압(local thermoelectric voltage; V(r))을 컴퓨터가 계산하는 시뮬레이션 방법에 관한 것이다.

    Abstract translation: 根据实施例的用于原子分辨率扫描塞贝克显微镜图像的计算机辅助模拟的方法涉及一种模拟方法,其中计算机计算电压探针的位置r的局部热电电压V(r),因此 以获得扫描的Seebeck显微镜图像对应的位置r的电压证明。

    원자수준-해상도 주사 열전 현미경의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법
    4.
    发明申请
    원자수준-해상도 주사 열전 현미경의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법 审中-公开
    原子分辨率扫描热电显微镜的计算机辅助模拟方法

    公开(公告)号:WO2014200140A1

    公开(公告)日:2014-12-18

    申请号:PCT/KR2013/006267

    申请日:2013-07-12

    CPC classification number: G01Q30/04 G01Q60/14

    Abstract: 본 발명은 원자수준-해상도 주사 열전 현미경의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법에 관한 것으로서, 소재의 소정의 국지 영역에 대한 원자 레벨 이미지 표시를 위한 열전압(thermoelectric voltage) V를 컴퓨터가 계산하는 시뮬레이션 방법에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于原子分辨率扫描热电显微镜的计算机辅助模拟的方法,更具体地,涉及一种模拟方法,其中计算机计算用于显示预定局部的原子级图像的热电电压V 材料的面积

    탄소 나노튜브 프로브를 이용한 자기력 현미경 장치
    5.
    发明公开
    탄소 나노튜브 프로브를 이용한 자기력 현미경 장치 失效
    使用碳纳米管探针在大范围环境下运行旋转极化扫描隧道显微镜的微结构

    公开(公告)号:KR1020040080184A

    公开(公告)日:2004-09-18

    申请号:KR1020030015072

    申请日:2003-03-11

    Inventor: 김용현 장기주

    Abstract: PURPOSE: A microscope is provided to allow for operation of spin-polarized scanning tunneling microscope under a wide variety of environments by physically and chemically stabilizing carbon nanotubes. CONSTITUTION: A microscope comprises carbon nanotubes used as a tip of a magnetic probe for probing magnetic characteristics of a specimen. The carbon nanotubes has tops with zigzag edges. The tips of the carbon nanotubes are formed by cutting intermediate portions of carbon nanotubes having a chiral index of (n,0).

    Abstract translation: 目的:提供显微镜以允许通过物理和化学稳定碳纳米管在各种环境下自旋极化扫描隧道显微镜的操作。 构成:显微镜包括用作探测样品的磁特性的磁性探头的尖端的碳纳米管。 碳纳米管具有曲折边缘的顶部。 通过切割手性指数为(n,0)的碳纳米管的中间部分来形成碳纳米管的尖端。

    탄소 나노튜브 프로브를 이용한 자기력 현미경 장치
    6.
    发明授权
    탄소 나노튜브 프로브를 이용한 자기력 현미경 장치 失效
    磁力显微镜使用碳纳米管探针

    公开(公告)号:KR100498751B1

    公开(公告)日:2005-07-01

    申请号:KR1020030015072

    申请日:2003-03-11

    Inventor: 김용현 장기주

    Abstract: 탄소 나노튜브 프로브를 이용한 자기력 현미경 장치에 관해 개시하고 있다. 본 발명의 자기력 현미경 장치는, 시료의 자성특성을 조사하기 위하여 자성 프로브의 팁으로서 지그재그형 에지인 탄소 나노튜브를 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 시료의 원자 및 나노미터 크기의 수준에서 스핀 혹은 자성 분포를 측정할 수 있다.

    원자수준-해상도 주사 제벡 현미경 이미지의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법
    7.
    发明公开
    원자수준-해상도 주사 제벡 현미경 이미지의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법 有权
    用于原子分辨率扫描的计算机辅助模拟方法SEEBECK MICROSCOPE IMAGES

    公开(公告)号:KR1020140144133A

    公开(公告)日:2014-12-18

    申请号:KR1020140055617

    申请日:2014-05-09

    CPC classification number: G01Q30/04 G01Q60/14

    Abstract: 일 실시예에 따르면 원자수준-해상도(atomic-resolution) 주사 제벡 현미경 이미지(scanning seebeck microscope image)의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법(compter-aided simulation method)으로서, 전압 탐침(voltage prove)의 위치 r에 대응하는 상기 주사 제벡 현미경 이미지를 획득하기 위해, 상기 전압 탐침의 위치 r에 대한 국지 열전 전압(local thermoelectric voltage; V(r))을 하기 수학식에 의해 컴퓨터가 계산하는 시뮬레이션 방법에 관한 것이다.

    : 팁(tip)과 샘플(sample)에서 확산 수송 영역(diffusive transport region)에서의 열전 전압 강하(thermoelectric voltage drop)
    : 위치-의존 제벡 계수(position-dependent Seebeck coefficient)

    r : 점 형태의 탐침으로부터 측정된 거리

    r ': 소재 내부 좌표
    : 의 팩터(factor)에 의해 반경 방향으로 가중된 온도 구배(temparature gradient)
    : 온도 프로파일의 부피 적분

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于原子分辨率扫描示波器显微镜图像的计算机辅助仿真方法,更具体地说,涉及一种计算机根据电压探头的位置(r)计算局部热电电压的模拟方法, 以下等式来确保对应于电压探针的位置(r)的扫描观察显微镜图像。

    자석으로 사용될 수 있는 금속 도핑 탄소 나노 구조물
    8.
    发明授权
    자석으로 사용될 수 있는 금속 도핑 탄소 나노 구조물 有权
    金属多孔碳纳米管结构

    公开(公告)号:KR101372317B1

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:KR1020120132796

    申请日:2012-11-22

    Abstract: Carbon nanostructures according to the present invention have metal ClNmOn mixed in a 5-6-5-6 pattern at the side walls of a hexagonal lattice structure under the following conditions: l+m+n=4, but l≠4, m≠4, n≠4

    Abstract translation: 根据本发明的碳纳米结构在六边形晶格结构的侧壁上以5-6-5-6图案混合的金属ClNmOn在以下条件下:l + m + n = 4,但l≠4,m≠ 4,n≠4

    원자수준-해상도 주사 제벡 현미경 이미지의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법
    9.
    发明授权
    원자수준-해상도 주사 제벡 현미경 이미지의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법 有权
    - 用于原子分辨率扫描的计算机辅助模拟方法SEEBECK MICROSCOPE IMAGES

    公开(公告)号:KR101575955B1

    公开(公告)日:2015-12-10

    申请号:KR1020140055617

    申请日:2014-05-09

    CPC classification number: G01Q30/04 G01Q60/14

    Abstract: 일실시예에따르면원자수준-해상도(atomic-resolution) 주사제벡현미경이미지(scanning seebeck microscope image)의컴퓨터원용시뮬레이션방법(compter-aided simulation method)으로서, 전압탐침(voltage prove)의위치 r에대응하는상기주사제벡현미경이미지를획득하기위해, 상기전압탐침의위치 r에대한국지열전전압(local thermoelectric voltage; V(r))을하기수학식에의해컴퓨터가계산하는시뮬레이션방법에관한것이다.: 팁(tip)과샘플(sample)에서확산수송영역(diffusive transport region)에서의열전전압강하(thermoelectric voltage drop): 위치-의존제벡계수(position-dependent Seebeck coefficient): 점형태의탐침으로부터측정된거리': 소재내부좌표:의팩터(factor)에의해반경방향으로가중된온도구배(temparature gradient): 온도프로파일의부피적분

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