Patent search ap:("한국과학기술원") AND inv:"여환섭" Page 1

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发明授权
질화물 기반 반도체 양자점의 하위밴드 전이를 이용한 광통신파장에서 상온 동작 가능한 결정적 양자광원과 그 제작 방법 및 동작 방법 有权

公开(公告)号：KR101921825B1

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：KR1020170091368

申请日：2017-07-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조용훈 , 여환섭 , 조종회

IPC: H01L33/06 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/62

Abstract: 질화물기반반도체양자점의하위밴드전이를이용한광통신파장에서상온동작가능한결정적양자광원과그 제작방법및 동작방법이제시된다. 일실시예에따른양자광원제작방법은기판에삼차원구조체를형성하는단계; 상기삼차원구조체의상부에 n 타입으로도핑된박막을형성하는단계; 상기 n 타입으로도핑된박막의상부에양자점을형성하는단계; 상기삼차원구조체를광학적구조로사용하기위해삼차원구조체를재성장시키는단계; 상기삼차원구조체의꼭지점에금속박막을증착하는단계; 및 n 타입으로도핑된영역과상기금속박막에각각전극을연결하는단계를포함하고, 연결된상기전극에전압인가를통해상기양자점에전자가포획되며상기양자점을광 여기시켜양자광원을동작시킬수 있다.

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