반도체 소자 및 이를 제조하는 방법
    1.
    发明公开
    반도체 소자 및 이를 제조하는 방법 审中-实审
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160101658A

    公开(公告)日:2016-08-25

    申请号:KR1020160004915

    申请日:2016-01-14

    Abstract: 반도체소자및 이를제조하는방법을제공한다. 반도체소자는, 기판상에배치되고, 채널영역을제공하는제2 반도체패턴과, 기판및 제2 반도체패턴사이에배치되며제2 반도체패턴과접하는부분은채널영역으로제공되고, 제2 반도체패턴에의해노출되는부분들은소스/드레인영역들로제공되는제1 반도체패턴을포함한다.

    Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括:布置在衬底上的第二半导体图案,提供沟道区; 布置在所述基板和所述第二半导体图案之间的第一半导体图案,向所述沟道区域提供接触所述第二半导体图案的部分; 以及由第二半导体图案暴露于源/漏区的部分。 因此,能够降低半导体的处理成本,能够提高半导体装置的稳定性。

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