公开(公告)号：KR1020130066138A

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：KR1020110132845

申请日：2011-12-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정희태 ,  유해욱 ,  전환진

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01N33/53

Abstract: PURPOSE: A sensor with a nanochannel structure and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a channel for the sensor by applying an ion bombardment phenomenon caused by physical ion etching, thereby manufacturing the ultra-fine nanochannel structure having various line widths and shapes at low costs through a simple process simultaneously with a line width of a maximum 10nm level. CONSTITUTION: A manufacturing method of a sensor with a nanochannel structure is as follows. A target material layer and a polymer layer are successively formed on a substrate(10). A lithographic process is performed on the polymer layer so that a patterned polymer structure is formed. The target material layer is ion-etched so that a target material-polymer composite structure(25) in which the ion-etched target material is attached on the outer circumference of the polymer structure. A polymer of the target material-polymer composite structure is removed so that the nanochannel structure is manufactured on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供具有纳米通道结构的传感器及其制造方法，通过施加由物理离子蚀刻引起的离子轰击现象来制造用于传感器的通道，从而制造具有低线宽和形状的超细纳米通道结构 成本通过简单的过程同时线宽最大为10nm级。 构成：具有纳米通道结构的传感器的制造方法如下。 目标材料层和聚合物层依次形成在基板（10）上。 在聚合物层上进行平版印刷工艺，从而形成图案化的聚合物结构。 对靶材料层进行离子蚀刻，使得在聚合物结构的外周附着有离子蚀刻的目标材料的靶材料 - 聚合物复合结构（25）。 去除目标材料 - 聚合物复合结构的聚合物，使得在基底上制造纳米通道结构。

公开(公告)号：KR101284274B1

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：KR1020110132845

申请日：2011-12-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정희태 ,  유해욱 ,  전환진

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01N33/53

Abstract: 본 발명은 나노채널 구조체를 구비하는 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 패턴화된 고분자 구조체의 외주면에 물리적 이온 식각공정을 통한 이온 봄바드먼트(ion bombardment) 현상을 적용하여 목적물질을 부착시킨 목적물질-고분자 복합구조체를 형성시킨 다음, 상기 목적물질-고분자 복합구조체의 고분자를 제거하여 나노채널 구조체를 제조하고, 상기 제조된 나노채널 구조체를 적용함으로써 센서의 감응성을 향상시킨 나노채널 구조체를 구비하는 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 물리적 이온 식각을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 센서용 채널을 제조함으로써 간단한 공정과 저렴한 비용으로 다양한 선폭과 형태를 가지는 동시에 최대 10nm 수준의 선폭을 가지는 극미세 나노채널 구조체를 제조할 수 있어 뛰어난 감응성을 요하는 센서에 유용하게 사용할 수 있다.

公开(公告)号：KR101751500B1

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：KR1020150019613

申请日：2015-02-09

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정희태 ,  김종선 ,  유해욱

IPC: G01N27/407 ,  A61B5/08

Abstract: 본발명은싸이올기를함유하는리간드접합 MoS필름을포함하는케미레지스터가스센서, 이의제조방법및 이를이용한다양한가스분자의검출방법에관한것으로, 보다구체적으로는기판; 기판상부에적층된싸이올기를함유하는리간드접합 MoS필름또는 MoS필름및; 상기필름의양 측면에각각형성된전극을포함하는케미레지스터가스센서, 이의제조방법및 및이를활용한다양한가스분자의검출방법에대한것으로서, 본발명에따른가스센서는민감도와정확성이매우뛰어나다.

公开(公告)号：KR1020160097656A

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：KR1020150019613

申请日：2015-02-09

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정희태 ,  김종선 ,  유해욱

IPC: G01N27/407 ,  A61B5/08

CPC classification number: G01N27/4074 ,  A61B5/08

Abstract: 본발명은싸이올기를함유하는리간드접합 MoS필름을포함하는케미레지스터가스센서, 이의제조방법및 이를이용한다양한가스분자의검출방법에관한것으로, 보다구체적으로는기판; 기판상부에적층된싸이올기를함유하는리간드접합 MoS필름또는 MoS필름및; 상기필름의양 측면에각각형성된전극을포함하는케미레지스터가스센서, 이의제조방법및 및이를활용한다양한가스분자의검출방법에대한것으로서, 본발명에따른가스센서는민감도와정확성이매우뛰어나다.

Abstract translation: 本发明涉及具有硫醇基的配体共轭MoS_2膜的化学电阻气体传感器及其制造方法，以及使用其的各种气体分子的检测方法。 更具体地，本发明涉及一种化学电阻气体传感器及其制造方法以及使用其的各种气体分子的检测方法，其中，所述化学电阻气体传感器包括：基板; 含有配体共轭MoS_2膜的硫醇基或层叠在基材上的MoS_2膜; 以及分别形成在膜的两侧的电极。 根据本发明，气体传感器的灵敏度和精度非常优异。