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1.发明专利
公开(公告)号：KR20210033878A
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020200059831A
申请日：2020-05-19
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L29/423 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02266 , H01L21/306 , H01L29/4236 , H01L29/66742 , H01L29/78618
Abstract: 본 명세서는 반도체 기판, 트렌치 구조의 층간 절연층, 이격되어 배치된 소스 전극과 드레인 전극, 층간 절연층의 내부 측벽에 위치하는 버퍼층, 트렌치 구조의 활성층과 보호층, 및 트렌치 구조의 게이트 절연층과 게이트 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터를 개시한다.
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公开(公告)号：WO2021054617A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/KR2020/010874
申请日：2020-08-14
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 본 명세서는 반도체 기판, 트렌치 구조의 층간 절연층, 이격되어 배치된 소스 전극과 드레인 전극, 층간 절연층의 내부 측벽에 위치하는 버퍼층, 트렌치 구조의 활성층과 보호층, 및 트렌치 구조의 게이트 절연층과 게이트 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터를 개시한다.
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公开(公告)号：WO2021261783A1
公开(公告)日：2021-12-30
申请号：PCT/KR2021/006534
申请日：2021-05-26
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
IPC: H01L29/786 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 본 명세서는 반도체 기판, 에치 스토퍼, 트렌치 구조의 층간 절연층, 이격되어 배치된 소스 전극과 드레인 전극, 층간 절연층의 내부 측벽에 위치하는 버퍼층, 트렌치 구조의 활성층과 보호층, 및 트렌치 구조의 게이트 절연층과 게이트 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터를 개시한다.
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公开(公告)号：KR102243109B1
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：KR1020190079451
申请日：2019-07-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은, 웨이퍼레벨전사를이용한중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것으로, 보다구체적으로, 웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를제조하는단계; 상기복수개의웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를웨이퍼레벨전사공정으로디스플레이기판상에전사하는단계; 상기전사된마이크로-LED 어레이상에평탄층을형성하여평탄화하는단계; 상기평탄층에비아홀을형성하는단계; 및상기평탄화된마이크로-LED 어레이상에 TFT 어레이를배열및 증착하여마이크로-LED 어레이와 TFT 어레이를집적하는단계;를포함하는, 중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것이다.
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公开(公告)号：KR102209295B1
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：KR1020180068198
申请日：2018-06-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01L1/16 , H01L41/317 , H01L41/193 , D03D15/00 , D03D1/00
Abstract: 본발명의일 관점에따르면, 다이오드를이용한매트릭스방식의섬유기반압력센서가제공된다. 상기다이오드를이용한매트릭스방식의섬유기반압력센서는반도체재료가코팅된제 1 섬유; 및압전재료가코팅되고, 상기제 1 섬유와서로교차되도록배치된제 2 섬유;를포함하고, 상기제 1 섬유와상기제 2 섬유가서로교차하는교차점에압력이인가되면, 상기제 2 섬유의저항변화에의해발생하는전류의흐름을상기제 1 섬유를통하여검출함으로써상기압력을감지할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101819214B1
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：KR1020150189263
申请日：2015-12-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/12 , H01L51/52 , H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 본발명은수소가채널내로확산되는정도를최소화하기위하여, 배리어층이코팅된기판; 상기기판상의활성층; 상기활성층상의게이트절연막패턴; 상기게이트절연막패턴상의게이트전극; 상기게이트패턴, 상기활성층상에형성된수소제공층; 상기수소제공층을모두덮도록형성된수소유입방지막; 및상기수소유입방지막상의층간절연막, 소스/드레인전극그리고소자패시베이션막을구비하는, 반도체소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020210003542A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：KR1020190079451
申请日：2019-07-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은, 웨이퍼레벨전사를이용한중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것으로, 보다구체적으로, 웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를제조하는단계; 상기복수개의웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를웨이퍼레벨전사공정으로디스플레이기판상에전사하는단계; 상기전사된마이크로-LED 어레이상에평탄층을형성하여평탄화하는단계; 상기평탄층에비아홀을형성하는단계; 및상기평탄화된마이크로-LED 어레이상에 TFT 어레이를배열및 증착하여마이크로-LED 어레이와 TFT 어레이를집적하는단계;를포함하는, 중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160101658A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020160004915
申请日：2016-01-14
IPC: H01L29/786 , H01L21/027 , H01L21/306 , G03F7/20
Abstract: 반도체소자및 이를제조하는방법을제공한다. 반도체소자는, 기판상에배치되고, 채널영역을제공하는제2 반도체패턴과, 기판및 제2 반도체패턴사이에배치되며제2 반도체패턴과접하는부분은채널영역으로제공되고, 제2 반도체패턴에의해노출되는부분들은소스/드레인영역들로제공되는제1 반도체패턴을포함한다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：布置在衬底上的第二半导体图案，提供沟道区; 布置在所述基板和所述第二半导体图案之间的第一半导体图案，向所述沟道区域提供接触所述第二半导体图案的部分; 以及由第二半导体图案暴露于源/漏区的部分。 因此，能够降低半导体的处理成本，能够提高半导体装置的稳定性。
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