Abstract:
본원은 압전 나노 소재에 있어서, 나노 소재; 및 상기 나노 소재 상에 형성된 리간드를 포함하고, 상기 리간드는 쌍극자 모멘트 특성을 가지며, 상기 압전 나노 소재에 가해진 압력에 의해 상기 리간드의 쌍극자의 크기가 조절되는 것인, 압전 나노 소재에 대한 것이다.
Abstract:
일 실시예에 따르면 원자수준-해상도(atomic-resolution) 주사 제벡 현미경 이미지(scanning seebeck microscope image)의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법(compter-aided simulation method)으로서, 전압 탐침(voltage prove)의 위치 r에 대응하는 상기 주사 제벡 현미경 이미지를 획득하기 위해, 상기 전압 탐침의 위치 r에 대한 국지 열전 전압(local thermoelectric voltage; V(r))을 컴퓨터가 계산하는 시뮬레이션 방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 원자수준-해상도 주사 열전 현미경의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법에 관한 것으로서, 소재의 소정의 국지 영역에 대한 원자 레벨 이미지 표시를 위한 열전압(thermoelectric voltage) V를 컴퓨터가 계산하는 시뮬레이션 방법에 관한 것이다.
Abstract:
PURPOSE: A microscope is provided to allow for operation of spin-polarized scanning tunneling microscope under a wide variety of environments by physically and chemically stabilizing carbon nanotubes. CONSTITUTION: A microscope comprises carbon nanotubes used as a tip of a magnetic probe for probing magnetic characteristics of a specimen. The carbon nanotubes has tops with zigzag edges. The tips of the carbon nanotubes are formed by cutting intermediate portions of carbon nanotubes having a chiral index of (n,0).
Abstract:
탄소 나노튜브 프로브를 이용한 자기력 현미경 장치에 관해 개시하고 있다. 본 발명의 자기력 현미경 장치는, 시료의 자성특성을 조사하기 위하여 자성 프로브의 팁으로서 지그재그형 에지인 탄소 나노튜브를 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 시료의 원자 및 나노미터 크기의 수준에서 스핀 혹은 자성 분포를 측정할 수 있다.
Abstract:
일 실시예에 따르면 원자수준-해상도(atomic-resolution) 주사 제벡 현미경 이미지(scanning seebeck microscope image)의 컴퓨터 원용 시뮬레이션 방법(compter-aided simulation method)으로서, 전압 탐침(voltage prove)의 위치 r에 대응하는 상기 주사 제벡 현미경 이미지를 획득하기 위해, 상기 전압 탐침의 위치 r에 대한 국지 열전 전압(local thermoelectric voltage; V(r))을 하기 수학식에 의해 컴퓨터가 계산하는 시뮬레이션 방법에 관한 것이다.
: 팁(tip)과 샘플(sample)에서 확산 수송 영역(diffusive transport region)에서의 열전 전압 강하(thermoelectric voltage drop) : 위치-의존 제벡 계수(position-dependent Seebeck coefficient)
r : 점 형태의 탐침으로부터 측정된 거리
r ': 소재 내부 좌표 : 의 팩터(factor)에 의해 반경 방향으로 가중된 온도 구배(temparature gradient) : 온도 프로파일의 부피 적분
Abstract:
Carbon nanostructures according to the present invention have metal ClNmOn mixed in a 5-6-5-6 pattern at the side walls of a hexagonal lattice structure under the following conditions: l+m+n=4, but l≠4, m≠4, n≠4
Abstract translation:根据本发明的碳纳米结构在六边形晶格结构的侧壁上以5-6-5-6图案混合的金属ClNmOn在以下条件下:l + m + n = 4,但l≠4,m≠ 4,n≠4