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公开(公告)号：KR102235528B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020190008061A
申请日：2019-01-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/083 , H01L41/047 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/083 , H01L35/32 , H01L41/047 , H01L41/187 , H02N2/18
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 하이브리드 에너지 하베스팅 장치는, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극 위에 형성되는 압전층과, 상기 압전층 위에 형성되는 비압전층과, 상기 비압전층 위에 형성되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2013073833A1
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：PCT/KR2012/009597
申请日：2012-11-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 산포된 공용 디스플레이 또는 공용 스피터를 이용하여 길 안내 또는 목적지를 안내하는 방법 및 시스템에 관한 것으로서, (a) 휴대형 단말기로부터 휴대형 단말기의 위치를 추정하기 위해 사용되는 위치 추정 신호 정보를 수신하는 단계; (b) 상기 위치 추정 신호 정보로부터 휴대형 단말기가 위치하는 대기 정류소를 추정하는 단계; 및 (c) 상기 대기 정류소에 연관된 하나 이상의 공용 디스플레이/공용 스피커로, 상기 하나 이상의 공용 디스플레이/스피커가 설치된 위치에서의 대중 교통 수단이 수신된 목적지로 향하는지를 알 수 있는 안내 정보를 전송하는 단계를 포함한다. 본 발명을 이용함으로써, 대중 교통 이용자를 위해 시각 또는 청각을 이용하여 안전하고 편리하게 원하는 목적지로의 안내를 할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用分布式公共显示器或公共扬声器向目的地提供指示或指导的方法和系统，其中该方法包括以下步骤：（a）从移动终端接收用于估计的位置估计信号信息 移动终端的位置; （b）从所述位置估计信号信息估计所述移动终端所在的站; 以及（c）向一个或多个公共展示/公众演讲者发送指示信息，指示安装了一个或多个公共显示器/公共扬声器的车站上的公共交通工具是否绑定到目的地。 本发明具有使公共交通用户能够使用视觉或听觉信息安全地和方便地引导到期望的目的地的效果。
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公开(公告)号：KR101263662B1
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：KR1020120005047
申请日：2012-01-17
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A method and system for guiding a destination using a common display at a station are provided to improve the convenience of public transportation by displaying guide information. CONSTITUTION: The position of a portable terminal(400) is estimated. Estimated position signal information is received. A standby station is estimated from the estimated position signal information. One or more common displays(200) are installed at the standby station. The guide information is transmitted to the display. [Reference numerals] (500) Communication network
Abstract translation: 目的：提供一种用于在车站使用公共显示器引导目的地的方法和系统，以通过显示指南信息来提高公共交通的便利性。 规定：估计便携式终端（400）的位置。 接收估计位置信号信息。 从估计位置信号信息估计备用站。 一个或多个通用显示器（200）安装在备用站。 指南信息被传送到显示器。 （附图标记）（500）通信网络
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公开(公告)号：KR1020120017892A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020100080827
申请日：2010-08-20
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/15 , H03H9/17 , H03H9/24 , H03H2009/02173
Abstract: PURPOSE: A film bulk acoustic resonator device and a manufacturing method thereof are provided to improve resonance properties of the film bulk acoustic resonator device using a zinc oxide piezoelectric layer deposited in a mixed gas atmosphere of argon gas and nitrogen gas. CONSTITUTION: A film bulk acoustic resonator(FBAR) device includes a substrate(100), a lower electrode(102), a piezoelectric thin film(104), and an upper electrode(106). The FBAR device has a structure in which the upper electrode and the lower electrode are arranged on the substrate. The piezoelectric thin film is deposited between the lower electrode and the upper electrode. The substrate is comprised of elements such as silicon, GaAs, and etc. The piezoelectric thin film is made of a dielectric layer which includes zinc oxide or aluminum-nitride. A sputtering technique, a CVD(Chemical Vapor Deposition) technique, MBE(Molecular Beam Epitaxial) technique, or etc. is used as a piezoelectric thin film deposition technique.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜体声波谐振器及其制造方法，以改善使用沉积在氩气和氮气的混合气体气氛中的氧化锌压电层的薄膜体声波谐振器的谐振特性。 构成：薄膜体声波谐振器（FBAR）器件包括衬底（100），下电极（102），压电薄膜（104）和上电极（106）。 FBAR器件具有将上电极和下电极配置在基板上的结构。 压电薄膜沉积在下电极和上电极之间。 衬底由诸如硅，GaAs等的元件组成。压电薄膜由包括氧化锌或氮化铝的电介质层制成。 使用溅射技术，CVD（化学气相沉积）技术，MBE（分子束外延）技术等作为压电薄膜沉积技术。
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公开(公告)号：KR102235528B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020190008061
申请日：2019-01-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/083 , H01L41/047 , H01L41/187
Abstract: 본발명의일 실시예에하이브리드에너지하베스팅장치는, 기판과, 상기기판상에형성된제1 전극과, 상기제1 전극위에형성되는압전층과, 상기압전층위에형성되는비압전층과, 상기비압전층위에형성되는제2 전극을포함할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101720166B1
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150045284
申请日：2015-03-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/113 , H01L41/22 , H01L41/02 , H01L41/18
Abstract: 본발명은압전나노자가발전소자및 그제조방법에관한것으로, 개시된압전나노자가발전소자는기판상에형성된제 1 전극과, 제 1 전극의상부에형성된제 2 전극과, 제 1 전극과제 2 전극사이에형성된압전물질나노구조층및 질소화합물층을포함한다. 압전물질나노구조층과함께질소화합물층을전극사이에형성함으로써, 전극에대한보다신뢰성있는전위장벽을형성하여내부로의누설전류의흐름을억제할수 있으며, 전극에서의전하의누적을향상시키고, 압전물질나노구조층과질소화합물층의연속된에피성장시압전물질의결정성및 압전성향상에기여하여결과적으로향상된압전출력을제공하는이점이있다.
Abstract translation: 本发明是压电纳米自显影装置，和涉及一种制造方法，所公开的压电纳米自电厂的第一电极和第二形成在形成第二电极之间的基板上的第一电极的第二电极和第一电极的项目的上部分的方法 压电材料纳米结构层和形成在基板上的氮化合物层。 通过形成与所述电极之间的压电材料的纳米结构层的氮化合物层，以形成势垒的电极更可靠，并能抑制漏电流的流向内部，以提高电极eseoui电荷的运行中，压电材料 纳米结构层和氮化合物层的连续外延生长有助于提高压电材料的结晶性和压电性，由此提供改进的压电输出。
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公开(公告)号：KR1020160117793A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020150045284
申请日：2015-03-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/113 , H01L41/22 , H01L41/02 , H01L41/18
Abstract: 본발명은압전나노자가발전소자및 그제조방법에관한것으로, 개시된압전나노자가발전소자는기판상에형성된제 1 전극과, 제 1 전극의상부에형성된제 2 전극과, 제 1 전극과제 2 전극사이에형성된압전물질나노구조층및 질소화합물층을포함한다. 압전물질나노구조층과함께질소화합물층을전극사이에형성함으로써, 전극에대한보다신뢰성있는전위장벽을형성하여내부로의누설전류의흐름을억제할수 있으며, 전극에서의전하의누적을향상시키고, 압전물질나노구조층과질소화합물층의연속된에피성장시압전물질의결정성및 압전성향상에기여하여결과적으로향상된압전출력을제공하는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101185529B1
公开(公告)日：2012-09-24
申请号：KR1020100080827
申请日：2010-08-20
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은, 두 금속 전극 사이에 산화아연(Zinc Oxide)을 압전 유전체 층으로 형성하는 FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) 소자에 관한 것으로, 이를 위해 본 발명은, FBAR 소자의 산화아연(ZnO)층을 산소/아르곤(O
2 /Ar) 혼합 가스 또는 아르곤(Ar) 가스를 반응가스로 하여 스퍼터링(sputtering) 방식 및 이에 준하는 방법(CVD, MBE 등)으로 증착하는 종래와는 달리, 산화아연(ZnO)층에 질소(N) 원자를 불순물(impurity)로 포함시키기 위해, 아산화질소(N
2 O), 일산화질소(NO) 및 암모니아(NH
3 ) 가스와 같은 질소 계열의 가스와 아르곤(Ar) 가스의 혼합가스 분위기에서 산화아연(ZnO)층을 증착시킴으로써, FBAR 소자의 공진 특성을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR101102340B1
公开(公告)日：2012-01-03
申请号：KR1020100025720
申请日：2010-03-23
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 3차원 인덕터에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 반도체 기판에서 일정 거리 이격된 위치에 단위 금속선이 배열되는 3차원 인덕터을 제공하는 종래와는 달리, 일측이 바닥 금속층과 연결되고, 타측이 지지대와 연결되며, 바닥 금속층과 연결된 곳으로부터 외부 방향으로 나선 형태를 구성하면서 바닥 금속층에서 지지대까지 반도체 기판으로부터 순차적으로 이격되도록 구성된 단위 금속선을 포함하는 3차원 인덕터를 제공함으로써, 반도체 기판에 의한 손실을 감소시킬 수 있고, 인덕터 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR1020110106595A
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：KR1020100025720
申请日：2010-03-23
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 3차원 인덕터에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 반도체 기판에서 일정 거리 이격된 위치에 단위 금속선이 배열되는 3차원 인덕터을 제공하는 종래와는 달리, 일측이 바닥 금속층과 연결되고, 타측이 지지대와 연결되며, 바닥 금속층과 연결된 곳으로부터 외부 방향으로 나선 형태를 구성하면서 바닥 금속층에서 지지대까지 반도체 기판으로부터 순차적으로 이격되도록 구성된 단위 금속선을 포함하는 3차원 인덕터를 제공함으로써, 반도체 기판에 의한 손실을 감소시킬 수 있고, 인덕터 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.
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